맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

정보저장용 금속 및 산화물 나노입자 제조 - HDD용 소재 -

  • 기술번호 : KST2014065526
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 복수 차에 걸쳐 증착 및 열처리를 수행함에 따라서, 상대적으로 구분된 상태의 나노입자의 평균 크기의 증가를 조절할 수 있고, 보자력을 상대적으로 증가시킬 수 있는 코발트 피티 나노입자 형성방법을 제공한다.본 발명의 코발트 피티 나노입자 형성방법은 기판(10) 위에 폴리이미드로 이루어진 절연체전구체 층(20)을 형성하고, 상기 절연체전구체 층(20) 위에 코발트(Co)와 피티(Pt)를 배치하여 미리 정한 두께의 코발트 피티 박막(CoPt film)을 증착하고, 상기 코발트 피티 박막과 상기 절연체전구체 층(20)을 미리 정한 열처리 온도로 열처리하여 상기 절연체전구체 층(20) 위에 코발트 피티(CoPt) 나노입자를 형성하고, 상기 코발트 피티 나노입자와 상기 절연체전구체 층(20)에게 복수 차에 걸쳐 증착 및 열처리를 수행하여, 증착 및 열처리 사이클 차수에 대응하게 나노입자 평균 크기를 증가시켜 성장된 코발트 피티 나노입자(30)를 형성한다.코발트 피티, 나노입자, 절연체전구체, 증착, 열처리
Int. CL C01G 51/00 (2006.01.01) B82Y 30/00 (2017.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC C01G 51/00(2013.01) C01G 51/00(2013.01) C01G 51/00(2013.01) C01G 51/00(2013.01)
출원번호/일자 1020070045427 (2007.05.10)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0849418-0000 (2008.07.24)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080801) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.05.10)
심사청구항수 6

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 윤종승 대한민국 서울 서대문구
2 김영호 대한민국 서울 송파구
3 김정훈 대한민국 서울 동작구
4 김전 대한민국 서울 마포구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전익수 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **층 (역삼동, 우신빌딩)(서정특허법률사무소)
2 김병옥 대한민국 서울시 강남구 테헤란로 ***, **층 (역삼동, 우신빌딩)(서정특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0347090-26
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.11 수리 (Accepted) 4-1-2008-5037763-28
3 등록결정서
Decision to grant		 2008.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0373588-97
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 이용한 코발트 피티(CoPt) 나노입자 형성방법에 있어서,(a) 상기 기판 위에 폴리이미드로 이루어진 절연체전구체 층을 형성하는 제1단계;(b) 상기 절연체전구체 층 위에 코발트(Co)와 피티(Pt)를 배치하여 미리 정한 두께의 코발트 피티 박막을 증착하는 제2단계;(c) 상기 코발트 피티 박막과 상기 절연체전구체 층을 미리 정한 열처리 온도로 열처리하여 상기 절연체전구체 층 위에 코발트 피티 나노입자를 형성하는 제3단계;(d) 상기 코발트 피티 나노입자와 상기 절연체전구체 층에게 복수 차에 걸쳐 증착 및 열처리를 수행하여, 증착 및 열처리 사이클 차수에 대응하게 나노입자 평균 크기를 증가시켜 성장된 코발트 피티 나노입자를 형성하는 제4단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 코발트 피티 나노입자 형성방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a) 제1단계에서 상기 절연체전구체는 폴리이미드(Polyimide, PI)를 반응 용매인 엔-메틸-2-피롤리디온(N-methyl-2-pyrrolidinone)에 1:3의 비율로 용해(dissolve)시킨 후, 규소(Si) 같은 금속이나 세라믹 같은 무기물 기판 위에 회전수 500rpm으로 10초(s), 그리고 3000rpm으로 30초 동안 스핀 코팅하여 형성한 것을 특징으로 하는 코발트 피티 나노입자 형성방법
3 3
제1항에 있어서,상기 (b) 제2단계에서 상기 제1단계에 의해 코팅된 절연체전구체 층 위에 코발트(Co)를 배치하고, 상기 코발트 위에 피티(Pt) 칩(chip)을 모자익(mosaic) 패턴으로 배치하여, 1
4 4
제1항에 있어서,상기 (c) 제3단계에서 진공(예 : ) 환경 하에서, 650∼800℃ 중에서 선택된 어느 하나의 열처리 온도로 열처리가 수행되어, 각각 구조를 갖는 4nm 평균 크기의 나노입자가 형성되는 것을 특징으로 하는 코발트 피티 나노입자 형성방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (d) 제4단계에서 상기 증착 및 열처리는 이미 존재하는 분리된 나노입자 위에 두께 1
6 6
제5항에 있어서,상기 (d) 제4단계에서 성장된 코발트 피티 나노입자는 복수 차에 걸친 반복적인 증착 및 열처리를 통해서 단일층으로 존재하고, 코발트와 피티가 한 원자층으로 상호 중첩되어 쌓여있는 구조를 갖고, 4nm로부터 7nm까지 증가된 나노입자의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 코발트 피티 나노입자 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.