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식별키 생성 장치 및 방법

  • 기술번호 : KST2014039483
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 제조 공정에서 제공되는 디자인 룰을 의도적으로 위반하여, 회로를 구성하는 노드 간의 단락여부가 확률적으로 결정될 수 있도록 함으로써 식별키를 생성하는 식별키 생성 장치가 제공된다. 상기 식별키 생성 장치는, 반도체 칩 내의 전도성 레이어 사이를(between conductive layers) 전기적으로 연결하기 위한 콘택(contact) 또는 비아(via)가 상기 전도성 레이어를 단락 하는지의 여부를 이용하여 식별키를 생성하는 식별키 생성부, 및 상기 비아가 상기 전도성 레이어를 단락 하는지의 여부를 독출하여 상기 식별키를 독출하는 식별키 독출부를 포함할 수 있다.
Int. CL G06F 21/73 (2013.01.01)
CPC
출원번호/일자 1020100125633 (2010.12.09)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1139630-0000 (2012.04.17)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120530) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020120028432;
심사청구여부/일자 Y (2010.12.09)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동규 대한민국 서울특별시 동대문구
2 최병덕 대한민국 서울특별시 강동구
3 김태욱 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 아이씨티케이 홀딩스 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0812315-83
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.08.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0070058-37
4 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.11.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0884183-08
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0756402-35
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0132682-21
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0226314-72
8 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2012.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0226117-84
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0226315-17
10 등록결정서
Decision to grant
2012.04.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0205508-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반도체의 전도성 레이어들 사이에 형성되며, 상기 반도체 제조 공정상 규정된 디자인 룰을 벗어나는 규격으로 디자인되어 제조된 콘택 또는 비아(via)에 의해 상기 전도성 레이어들 사이가 단락되는지의 여부를 이용하여 식별키를 생성하는 식별키 생성부; 및상기 전도성 레이어들 사이가 단락되는지의 여부를 독출하여 상기 식별키를 독출하는 식별키 독출부를 포함하는, 식별키 생성 장치
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 전도성 레이어들 사이에 형성되는 상기 콘택 또는 비아(via)는, 상기 반도체 제조 공정상 규정된 디자인 룰에 따른 사이즈 보다 작도록 구성되는, 식별키 생성 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 식별키 생성부는, 상기 전도성 레이어들 사이에 형성되는 상기 콘택 또는 비아(via)의 사이즈는, 상기 콘택 또는 비아(via)에 의해 상기 전도성 레이어들이 단락되는 확률과 단락되지 않는 확률의 차이가 소정의 오차 범위 내에 있도록 하는 사이즈를 갖는, 식별키 생성 장치
6 6
제1항에 있어서,상기 식별키 생성부는, 한 쌍의 전도성 레이어와 그 사이를 연결하는 하나의 콘택 또는 비아를 이용하여 1 비트의 디지털 값을 생성하는 단위 구조를 N 개 가져서 - 단, N은 자연수임 -, 상기 N 개의 단위 구조를 통해 N 비트의 식별키를 생성하는, 식별키 생성 장치
7 7
제6항에 있어서,상기 식별키 독출부가 독출한 N 비트의 디지털 값을 입력 받아, 상기 N 비트의 디지털 값들을 k 개 단위로 그룹핑 하고 - 단, k는 자연수임 -, 그룹핑된 복수 개의 그룹들 중 제1 그룹 및 제2 그룹을 비교하여, 상기 제1 그룹에 포함된 k개의 디지털 비트로 구성된 값이 상기 제2 그룹에 포함된 k개의 디지털 비트로 구성된 값보다 큰 경우에 상기 제1 그룹과 상기 제2 그룹을 대표하는 디지털 값을 1로 결정하여 상기 식별키를 처리하는, 식별키 처리부를 더 포함하는, 식별키 생성 장치
8 8
제7항에 있어서,상기 식별키 처리부는,상기 제1 그룹에 포함된 k개의 디지털 비트로 구성된 값이 상기 제2 그룹에 포함된 k개의 디지털 비트로 구성된 값이 같은 경우, 설정에 따라 선택적으로, 상기 제1 그룹과 상기 제2 그룹의 대표하는 디지털 값을 1 또는 0 중 어느 한 쪽으로 결정하거나 또는 상기 제1 그룹과 상기 제2 그룹의 대표하는 디지털 값을 결정하지 않는, 식별키 생성 장치
9 9
반도체 전도성 레이어들 사이의 간격(spacing)이 상기 반도체 제조 공정상 규정된 디자인 룰에 따른 간격의 범위를 벗어나게 디자인되어, 상기 반도체 전도성 레이어들 사이가 단락되는 확률과 단락되지 않는 확률의 차이가 소정의 오차 범위 내에 있도록 구성되어 상기 반도체 전도성 레이어들 사이가 단락 되는지의 여부를 이용하여 식별키를 생성하는 식별키 생성부; 및상기 전도성 레이어들 사이가 단락 되는지의 여부를 독출하여 상기 식별키를 독출하는 식별키 독출부를 포함하는, 식별키 생성 장치
10 10
삭제
11 11
제9항에 있어서,상기 식별키 생성부는, 동일한 간격을 갖는 전도성 레이어 쌍을 N 개 갖고 - 단, N은 자연수임 -, 상기 N 개의 전도성 레이어 쌍이 각각이 단락되는 지의 여부에 따라 1 비트의 디지털 값을 생성하여, 상기 N 개의 전도성 레이어 쌍이 N 비트의 식별키를 생성하는, 식별키 생성 장치
12 12
제11항에 있어서,상기 식별키 독출부가 독출한 N 비트의 디지털 값을 입력 받아, 상기 N 비트의 디지털 값들을 k 개 단위로 그룹핑 하고 - 단, k는 자연수임 -, 그룹핑된 복수 개의 그룹들 중 제1 그룹 및 제2 그룹을 비교하여, 상기 제1 그룹에 포함된 k개의 디지털 비트로 구성된 값이 상기 제2 그룹에 포함된 k개의 디지털 비트로 구성된 값보다 큰 경우에 상기 제1 그룹과 상기 제2 그룹을 대표하는 디지털 값을 1로 결정하여 상기 식별키를 처리하는, 식별키 처리부를 더 포함하는, 식별키 생성 장치
13 13
제12항에 있어서,상기 식별키 처리부는,상기 제1 그룹에 포함된 k개의 디지털 비트로 구성된 값이 상기 제2 그룹에 포함된 k개의 디지털 비트로 구성된 값이 같은 경우, 설정에 따라 선택적으로, 상기 제1 그룹과 상기 제2 그룹의 대표하는 디지털 값을 1 또는 0 중 어느 한 쪽으로 결정하거나 또는 상기 제1 그룹과 상기 제2 그룹의 대표하는 디지털 값을 결정하지 않는, 식별키 생성 장치
14 14
반도체의 전도성 레이어, 및 상기 전도성 레이어들 사이에 형성되며 상기 반도체 제조 공정상 규정된 디자인 룰을 벗어나는 규격으로 디자인되어 제조된 콘택 또는 비아(via)를 포함하는 식별키 생성부가, 상기 콘택 또는 비아에 의해 상기 전도성 레이어들 사이가 단락되는지의 여부를 이용하여 식별키를 생성하는 식별키 생성 단계; 및식별키 독출부가, 상기 전도성 레이어들 사이가 단락되는지의 여부를 독출하여 상기 식별키를 독출하는 식별키 독출 단계를 포함하는, 식별키 생성 방법
15 15
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16 16
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17 17
제14항에 있어서,상기 전도성 레이어들 사이에 형성되는 상기 콘택 또는 비아(via)는, 상기 반도체 제조 공정상 규정된 디자인 룰에 따른 사이즈 보다 작도록 구성되는, 식별키 생성 방법
18 18
제14항에 있어서,상기 전도성 레이어들 사이에 형성되는 상기 콘택 또는 비아(via)의 사이즈는, 상기 콘택 또는 비아(via)에 의해 상기 전도성 레이어들이 단락되는 확률과 단락되지 않는 확률의 차이가 소정의 오차 범위 내에 있도록 하는 사이즈를 갖는, 식별키 생성 방법
19 19
제14항에 있어서,상기 식별키 생성부는, 한 쌍의 전도성 레이어와 그 사이를 연결하는 하나의 콘택 또는 비아를 이용하여 1 비트의 디지털 값을 생성하는 단위 구조를 N 개 가지고 - 단, N은 자연수임 -,상기 식별키 생성 단계는, 상기 N 개의 단위 구조를 통해 N 비트의 식별키를 생성하는, 식별키 생성 방법
20 20
제19항에 있어서,식별키 처리부가, 상기 식별키 독출 단계에서 독출된 N 비트의 디지털 값을 입력 받아, 상기 N 비트의 디지털 값들을 k 개 단위로 그룹핑 하고 - 단, k는 자연수임 -, 그룹핑된 복수 개의 그룹들 중 제1 그룹 및 제2 그룹을 비교하여, 상기 제1 그룹에 포함된 k개의 디지털 비트로 구성된 값이 상기 제2 그룹에 포함된 k개의 디지털 비트로 구성된 값보다 큰 경우에 상기 제1 그룹과 상기 제2 그룹을 대표하는 디지털 값을 1로 결정하여 상기 식별키를 처리하는, 식별키 처리 단계를 더 포함하는, 식별키 생성 방법
21 21
제20항에 있어서,상기 식별키 처리 단계는,상기 제1 그룹에 포함된 k개의 디지털 비트로 구성된 값이 상기 제2 그룹에 포함된 k개의 디지털 비트로 구성된 값이 같은 경우, 설정에 따라 선택적으로, 상기 제1 그룹과 상기 제2 그룹의 대표하는 디지털 값을 1 또는 0 중 어느 한 쪽으로 결정하거나 또는 상기 제1 그룹과 상기 제2 그룹의 대표하는 디지털 값을 결정하지 않는, 식별키 생성 방법
22 22
반도체 전도성 레이어들 사이의 간격(spacing)이 상기 반도체 제조 공정상 규정된 디자인 룰에 따른 간격의 범위를 벗어나게 디자인되어, 상기 반도체 전도성 레이어들 사이가 단락되는 확률과 단락되지 않는 확률의 차이가 소정의 오차 범위 내에 있도록 구성된 식별키 생성부가, 상기 반도체 전도성 레이어들 사이가 단락 되는지의 여부를 이용하여 식별키를 생성하는 식별키 생성 단계; 및식별키 독출부가, 상기 전도성 레이어들 사이가 단락 되는지의 여부를 독출하여 상기 식별키를 독출하는 식별키 독출 단계를 포함하는, 식별키 생성 방법
23 23
삭제
24 24
제22항에 있어서,상기 식별키 생성부는, 동일한 간격을 갖는 전도성 레이어 쌍을 N 개 가지고 - 단, N은 자연수임 -,상기 식별키 생성 단계는 상기 N 개의 전도성 레이어 쌍 각각의 단락 여부에 따라 1 비트의 디지털 값을 생성하여, 상기 N 개의 전도성 레이어 쌍이 N 비트의 식별키를 생성하는, 식별키 생성 방법
25 25
제24항에 있어서,식별키 처리부가, 상기 식별키 독출 단계에서 독출된 N 비트의 디지털 값을 입력 받아, 상기 N 비트의 디지털 값들을 k 개 단위로 그룹핑 하고 - 단, k는 자연수임 -, 그룹핑된 복수 개의 그룹들 중 제1 그룹 및 제2 그룹을 비교하여, 상기 제1 그룹에 포함된 k개의 디지털 비트로 구성된 값이 상기 제2 그룹에 포함된 k개의 디지털 비트로 구성된 값보다 큰 경우에 상기 제1 그룹과 상기 제2 그룹을 대표하는 디지털 값을 1로 결정하여 상기 식별키를 처리하는, 식별키 처리 단계를 더 포함하는, 식별키 생성 방법
26 26
제25항에 있어서,상기 식별키 처리 단계는,상기 제1 그룹에 포함된 k개의 디지털 비트로 구성된 값이 상기 제2 그룹에 포함된 k개의 디지털 비트로 구성된 값이 같은 경우, 설정에 따라 선택적으로, 상기 제1 그룹과 상기 제2 그룹의 대표하는 디지털 값을 1 또는 0 중 어느 한 쪽으로 결정하거나 또는 상기 제1 그룹과 상기 제2 그룹의 대표하는 디지털 값을 결정하지 않는, 식별키 생성 방법
27 27
제14항, 제17항 내지 제22항, 또는 제24항 내지 제26항 중 어느 한 항의 식별키 생성 방법을 수행하는 프로그램을 수록한 컴퓨터 판독 가능 기록 매체
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103443801 CN 중국 FAMILY
2 CN106056003 CN 중국 FAMILY
3 EP02650813 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 EP02650813 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
5 EP02650813 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
6 EP03518457 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
7 EP03518457 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
8 JP06220818 JP 일본 FAMILY
9 JP26504403 JP 일본 FAMILY
10 JP27201884 JP 일본 FAMILY
11 JP29208843 JP 일본 FAMILY
12 KR101663341 KR 대한민국 FAMILY
13 TW201438449 TW 대만 FAMILY
14 TW201644227 TW 대만 FAMILY
15 TWI547133 TW 대만 FAMILY
16 US09292710 US 미국 FAMILY
17 US10235540 US 미국 FAMILY
18 US10769309 US 미국 FAMILY
19 US20130101114 US 미국 FAMILY
20 US20160154979 US 미국 FAMILY
21 US20190171850 US 미국 FAMILY
22 WO2012077856 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103443801 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103443801 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 CN106056003 CN 중국 DOCDBFAMILY
4 EP2650813 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP2650813 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 EP2650813 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
7 EP2650813 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
8 EP3518457 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
9 EP3518457 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
10 ES2707862 ES 스페인 DOCDBFAMILY
11 JP2014504403 JP 일본 DOCDBFAMILY
12 JP2015201884 JP 일본 DOCDBFAMILY
13 JP2017208843 JP 일본 DOCDBFAMILY
14 JP6220818 JP 일본 DOCDBFAMILY
15 TW201225614 TW 대만 DOCDBFAMILY
16 TW201438449 TW 대만 DOCDBFAMILY
17 TW201644227 TW 대만 DOCDBFAMILY
18 TWI440352 TW 대만 DOCDBFAMILY
19 TWI547133 TW 대만 DOCDBFAMILY
20 TWI652930 TW 대만 DOCDBFAMILY
21 US10235540 US 미국 DOCDBFAMILY
22 US2013101114 US 미국 DOCDBFAMILY
23 US2016154979 US 미국 DOCDBFAMILY
24 US2019171850 US 미국 DOCDBFAMILY
25 US9292710 US 미국 DOCDBFAMILY
26 WO2012077856 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.