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실리콘 나노와이어 소자 제조방법
- 기술번호 : KST2014036820
- 담당센터 : 경기기술혁신센터
- 전화번호 : 031-8006-1570
| 요약 | 본 발명은 탑 다운 방식에 기초한 실리콘 나노와이어의 제조 공정을 바탕으로 양산성 있는 실리콘 나노와이 소자 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제 1 실리콘 기판의 중앙부에 실리콘 나노와이어를 제작하는 제 1 단계; 상기 기판의 실리콘 나노와이어가 형성된 일측에 접착물질을 코팅하고, 상기 접착물질의 일측에 제 2 유전체기판을 본딩하는 제 2 단계; 상기 제 1 실리콘 기판의 하부를 연마하여 중앙부의 실리콘 나노와이어 센싱부를 외부로 노출시키고, 상기 노출된 실리콘 나노와이어를 지지하고 있는 양측의 넓은 지지 구조물에 전극을 형성하는 제 3 단계; 상기 전극에 전극보호물질을 형성하는 제 4 단계; 및 상기 노출된 실리콘 나노와이어를 덮고 있는 산화막을 제거한 후 전극보호물질을 제거하는 제 5단계를 포함하는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법에 관한 것이다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 21/60 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020090133183 (2009.12.29) |
| 출원인 | 전자부품연구원, 주식회사 아이엠헬스케어 |
| 등록번호/일자 | 10-1163202-0000 (2012.06.29) |
| 공개번호/일자 | 10-2011-0076465 (2011.07.06) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20120705) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.12.29) |
| 심사청구항수 | 22 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자기술연구원 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 2 | 주식회사 아이엠헬스케어 | 대한민국 | 강원도 원주시 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 정석원 | 대한민국 | 경기도 오산 |
| 2 | 성우경 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 3 | 이민호 | 대한민국 | 서울특별시 영등포구 |
| 4 | 이국녕 | 대한민국 | 서울 성북구 |
| 5 | 이상대 | 대한민국 | 경기도 수원시 영통구 |
| 6 | 이인제 | 대한민국 | 강원도 원주시 단구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 남충우 | 대한민국 | 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소) |
| 2 | 노철호 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한국전자기술연구원 | 경기도 성남시 분당구 | |
| 2 | 주식회사 아이엠헬스케어 | 강원도 원주시 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.12.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0813528-55 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.04.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.05.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0044281-58 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.09.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0540691-58 |
| 5 | [출원인변경]권리관계변경신고서 [Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status |
2011.10.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0825127-34 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2011.11.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0916975-36 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.12.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-1020435-12 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.12.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-1020436-57 |
| 9 | [출원서등 보정]보정서 [Amendment to Patent Application, etc.] Amendment |
2012.02.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0167765-21 |
| 10 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.05.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0317558-53 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2013.04.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0013766-37 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.03.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5036461-74 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.05.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0063666-10 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2016.07.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5104854-12 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.12.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5205325-07 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.11.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5233602-85 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2020.08.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5189497-57 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 제 1 실리콘 기판의 중앙부에 실리콘 나노와이어를 제작하는 제 1 단계;상기 제 1 실리콘 기판의 실리콘 나노와이어가 형성된 일측에 접착물질을 코팅하고, 상기 접착물질의 일측에 제 2 유전체기판을 본딩하는 제 2 단계;상기 제 1 실리콘 기판의 하부를 연마하여 중앙부의 실리콘 나노와이어 센싱부를 외부로 노출시키고, 상기 노출된 실리콘 나노와이어를 지지하고 있는 양측의 넓은 지지 구조물에 전극을 형성하는 제 3 단계;상기 전극에 전극보호물질을 형성하는 제 4 단계; 및상기 노출된 실리콘 나노와이어를 덮고 있는 산화막을 제거한 후 상기 전극보호물질을 제거하는 제 5단계;를 포함하는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 2 |
2 청구항 1에 있어서,상기 제 1 단계는, 상기 제 1 실리콘 기판에 실리콘 질화막을 형성하는 제 a 단계,상기 제 1 실리콘 기판에 건식 식각공정을 통해 칼럼구조를 형성하는 제 b 단계,상기 칼럼구조가 형성된 실리콘 기판에 비등방성 습식 식각공정을 통해 지지 구조물 및 나노와이어 형성을 위한 역삼각형의 실리콘 구조물을 형성하는 제 c 단계,상기 실리콘 기판에 열산화막 형성공정을 통해 실리콘 나노와이어를 형성하는 제 d 단계를 포함하는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 3 |
3 청구항 2에 있어서,상기 제 b 단계에서 상기 건식 식각은 DRIE(Deep reactive ion etching) 공정인 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 4 |
4 청구항 2에 있어서,상기 c 단계에서 있어서 비등방성 식각 용액은 수산화칼륨(KOH)를 포함하는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 5 |
5 청구항 1에 있어서,상기 제 2 유전체기판은 실리콘, 유리, 수정, 폴리머 중 적어도 하나인 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 6 |
6 청구항 1에 있어서,상기 접착물질은 상온에서 고체상태를 유지하고 열을 가하면 접착성이 발생하는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 7 |
7 청구항 6에 있어서,상기 접착물질은 벤조시클로부텐(BCB)인 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 8 |
8 청구항 1에 있어서,상기 접착물질은 스핀 코팅되는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 9 |
9 삭제 |
| 10 |
10 청구항 1에 있어서,상기 제 2 유전체 기판이 유리 기판인 경우 제 1 실리콘 기판과 본딩시 상기 접착물질을 이용하지 않고 anodic bonding 공정을 이용하여 본딩하는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 11 |
11 청구항 1에 있어서,상기 제 2 유전체 기판이 실리콘 산화막이 형성된 실리콘 기판인 경우 제 1 실리콘 기판과 본딩시 상기 접착물질을 이용하지 않고 SDB(silicon direct boonding) 공정을 이용하여 본딩하는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 12 |
12 청구항 1에 있어서,상기 제 5 단계에서 상기 산화막은 BOE(Buffered oxide etch)용액을 이용한 습식식각법을 이용하여, 상기 실리콘 나노와이어를 덮고 있는 실리콘 산화막을 선택적으로 식각하는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 13 |
13 제 1 실리콘 기판의 중앙부에 실리콘 나노와이어를 제작하는 제 1 단계;상기 제 1 실리콘 기판의 실리콘 나노와이어가 형성된 일측에 접착물질을 코팅하고, 상기 접착물질의 일측에 제 2 유전체기판을 본딩하는 제 2 단계;상기 제 1 실리콘 기판의 일측에 전극을 형성하는 제 3 단계;상기 제 1 실리콘 기판의 상기 전극이 형성된 면에 포토레지스트를 코팅하고 패터닝하는 제 4 단계;상기 포토레지스트 패터닝 공정을 통해 드러난 제 1 실리콘 기판을 건식 식각공정을 이용하여 제 1 실리콘 기판의 중앙부에 형성된 실리콘 나노와이어를 덮고 있는 열산화막이 드러나도록 식각하는 제 5 단계; 및상기 드러난 열산화막을 제거한 후 상기 포토레지스트층을 제거하는 제 6단계를 포함하는 실리콘 나노와이어 소자 제조 방법 |
| 14 |
14 청구항 13에 있어서,상기 제 1 단계는, 상기 제 1 실리콘 기판에 실리콘 질화막을 형성하는 제 a 단계,상기 제 1 실리콘 기판에 건식 식각공정을 통해 칼럼구조를 형성하는 제 b 단계,상기 칼럼구조가 형성된 실리콘 기판에 비등방성 습식 식각공정을 통해 지지 구조물 및 나노와이어 형성을 위한 역삼각형의 실리콘 구조물을 형성하는 제 c 단계,상기 실리콘 기판에 열산화막 형성공정을 통해 실리콘 나노와이어를 형성하는 제 d 단계를 포함하는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 15 |
15 청구항 14에 있어서,상기 제 b 단계에서 상기 건식 식각은 DRIE(Deep reactive ion etching) 공정인 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 16 |
16 청구항 14에 있어서,상기 c 단계에서 있어서 비등방성 식각 용액은 수산화칼륨(KOH)를 포함하는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 17 |
17 청구항 13에 있어서,상기 제 2 유전체기판은 실리콘, 유리, 수정, 폴리머 중 적어도 하나인 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 18 |
18 청구항 13에 있어서,상기 접착물질은 상온에서 고체상태를 유지하고 열을 가하면 접착성이 발생하는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 19 |
19 청구항 18에 있어서,상기 접착물질은 벤조시클로부텐(BCB)인 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 20 |
20 청구항 13에 있어서,상기 접착물질은 스핀 코팅되는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 21 |
21 삭제 |
| 22 |
22 청구항 13에 있어서,상기 제 2 유전체 기판이 유리 기판인 경우 제 1 실리콘 기판과 본딩시 상기 접착물질을 이용하지 않고 anodic bonding 공정을 이용하여 본딩하는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 23 |
23 청구항 13에 있어서,상기 제 2 유전체 기판이 실리콘 산화막이 형성된 실리콘 기판인 경우 제 1 실리콘 기판과 본딩시 상기 접착물질을 이용하지 않고 SDB(silicon direct boonding) 공정을 이용하여 본딩하는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 24 |
24 청구항 13에 있어서,상기 제 6 단계에서 상기 산화막은 BOE(Buffered oxide etch)용액을 이용한 습식식각법을 이용하여, 상기 실리콘 나노와이어를 덮고 있는 실리콘 산화막을 선택적으로 식각하는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 전자부품연구원 | 전략기술개발사업 | Al 기반의 u-Health 센서 및 계측 기술 개발 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1163202-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20091229 출원 번호 : 1020090133183 공고 연월일 : 20120705 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120531 청구범위의 항수 : 22 유별 : B82B 3/00 발명의 명칭 : 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구... |
| 1 |
(권리자) 주식회사 아이엠헬스케어 강원도 원주시 ... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 451,500 원 | 2012년 07월 02일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 366,800 원 | 2015년 01월 09일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 366,800 원 | 2015년 12월 24일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 366,800 원 | 2017년 05월 12일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 468,000 원 | 2018년 04월 06일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 468,000 원 | 2019년 03월 13일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 468,000 원 | 2020년 05월 04일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.12.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0813528-55 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.04.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2011.05.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0044281-58 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2011.09.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0540691-58 |
| 5 | [출원인변경]권리관계변경신고서 | 2011.10.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0825127-34 |
| 6 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2011.11.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0916975-36 |
| 7 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.12.21 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-1020435-12 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.12.21 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-1020436-57 |
| 9 | [출원서등 보정]보정서 | 2012.02.29 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0167765-21 |
| 10 | 등록결정서 | 2012.05.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0317558-53 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2013.04.17 | 수리 (Accepted) | 4-1-2013-0013766-37 |
| 12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.03.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5036461-74 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.05.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-0063666-10 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2016.07.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2016-5104854-12 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.12.14 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5205325-07 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.11.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5233602-85 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2020.08.24 | 수리 (Accepted) | 4-1-2020-5189497-57 |
| 기술번호 | KST2014036820 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한국전자기술연구원 |
| 기술명 | 실리콘 나노와이어 소자 제조방법 |
| 기술개요 |
본 발명은 탑 다운 방식에 기초한 실리콘 나노와이어의 제조 공정을 바탕으로 양산성 있는 실리콘 나노와이 소자 제조 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제 1 실리콘 기판의 중앙부에 실리콘 나노와이어를 제작하는 제 1 단계; 상기 기판의 실리콘 나노와이어가 형성된 일측에 접착물질을 코팅하고, 상기 접착물질의 일측에 제 2 유전체기판을 본딩하는 제 2 단계; 상기 제 1 실리콘 기판의 하부를 연마하여 중앙부의 실리콘 나노와이어 센싱부를 외부로 노출시키고, 상기 노출된 실리콘 나노와이어를 지지하고 있는 양측의 넓은 지지 구조물에 전극을 형성하는 제 3 단계; 상기 전극에 전극보호물질을 형성하는 제 4 단계; 및 상기 노출된 실리콘 나노와이어를 덮고 있는 산화막을 제거한 후 전극보호물질을 제거하는 제 5단계를 포함하는 실리콘 나노와이어 소자 제조방법에 관한 것이다. |
| 개발상태 | 기술개발완료 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 실리콘 나노와이어 소자 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1415097043 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10032112 |
| 연구과제명 | AI기반의u-Health센서및계측기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 전자부품연구원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200812~201309 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415097043 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10032112 |
| 연구과제명 | AI기반의u-Health센서및계측기술개발 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 전자부품연구원 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200812~201309 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
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