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(a) 도전층이 형성된 기판에 상기 도전층에 대응되는 개구부를 갖는 금속마스크를 도전층이 개구부 내에 수용되도록 정렬시킨 후, 용융 가능하며, 1nm 내지 30㎛의 입경을 갖는 도전성 입자와 상기 도전성 입자의 융점에서 경화되지 않는 폴리머를 포함하는 도전 접속제가 스퀴지에 의해 마스크의 개구부에 전사되는 단계;
(b)도전 접속제를 상기 폴리머의 경화가 완료되지 않는 온도까지 가열하여 도전성 입자로 도전층 상에 범프를 형성하는 단계; 및
(c) 상기 폴리머를 경화시키는 단계를 포함하는 범프 형성방법
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제 1 항에 있어서,
(d) 기판의 표면에 경화된 폴리머를 선택적으로 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 범프 형성 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 도전성 입자의 입경은 1nm 내지 30nm인 것을 특징으로 하는 범프 형성 방법
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4
제 1 항에 있어서,
상기 도전성 입자는 금속, 비금속 및 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 범프 형성 방법
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5
제 4 항에 있어서,
상기 도전성 입자는 탄소 나노 튜브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 범프 형성 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 폴리머는 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 광반응성 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 범프 형성 방법
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7
제 1 항에 있어서,
상기 도전 접속제는 표면활성화 수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 범프 형성 방법
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8
제 1 항에 있어서,
상기 기판은 반도체 기판 또는 칩인 것을 특징으로 하는 범프 형성 방법
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제 1 항에 있어서,
상기 도전층은 전극 패드 또는 범프인 것을 특징으로 하는 범프 형성 방법
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10
(a) 도전층이 형성된 기판에 상기 도전층에 대응되는 개구부를 갖는 금속마스크를 도전층이 개구부 내에 수용되도록 정렬시킨 후, 용융 가능하며, 1nm 내지 30㎛의 입경을 갖는 도전성 입자와 상기 도전성 입자의 융점에서 경화되지 않는 폴리머를 포함하는 도전 접속제가 스퀴지에 의해 마스크의 개구부에 전사되는 단계;
(b)도전 접속제를 상기 폴리머의 경화가 완료되지 않는 온도까지 가열하여 도전성 입자로 도전층 상에 범프를 형성하는 단계; 및
(c) 상기 폴리머를 경화시킨 후, 선택적으로 제거하고, 상기 범프 상에 칩을 실장하는 단계를 포함하는 반도체 실장 방법
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제 10 항에 있어서,
상기 도전성 입자의 입경은 1nm 내지 30nm인 것을 특징으로 하는 반도체 실장 방법
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제 10 항에 있어서,
상기 도전성 입자는 금속, 비금속 및 합금으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장 방법
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13
제 12 항에 있어서,
상기 도전성 입자는 탄소 나노 튜브를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 실장 방법
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제 10 항에 있어서,
상기 폴리머는 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 광반응성 수지로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 실장 방법
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15
제 10 항에 있어서,
상기 도전 접속제는 표면활성화 수지를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 실장 방법
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16
제 10 항에 있어서,
상기 도전층은 전극 패드 또는 범프인 것을 특징으로 하는 반도체 실장 방법
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