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하기 일반식 1~3으로 표시되는 규소 화합물들을 출발 물질로 하여 산 또는 염기 촉매의 존재 하에 축합반응을 거침으로써 제조되며, 불화된, 직쇄 또는 측쇄 알킬기, 페닐기, 페닐알콕시기 또는 아민기를 가지는 것을 특징으로 하는 패턴 복제용 몰드 제조용 불화 유기규소 화합물:<일반식 1>(OR1)nSi-R2m <일반식 2>(OR1)pSi-(X-R3)qR4r<일반식 3>(OH)2Si-(R5)2상기에서,R1은 수소원자 또는 탄소수가 1~15인 직쇄 또는 측쇄 알킬기이고, R2는 탄소수가 1~15인, 불화된, 직쇄 또는 측쇄 알킬기, 페닐기, 페닐알콕시기 또는 아민기이고,n은 1~3의 자연수, m은 1~3의 자연수이며, n+m=4이고,X는 탄소수가 1~6인 탄소 사슬이고, R3은 비닐기, 글리시독시기, 아크릴옥시기, 메타크릴기, 탄소수가 2~8개인 직쇄 또는 측쇄 알킬기 또는 탄소수가 2~8개인 불화된 직쇄 또는 측쇄 알킬기이고,R4는 탄소수가 1~6개인 직쇄 또는 측쇄 알킬기이고,p는 1~3의 자연수, q는 1~3의 자연수, r는 0~2의 정수이며, p+q+r=4이고,R5는 수소원자, 탄소수가 1~10개인 직쇄 또는 측쇄 알킬기, 페닐기, 페닐알콕시기, 아민기, 비닐기, 글리시독시기, 아크릴옥시기, 메타크릴기 또는 탄소수가 4~8개인, 불화된 직쇄 또는 측쇄 알킬기이다
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제2항에 있어서, 상기 일반식 1에서 상기 R1은 탄소수가 1~3개인 직쇄 알킬기이고, 상기 R2는 탄소수가 3~12인, 불화된 직쇄 또는 측쇄 알킬기이며, 상기 n은 3이고, 상기 m은 1인 것을 특징으로 하는 불화 유기규소 화합물
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제2항에 있어서, 상기 일반식 2에서 상기 R1은 탄소수가 1~3개인 직쇄 알킬기이고, R3은 비닐기, 글리시독시기, 아크릴옥시기 또는 메타크릴기인 것을 특징으로 하는 불화 유기규소 화합물
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제2항에 있어서, 상기 일반식 3에서 상기 R5는 탄소수가 1~10개인 직쇄 또는 측쇄 알킬기 또는 페닐기인 것을 특징으로 하는 불화 유기규소 화합물
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제2항에 있어서, 상기 일반식 1에서, R2는, 탄소수가 3~12이고 수소원자의 40% 이상이 불화된 직쇄 또는 측쇄 알킬기인 것을 특징으로 하는 불화 유기규소 화합물
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제2항에 있어서, 상기 일반식 1의 화합물은 (OCH3)3Si-(CH2)2(CF2)8CF3, (OC2H5)3Si-(CH2)2(CF2)8CF3, (OCH3)3Si-(CH2)2(CF2)5CF3, (OC2H5)3Si-(CH2)2(CF2)5CF3, (OCH3)3Si-(CH2)2CF3 및 (OC2H5)3Si-(CH2)2CF3로 이루어진 군으로부터 선택되고, 상기 일반식 2의 화합물은 3-(트리메톡시실릴)프로필 메타크릴레이트, 3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 비닐프로필트리메톡시실란 및 디(3-아크릴옥시프로필)디메톡시실란으로 이루어진 군으로부터 선택되며, 상기 일반식 3의 화합물은 디페닐실란디올 또는 디이소부틸실란디올인 것을 특징으로 하는 불화 유기규소 화합물
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제2항에 있어서, 졸-겔법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 불화 유기규소 화합물
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제2항 내지 제8항 중 어느 한 항에 따른 불화 유기규소 화합물을 함유하는 층을 포함하며, 상기 불화 유기규소 화합물 함유층의 표면에는 마스터의 패턴이 역패터닝된 것을 특징으로 하는 패턴 복제용 유기-무기 혼성 몰드
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제9항에 있어서, 그 표면에서의 물의 접촉각이 80°이상인 것을 특징으로 하는 혼성 몰드
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나노 임프린트 공정 또는 소프트 식각 공정에 있어서, 제9항에 따른 혼성 몰드를 이용하여 마스터의 패턴을 복제하는 것을 특징으로 하는 패턴 복제 방법
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제11항에 있어서, 상기 나노 임프린트 공정에서는, 아크릴레이트 단량체 함유층의 표면에 상기 혼성 몰드를 역패터닝시킨 후, 상기 아크릴레이트 단량체를 경화시키므로써 상기 마스터의 패턴을 복제하는 것을 특징으로 하는 패턴 복제 방법
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제11항에 있어서, 상기 소프트 식각 공정에서는, 폴리디메틸실록산 전구체 함유층의 표면에 상기 혼성 몰드를 역패터닝시킨 후, 상기 폴리디메틸실록산 전구체를 경화시키므로써 상기 마스터의 패턴을 복제하는 것을 특징으로 하는 패턴 복제 방법
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