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비어 홀의 충진방법 및 반도체 패키지 방법

기술번호 : KST2014038625
담당센터 : 서울서부기술혁신센터
전화번호 : 02-6124-6930

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 비어 홀의 충진방법 및 반도체 패키지 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 (a)용융 가능하며, 1nm 내지 30㎛의 입경을 갖는 도전성 입자와 상기 도전성 입자의 융점에서 경화되지 않는 폴리머를 포함하는 이방성 도전 접속제를 시드 금속층으로 도금된 비어 홀이 형성된 기판의 개구부에 도포하는 단계; (b)상기 이방성 도전 접속제를 상기 폴리머의 경화가 완료되지 않는 온도까지 가열하여 도전성 입자를 비어 홀에 충진하는 단계; 및 (c) 폴리머를 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고, 본 발명에 따른 비어 홀의 충진방법 및 반도체 패키지 방법은 불량률이 적고, 공정이 단순하며, 대량생산에 용이하다. 저융점 금속, 폴리머, 비어 홀, 충진, 반도체 패키지
Int. CL	H01L 21/60 (2006.01)
CPC	H01L 21/486(2013.01)
출원번호/일자	1020090048844 (2009.06.03)
출원인	중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1083042-0000 (2011.11.07)
공개번호/일자	10-2010-0130260 (2010.12.13) 문서열기
공고번호/일자	(20111116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2009.06.03)
심사청구항수	17

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	중앙대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 동작구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김종민	대한민국	서울특별시 동작구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인다나	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 길 , 신관 층~층, *층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	중앙대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 동작구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2009.06.03	수리 (Accepted)	1-1-2009-0334727-87
2	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2010.07.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2010.08.17	수리 (Accepted)	9-1-2010-0053135-77
4	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2011.01.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0055589-55
5	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2011.03.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0226191-18
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2011.03.28	수리 (Accepted)	1-1-2011-0226192-53
7	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.07.20	수리 (Accepted)	4-1-2011-5148879-89
8	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.07.20	수리 (Accepted)	4-1-2011-5148883-62
9	등록결정서 Decision to grant	2011.10.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0628357-54
10	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.01.03	수리 (Accepted)	4-1-2014-0000494-54
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.10.20	수리 (Accepted)	4-1-2014-5123944-33
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2018.07.04	수리 (Accepted)	4-1-2018-5125629-51
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.07.29	수리 (Accepted)	4-1-2019-5151122-15
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.01	수리 (Accepted)	4-1-2019-5153932-16

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 (a) 용융 가능하며, 1nm 내지 30㎛의 입경을 갖는 도전성 입자와 상기 도전성 입자의 융점에서 경화되지 않는 폴리머를 포함하는 이방성 도전 접속제를 시드 금속층으로 도금된 비어 홀이 형성된 기판의 개구부에 도포하는 단계; (b) 상기 이방성 도전 접속제를 상기 폴리머의 경화가 완료되지 않는 온도까지 가열하여 도전성 입자를 비어 홀에 충진하는 단계; 및 (c) 폴리머를 경화시키는 단계를 포함하는 비어 홀의 충진방법
2	2 제 1 항에 있어서, (d) 기판의 표면에 경화된 폴리머를 선택적으로 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비어 홀의 충진방법
3	3 제 1 항에 있어서, 상기 도전성 입자의 입경은 1nm 내지 30nm인 것을 특징으로 하는 비어 홀의 충진방법
4	4 제 1 항에 있어서, 상기 도전성 입자는 금속, 비금속 및 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 비어 홀의 충진방법
5	5 제 4 항에 있어서, 상기 도전성 입자는 탄소 나노 튜브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비어 홀의 충진방법
6	6 제 1 항에 있어서, 상기 폴리머는 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 광반응성 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 비어 홀의 충진방법
7	7 제 1 항에 있어서, 상기 이방성 도전 접속제는 표면활성화 수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비어 홀의 충진방법
8	8 제 1 항에 있어서, 상기 시드 금속층은 기판 표면에 형성된 제 1 금속층 및 제 1 금속층의 표면에 형성된 제 2 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 비어 홀의 충진방법
9	9 제 8 항에 있어서, 상기 제 2 금속층은 니켈 또는 금으로 형성된 것을 특징으로 하는 비어 홀의 충진방법
10	10 (a) 용융 가능하며, 1nm 내지 30㎛의 입경을 갖는 도전성 입자와 상기 도전성 입자의 융점에서 경화되지 않는 폴리머를 포함하는 이방성 도전 접속제를 시드 금속층으로 도금된 비어 홀이 형성된 기판의 개구부에 도포하는 단계; (b)상기 이방성 도전 접속제를 상기 폴리머의 경화가 완료되지 않는 온도까지 가열하여 도전성 입자를 비어 홀에 충진하는 단계; (c) 폴리머를 경화시킨 후, 기판의 표면에 경화된 폴리머를 선택적으로 제거하는 단계; 및 (d) 상기 비어 홀에 충진된 도전성 입자와 배선 기판을 전기적으로 접속시키는 단계를 포함하는 반도체 패키지 방법
11	11 제 10 항에 있어서, 상기 도전성 입자의 입경은 1nm 내지 30nm인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 방법
12	12 제 10 항에 있어서, 상기 도전성 입자는 금속, 비금속 및 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 방법
13	13 제 12 항에 있어서, 상기 도전성 입자는 탄소 나노 튜브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 방법
14	14 제 10 항에 있어서, 상기 폴리머는 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 광반응성 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 방법
15	15 제 10 항에 있어서, 상기 이방성 도전 접속제는 표면활성화 수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 방법
16	16 제 10 항에 있어서, 상기 시드 금속층은 기판 표면에 형성된 제 1 금속층 및 제 1 금속층의 표면에 형성된 제 2 금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 방법
17	17 제 16 항에 있어서, 상기 제 2 금속층은 니켈 또는 금으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1083042-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20090603 출원 번호 : 1020090048844 공고 연월일 : 20111116 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20111028 청구범위의 항수 : 17 유별 : H01L 21/60 발명의 명칭 : 비어 홀의 충진방법 및 반도체 패키지 방법 존속기간(예정)만료일 : 20171108

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 중앙대학교 산학협력단 서울특별시 동작구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	354,000 원	2011년 11월 08일	납입
제 4 년분	금 액	289,800 원	2014년 09월 30일	납입
제 5 년분	금 액	289,800 원	2015년 10월 28일	납입
제 6 년분	금 액	289,800 원	2016년 10월 04일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2009.06.03	수리 (Accepted)	1-1-2009-0334727-87
2	선행기술조사의뢰서	2010.07.15	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
3	선행기술조사보고서	2010.08.17	수리 (Accepted)	9-1-2010-0053135-77
4	의견제출통지서	2011.01.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0055589-55
5	[명세서등 보정]보정서	2011.03.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2011-0226191-18
6	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2011.03.28	수리 (Accepted)	1-1-2011-0226192-53
7	출원인정보변경(경정)신고서	2011.07.20	수리 (Accepted)	4-1-2011-5148879-89
8	출원인정보변경(경정)신고서	2011.07.20	수리 (Accepted)	4-1-2011-5148883-62
9	등록결정서	2011.10.28	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0628357-54
10	출원인정보변경(경정)신고서	2014.01.03	수리 (Accepted)	4-1-2014-0000494-54
11	출원인정보변경(경정)신고서	2014.10.20	수리 (Accepted)	4-1-2014-5123944-33
12	출원인정보변경(경정)신고서	2018.07.04	수리 (Accepted)	4-1-2018-5125629-51
13	출원인정보변경(경정)신고서	2019.07.29	수리 (Accepted)	4-1-2019-5151122-15
14	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.01	수리 (Accepted)	4-1-2019-5153932-16


기술번호	KST2014038625
자료제공기관	NTB
기술공급기관	중앙대학교
기술명	비어 홀의 충진방법 및 반도체 패키지 방법
기술개요	본 발명은 비어 홀의 충진방법 및 반도체 패키지 방법에 관한 것으로, 보다 구체적으로 (a)용융 가능하며, 1nm 내지 30㎛의 입경을 갖는 도전성 입자와 상기 도전성 입자의 융점에서 경화되지 않는 폴리머를 포함하는 이방성 도전 접속제를 시드 금속층으로 도금된 비어 홀이 형성된 기판의 개구부에 도포하는 단계; (b)상기 이방성 도전 접속제를 상기 폴리머의 경화가 완료되지 않는 온도까지 가열하여 도전성 입자를 비어 홀에 충진하는 단계; 및 (c) 폴리머를 경화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고, 본 발명에 따른 비어 홀의 충진방법 및 반도체 패키지 방법은 불량률이 적고, 공정이 단순하며, 대량생산에 용이하다. 저융점 금속, 폴리머, 비어 홀, 충진, 반도체 패키지
개발상태	기술개발완료
기술의 우수성
응용분야	저융점 금속
시장규모 및 동향
희망거래유형	기술매매,라이센스,기술협력,
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1345080349
세부과제번호	2008-313-D00052
연구과제명	복합 변형 이력을 갖는 다단 공정에서의 성형한계평면에 관한 연구
성과구분	등록
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	SECRET PROJECT
연구주관기관명	SECRET PROJECT
성과제출연도	2008
연구기간	200811~201010
기여율	1
연구개발단계명	기초연구
6T분류명	기타


과제고유번호	1345095903
세부과제번호	핵06A1107
연구과제명	기능보강형소재응용기술
성과구분	출원
부처명	교육과학기술부
연구관리전문기관명	한국연구재단
연구주관기관명	중앙대학교
성과제출연도	2009
연구기간	200603~201302
기여율	1
연구개발단계명	응용연구
6T분류명	BT(생명공학기술)

특허성과

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[1020090109861]	도전성 복합체 및 이를 이용한 이방성 도전성 접착제	새창보기
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[1020090024553]	복합재료 자동차휠 및 그 제조방법	새창보기
[1020090019809]	다중기포 음파발광을 이용한 나노 촉매의 제조방법 및 합성가스의 생산 방법	새창보기
[1020090014090]	금속 산화물 나노입자 및 리튬계 나노입자의 제조 방법	새창보기
[1020080084957]	접착제용 고온 경화 에폭시 수지 조성물, 그 수지 조성물을제조하는 방법 및 그 조성물을 이용한 접착제	새창보기
[1020070073034]	다중 휠 타입 자기유변유체 연마장치	새창보기

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