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나노입자들을 갖는 발수층 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014039964
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노입자들을 갖는 발수층 및 그 제조방법을 제공한다. 상기 발수층은 베이스층과 상기 베이스층 상에 배치된 나노입자들을 갖는다. 상기 베이스층은 표면에 상부로 갈수록 폭이 좁아지는 형태를 갖는 철부와 상기 철부에 의해 정의된 요부를 갖는 요철 패턴을 구비한다. 상기 나노입자들은 상기 요철 패턴 상에 배치된다. 이러한 발수층은 베이스층의 표면에 크기가 큰 요철 패턴과 크기가 작은 나노입자들이 형성되어, 패턴 크기가 계층 구조를 가짐에 따라 발수성이 크게 향상될 수 있다.
Int. CL B01J 2/30 (2006.01.01) C01B 32/158 (2017.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC B01J 2/30(2013.01) B01J 2/30(2013.01) B01J 2/30(2013.01) B01J 2/30(2013.01)
출원번호/일자 1020100109392 (2010.11.04)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1268270-0000 (2013.05.21)
공개번호/일자 10-2012-0047690 (2012.05.14) 문서열기
공고번호/일자 (20130531) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.04)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정우 대한민국 서울특별시 성동구
2 이휘건 대한민국 서울특별시 성동구
3 이동환 대한민국 서울특별시 성동구
4 이재승 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0721456-00
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-2012-0001959-98
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0617632-93
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1044761-77
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-1044756-48
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0282648-99
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
표면에 상부로 갈수록 폭이 좁아지는 형태를 갖는 철부와 상기 철부에 의해 정의된 요부를 갖는 요철 패턴을 구비하는 베이스층; 및상기 요철 패턴 상에 배치된 탄소나노튜브들을 포함하는 발수층
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브들은 그물구조로 형성된 발수층
6 6
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브들은 상기 요철 패턴의 표면 상에 수직으로 형성된 발수층
7 7
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브들의 표면은 소수성을 갖는 발수층
8 8
제1항에 있어서,상기 탄소나노튜브들 및 상기 요철 패턴 상에 배치된 소수성 물질층을 더 포함하는 발수층
9 9
제8항에 있어서,상기 소수성 물질층은 소수성 고분자막 또는 소수성 자기조립단분자막인 발수층
10 10
베이스층의 표면에 상부로 갈수록 폭이 좁아지는 형태를 갖는 철부와 상기 철부에 의해 정의된 요부를 갖는 요철 패턴을 형성하는 단계;상기 요철 패턴 상에 탄소나노튜브들을 형성하는 단계를 포함하는 발수층 제조방법
11 11
삭제
12 12
제10항에 있어서,상기 탄소나노튜브들은 그물구조로 형성하는 발수층 제조방법
13 13
제10항에 있어서,상기 탄소나노튜브들은 상기 요철 패턴의 표면 상에 수직으로 형성하는 발수층 제조방법
14 14
제10항에 있어서,상기 탄소나노튜브들의 표면을 소수성으로 개질하는 단계를 더 포함하는 발수층 제조방법
15 15
제14항에 있어서,상기 탄소나노튜브들의 표면을 소수성으로 개질하는 것은 상기 탄소나노튜브들을 열처리하거나 상기 탄소나노튜브들에 전압을 인가하여 수행하는 발수층 제조방법
16 16
제10항에 있어서,상기 탄소나노튜브들을 열처리하거나 상기 탄소나노튜브들에 전압을 인가하는 단계를 더 포함하는 발수층 제조방법
17 17
제10항에 있어서,상기 탄소나노튜브들 및 상기 요철 패턴 상에 소수성 물질층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발수층 제조방법
18 18
제17항 있어서,상기 소수성 물질층은 소수성 고분자막 또는 소수성 자기조립단분자막인 발수층 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.