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기판;기판 상부에 형성되고, 소수성 유기반도체로 구성되는 활성층; 및기판과 활성층 사이에 형성되고, 소수성 유기반도체의 분자들간 응집에너지보다 작은 활성층-기판간 접착에너지를 유도할 수 있도록, 소수성 유기반도체의 분자들간 응집에너지보다 작은 표면에너지를 갖는 소재로 구성되는 완충층을 포함하며,활성층의 평균 표면거칠기는 3 nm 이상인 것을 특징으로 하는 센서
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제1항에 있어서,소수성 유기반도체는 폴리[2,5-비스(3-테트라데실티오펜-2-일)티에노[3,2-b]티오펜], 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일), 폴리[2,6-(4,4-비스-(2-에틸헥실)-4H-사이클로펜타[2,1-b;3,4-b']디티오펜)-알트-4,7(2,1,3-벤조티아디아졸)], 폴리[[4,8-비스[(2-에틸헥실)옥시]벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜-2,6-디일][3-플루오로-2-[(2-에틸헥실)카르보닐]티에노[3,4-b]티오펜디일]], 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-알트-벤조티아디아졸), 디케토피롤로-피롤-디티오펜-티에노티오펜 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 센서
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제1항에 있어서,완충층의 소재는 폴리[1,4,5,7-디플루오로메틸-2,6-디플루오로-3-옥솔], 폴리디메틸실록산, 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리(비닐알코올), 폴리(4-비닐페놀), 옥틸트리클로로실란, 옥타데실트리클로로실란 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 센서
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제1항에 있어서,소수성 유기반도체의 분자들간 응집에너지는 65 mN/N 이상인 것을 특징으로 하는 센서
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제1항에 있어서,활성층-기판간 접착에너지는 64 mN/N 이하인 것을 특징으로 하는 센서
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제1항에 있어서,완충층의 표면에너지는 50 mN/N 이하인 것을 특징으로 하는 센서
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삭제
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제1항에 있어서,소수성 유기반도체의 전하이동도는 0
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제1항에 있어서,센서는 가스센서 또는 광센서인 것을 특징으로 하는 센서
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제9항에 있어서,가스는 암모니아, 에탄올, 이산화질소, 오존, 일산화탄소, 휘발성 유기 화합물 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 센서
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11
제9항에 있어서,가스센서의 경우, 가스노출환경에서 대기환경으로 바뀔 때, 문턱전압 변화는 5 V 이상인 것을 특징으로 하는 센서
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12
제9항에 있어서,가스센서의 경우, 대기환경에서 가스노출환경으로 바뀔 때, 열림전류 변화는 5×10-7 A 이상인 것을 특징으로 하는 센서
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13
제9항에 있어서,광센서의 경우, 광노출환경에서 전류밀도는 7×10-5 mA/㎠ 이상인 것을 특징으로 하는 센서
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14
제9항에 있어서,광센서의 경우, 광노출환경-광차단환경간 전류밀도 변화는 30배 이상인 것을 특징으로 하는 센서
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