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용융가능한 도전성 표면을 가지는 도전성 핵체와 상기 도전성 핵체의 표면에 절연층이 형성되어 있는 도전 입자를 함유하며 상기 도전 입자의 도전성 표면의 융점에서 경화가 완료하지 않는 수지 성분을 이루어진 도전 입자 함유층; 및상기 도전 입자의 도전성 표면의 융점에서 경화가 완료하지 않는 수지 성분으로 이루어져 있으며 상기 도전 입자를 함유하지 않은 도전 입자 비함유층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 다층 구조 도전성 접착제
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제 1항에 있어서, 상기 도전 입자 함유층과 도전 입자 비함유층이 교대로 적층되어 적층된 층의 수가 짝수 또는 홀수개인 것을 특징으로 하는 다층 구조 도전성 접착제
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 용융가능한 도전성 표면을 가지는 도전성 핵체가 용융가능한 금속 또는 합금으로 이루어진 입자인 것을 특징으로 하는 다층 구조 전성 접착제
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 용융가능한 도전성 표면을 가지는 도전성 핵체가 수지 입자에 용융가능한 금속 또는 합금으로 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 구조 도전성 접착제
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 용융가능한 도전성 표면을 가지는 도전성 핵체가 금속 또는 합금 입자에 용융가능한 금속 또는 합금으로 코팅되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 구조 도전성 접착제
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제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 도전성 표면의 융점에서 경화가 완료하지 않는 수지 성분이 열경화성 수지, 열가소성 수지, 광경화성 수지 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나 인 것을 특징으로 하는 다층 구조 도전성 접착제
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7
제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 도전 입자의 절연층에 절연성 미립자가 함입되어 있는 것을 특징으로 하는 다층 구조 도전성 접작체
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제 7항에 있어서, 상기 절연성 미립자의 딱딱함이 절연층의 딱딱함보다 큰 것을 특징으로 하는 다층 구조 도전성 접착제
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9
용융가능한 도전성 표면을 가지는 도전성 핵체와 상기 도전성 핵체의 표면에 절연층이 형성되어 있는 도전 입자를 함유하며 상기 도전 입자의 도전성 표면의 융점에서 경화가 완료하지 않는 수지 성분을 이루어진 도전 입자 함유층과 상기 도전 입자의 도전성 표면의 융점에서 경화가 완료하지 않는 수지 성분으로 이루어져 있으며 상기 도전 입자를 함유하지 않은 도전 입자 비함유층으로 이루어진 다층구조 도전성 접착제를 개입시켜 단자끼리 서로 대향시켜 배치하는 단자 배치 단계;상기 도전성 핵체의 도전성 표면의 융점보다 높고, 한편 상기 수지 성분의 경화가 완료하지 않는 온도까지 가열하며, 상기 도전 입자의 절연층이 파괴되는 정도로 가압하는 상기 도전성 접착제 가열·가압 단계; 및 상기 수지 성분을 경화시키는 수지 성분 경화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 단자 간의 접속 방법
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제 9항에 있어서, 상기 수지 성분이 광경화성 수지이며, 상기 도전성 접착제 가열·가압 단계에서는 광경화성 수지가 경화되지 않을 정도로 광을 차단하는 상태에서 진행하고 상기 수지 성분 경화 단계는 상기 광경화성 수지의 경화가 이루어지도록 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 단자 간 접속 방법
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11
제 9항 또는 제 10항에 있어서, 상기 다층 구조 도전성 접착제로 상기 도전 입자 함유층과 도전 입자 비함유층이 교대로 적층되어 적층된 층의 수가 짝수 또는 홀수개인 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 단자 간 접속 방법
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반도체 칩의 전극 패드와 상기 전극 패드에 대응하도록 설치된 배선 기판상의 회로 전극을 용융가능한 도전성 표면을 가지는 도전성 핵체와 상기 도전성 핵체의 표면에 절연층이 형성되어 있는 도전 입자를 함유하며 상기 도전 입자의 도전성 표면의 융점에서 경화가 완료하지 않는 수지 성분을 이루어진 도전 입자 함유층과 상기 도전 입자의 도전성 표면의 융점에서 경화가 완료하지 않는 수지 성분으로 이루어져 있으며 상기 도전 입자를 함유하지 않은 도전 입자 비함유층으로 이루어진 다층구조 도전성 접착제를 개입시켜 대향하도록 배치하는 전극 배치 단계; 상기 도전성 핵체의 도전성 표면의 융점보다 높고, 한편 상기 수지 성분의 경화가 완료하지 않는 온도까지 가열하며, 상기 도전 입자의 절연층이 파괴되는 정도로 가압하는 상기 도전성 접착제 가열·가압 단계; 및상기 수지 성분을 경화시키는 수지 성분 경화 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 실장 방법
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13
제 12항에 있어서, 상기 수지 성분이 광경화성 수지이며, 상기 도전성 접착제 가열·가압 단계에서는 광경화성 수지가 경화되지 않을 정도로 광을 차단하는 상태에서 진행하고 상기 수지 성분 경화 단계는 상기 광경화성 수지의 경화가 이루어지도록 광을 조사하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 실장 방법
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제 12항 또는 제 13항에 있어서, 상기 다층 구조 도전성 접착제로 상기 도전 입자 함유층과 도전 입자 비함유층이 교대로 적층되어 적층된 층의 수가 짝수 또는 홀수개인 것을 사용하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치의 실장 방법
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