| 1 |
1
기판을 준비하는 단계;고분자전해질(polyelectrolyte) 10 내지 0
|
| 2 |
2
삭제
|
| 3 |
3
제1항에 있어서, 상기 양이온성 고분자전해질은,poly(diallydimethylammonium chloride), poly(allyamine hydrochloride), polyvinyl alcohol, poly(ethylenenimine), doped polyaniline poly(acrylamide-co-diallylmethylammonium chloride) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법
|
| 4 |
4
삭제
|
| 5 |
5
삭제
|
| 6 |
6
제3항에 있어서,상기 음이온성 고분자전해질은 poly(acrylic acid) 및 그의 염(salt), poly(styrene sulfonic acid) 및 그의 염(salt), polyarmic acid 및 그의 염(salt), poly(styrene-alt-maleic acid) 및 그의 염(salt), poly(methacrylicacid) 및 그의 염(salt), poly(vinylsulfonic acid) 및 그의 염(salt), poly(anetholesulfonic acid) 및 그의 염(salt), poly(4-styrenesulfonic acid-co-maleic acid) 및 그의 염(salt) 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
제1항에 있어서, 상기 전처리 단계는,딥(dip) 코팅, 스프레이(spray) 코팅, 스핀(spin) 코팅, 솔루션 캐스팅(solution casting), 도롭핑(dropping), 롤(roll) 코팅, 그라비아 코팅, 바 코팅(bar coating) 중 적어도 하나의 방법으로 진행하는 것을 특징으로 하는 고분자전해질을 이용한 기판 전처리를 통한 탄소나노튜브 박막 제조 방법
|
| 10 |
10
제1항, 제3항, 제6항 또는 제9항의 제조 방법으로 제조된 탄소나노튜브 박막
|
