맞춤기술찾기

이전대상기술

완충층의 표면에너지 제어를 이용한 유기반도체 박막의 표면거칠기 극대화에 기반한 고성능 센서(High performance sensor based on maximization of surface roughness of organic semiconductor thin film using control of surface energy of buffer layer)

  • 기술번호 : KST2017014975
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 완충층의 표면에너지 제어를 이용한 유기반도체 박막의 표면거칠기 극대화에 기반한 고성능 센서에 관한 것으로, 위해, 기판; 기판 상부에 형성되고, 소수성 유기반도체로 구성되는 활성층; 및 기판과 활성층 사이에 형성되고, 소수성 유기반도체의 분자들간 응집에너지보다 작은 활성층-기판간 접착에너지를 유도할 수 있도록, 소수성 유기반도체의 분자들간 응집에너지보다 작은 표면에너지를 갖는 소재로 구성되는 완충층을 포함하는 센서를 제공한다.
Int. CL G01N 27/12 (2016.04.16) G01N 21/64 (2016.04.16) H01L 21/60 (2016.04.16)
CPC G01N 27/129(2013.01) G01N 27/129(2013.01) G01N 27/129(2013.01)
출원번호/일자 1020160029050 (2016.03.10)
출원인 중앙대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2017-0106563 (2017.09.21) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2016.03.10)
심사청구항수 13

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대한민국 대구 달성군 현

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정대성 대한민국 서울특별시 동작구
2 유성훈 대한민국 서울특별시 강동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 재단법인대구경북과학기술원 대구 달성군 현
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2016-0234241-18
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0784413-11
3 [공지예외적용 보완 증명서류]서류제출서
2016.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-1218962-77
4 [출원서 등 보정(보완)]보정서
2016.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-1218963-12
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2016-1218961-21
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.04.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0266565-71
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.06.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0566281-11
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2017-0566282-67
9 등록결정서
Decision to grant
2017.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0525948-18
10 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2017.12.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-1312189-18
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5260250-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.18 수리 (Accepted) 4-1-2020-5134633-04
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;기판 상부에 형성되고, 소수성 유기반도체로 구성되는 활성층; 및기판과 활성층 사이에 형성되고, 소수성 유기반도체의 분자들간 응집에너지보다 작은 활성층-기판간 접착에너지를 유도할 수 있도록, 소수성 유기반도체의 분자들간 응집에너지보다 작은 표면에너지를 갖는 소재로 구성되는 완충층을 포함하며,활성층의 평균 표면거칠기는 3 nm 이상인 것을 특징으로 하는 센서
2 2
제1항에 있어서,소수성 유기반도체는 폴리[2,5-비스(3-테트라데실티오펜-2-일)티에노[3,2-b]티오펜], 폴리(3-헥실티오펜-2,5-디일), 폴리[2,6-(4,4-비스-(2-에틸헥실)-4H-사이클로펜타[2,1-b;3,4-b']디티오펜)-알트-4,7(2,1,3-벤조티아디아졸)], 폴리[[4,8-비스[(2-에틸헥실)옥시]벤조[1,2-b:4,5-b']디티오펜-2,6-디일][3-플루오로-2-[(2-에틸헥실)카르보닐]티에노[3,4-b]티오펜디일]], 폴리(9,9-디옥틸플루오렌-알트-벤조티아디아졸), 디케토피롤로-피롤-디티오펜-티에노티오펜 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 센서
3 3
제1항에 있어서,완충층의 소재는 폴리[1,4,5,7-디플루오로메틸-2,6-디플루오로-3-옥솔], 폴리디메틸실록산, 폴리스티렌, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리(비닐알코올), 폴리(4-비닐페놀), 옥틸트리클로로실란, 옥타데실트리클로로실란 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 센서
4 4
제1항에 있어서,소수성 유기반도체의 분자들간 응집에너지는 65 mN/N 이상인 것을 특징으로 하는 센서
5 5
제1항에 있어서,활성층-기판간 접착에너지는 64 mN/N 이하인 것을 특징으로 하는 센서
6 6
제1항에 있어서,완충층의 표면에너지는 50 mN/N 이하인 것을 특징으로 하는 센서
7 7
삭제
8 8
제1항에 있어서,소수성 유기반도체의 전하이동도는 0
9 9
제1항에 있어서,센서는 가스센서 또는 광센서인 것을 특징으로 하는 센서
10 10
제9항에 있어서,가스는 암모니아, 에탄올, 이산화질소, 오존, 일산화탄소, 휘발성 유기 화합물 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 센서
11 11
제9항에 있어서,가스센서의 경우, 가스노출환경에서 대기환경으로 바뀔 때, 문턱전압 변화는 5 V 이상인 것을 특징으로 하는 센서
12 12
제9항에 있어서,가스센서의 경우, 대기환경에서 가스노출환경으로 바뀔 때, 열림전류 변화는 5×10-7 A 이상인 것을 특징으로 하는 센서
13 13
제9항에 있어서,광센서의 경우, 광노출환경에서 전류밀도는 7×10-5 mA/㎠ 이상인 것을 특징으로 하는 센서
14 14
제9항에 있어서,광센서의 경우, 광노출환경-광차단환경간 전류밀도 변화는 30배 이상인 것을 특징으로 하는 센서
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 중앙대학교 산학협력단 인력양성사업 고분자 나노 입자를 이용한 반도체 가스 센서에 관한 연구