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용매에 나노은입자가 분산되는 콜로이드 서스펜션(colloidal suspension)과 나노구조 어레이가 제작될 기판을 준비하는 준비단계;상기 기판 위에 상기 콜로이드 서스펜션을 코팅하는 코팅단계;상기 콜로이드 서스펜션에 포함되는 나노은입자가 덩어리를 형성하고 용매가 증발하여 서로 격리된 나노은섬(nanosilver islands)을 형성하도록 열처리하는 열처리단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 국소표면플라즈몬공명 현상의 유도를 위한 나노구조 어레이 제작방법
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제1항에 있어서,상기 콜로이드 서스펜션의 상기 나노은입자는 무극성용매에 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 국소표면플라즈몬공명 현상의 유도를 위한 나노구조 어레이 제작방법
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제1항에 있어서,상기 나노은입자는 직경이 20~40㎚인 것을 특징으로 하는 국소표면플라즈몬공명 현상의 유도를 위한 나노구조 어레이 제작방법
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제1항에 있어서,상기 코팅단계는 상기 콜로이드 서스펜션이 스핀코팅(spin-coating) 되는 것을 특징으로 하는 국소표면플라즈몬공명 현상의 유도를 위한 나노구조 어레이 제작방법
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제1항에 있어서,상기 열처리단계는,상기 기판상에 코팅되어 아직 젖어 있는 상기 콜로이드 서스펜션의 얇은 막에서 용매의 디웨팅 현상을 통해 여러 개의 콜로이드 덩어리를 형성하도록 150~200℃에서 열처리하는 디웨팅 단계;상기 디웨팅 단계를 수행한 후 상기 콜로이드 서스펜션의 용매가 증발하고, 나노은입자가 소결되면서 격리되는 동시에 성장해가며 표면에너지가 낮은 상태인 나노은섬을 형성하도록 200~250℃에서 열처리하는 성장단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 국소표면플라즈몬공명 현상의 유도를 위한 나노구조 어레이 제작방법
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제1항에 있어서,상기 열처리단계는 퍼니스(furnace)의 질소분위기에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 국소표면플라즈몬공명 현상의 유도를 위한 나노구조 어레이 제작방법
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제1항에 있어서,상기 열처리단계를 수행한 후 상기 나노은섬 위에 광발광(photoluminescence)층을 증착하는 발광물질 도포단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 국소표면플라즈몬공명 현상의 유도를 위한 나노구조 어레이 제작방법
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제1항에 있어서,상기 열처리단계를 수행한 후 상기 나노은섬 위에 이산화규소(SiO2) 박막층을 증착하는 스페이서(spacer) 형성단계를 수행하고,상기 이산화규소 박막층 위에 광발광(photoluminescence)층을 증착하는 발광물질 도포단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 국소표면플라즈몬공명 현상의 유도를 위한 나노구조 어레이 제작방법
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