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반도체 소자 제작이 가능한 재질로 이루어지고, 일면에 반도체 소자 형성을 위한 재료층이 적층되고, 타면에는 냉각유체를 이용한 반도체 소자의 직접 냉각이 가능하도록 상기 냉각유체가 흐르는 유동채널이 형성되어 있는 기판;상기 반도체 소자의 패키징을 위해 그 기판으로부터 이격된 위치에 배치되고, 상기 반도체 소자와 와이어링을 통해 전기적으로 연결되는 전극이 절연 가능하게 놓여지는 패키징블럭; 및상기 패키징블럭의 하측에 배치되고, 상기 기판의 유동채널과 소통되는 유로가 형성되어 있는 유로 형성부를 구비하는 히트싱크 유닛;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 직접 냉각을 위한 패키징 유닛
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제1항에 있어서,상기 기판은 실리콘을 포함하는 하나의 재질에 의해 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 직접 냉각을 위한 패키징 유닛
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제1항에 있어서,상기 기판은, 실리콘을 포함한 재질로 이루어지고, 일면에 반도체 소자 형성을 위한 재료층이 적층되는 베이스층과, 상기 베이스층의 타면에 적층되는 것으로, 냉각유체를 이용한 반도체 소자의 직접 냉각이 가능하도록 상기 냉각유체가 흐르는 유동채널이 형성되어 있는 채널층을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 직접 냉각을 위한 패키징 유닛
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제1항에 있어서,상기 유로 형성부는, 상기 냉각유체가 상기 기판의 유동채널에 유입되기까지의 유입라인과 상기 유동채널로의 유입 이후 배출되기까지의 배출라인이 서로 구획되게 형성되어서, 상기 유입라인으로 유입된 냉각유체가 상기 배출라인으로 곧바로 배출되지 않고 상기 기판의 유동채널을 경유할 수 있도록 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 소자 직접 냉각을 위한 패키징 유닛
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제4항에 있어서,상기 유로 형성부의 유입라인과 배출라인은 상기 기판의 유동채널에 대응되는 부분에 마련되는 것으로, 서로 구획된 상태로 배치되는 유동채널 대응영역을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 직접 냉각을 위한 패키징 유닛
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제5항에 있어서,상기 히트싱크 유닛은, 상기 유동채널 대응영역을 포함한 유로 형성부가 형성되어 있는 매니폴드와 상기 패키징블럭과 매니폴드 사이에 개재되는 것으로 상기 매니폴드의 유동채널 대응영역을 제외한 나머지 유입라인과 배출라인을 폐쇄시키는 커버부재;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 직접 냉각을 위한 패키징 유닛
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제1항에 있어서,상기 재료층은 질화갈륨(GaN)을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 직접 냉각을 위한 패키징 유닛
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제1항에 있어서,상기 유동채널은 음각 패턴 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 직접 냉각을 위한 패키징 유닛
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제1항에 있어서,상기 기판과 히트싱크 유닛의 일영역에, 각각 본딩 결합을 위해 금속 재질로 코팅 형성되는 금속 코팅층;을 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 직접 냉각을 위한 패키징 유닛
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제6항에 있어서, 상기 히트싱크 유닛과 패키징 블럭은 3D 프린팅 방식에 의해 일체로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 직접 냉각을 위한 패키징 유닛
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실리콘을 포함한 재질로 이루어지는 기판의 일면에 반도체 소자 형성을 위한 재료층을 적층시키는 준비 단계;상기 재료층에 반도체 공정을 수행하여 반도체 소자를 형성시키는 소자형성 단계;상기 기판의 타면에 냉각유체를 이용한 반도체 소자의 직접 냉각이 가능하도록 상기 냉각유체가 흐르는 유동채널을 형성시키는 채널형성 단계;상기 반도체 소자의 패키징을 위해 그 기판으로부터 이격된 위치에 패키징블럭을 배치시키고, 그 패키징블럭에 놓여진 전극과 반도체 소자를 전기적으로 연결시키는 와이어링 단계; 및상기 패키징블럭의 하측에, 상기 기판의 유동채널과 소통되는 유로가 형성되어 있는 유로 형성부를 구비하는 히트싱크 유닛을 배치하고, 기판과 히트싱크 유닛을 결합시키는 결합 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 직접 냉각을 위한 패키징 유닛 제조 방법
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제11항에 있어서,상기 히트싱크 유닛과 기판의 일영역에 각각 본딩 결합을 위한 금속 코팅을 수행하는 단계;를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 직접 냉각을 위한 패키징 유닛 제조 방법
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