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액상 표면 처리를 이용한 고전도성 유기 박막 및 이를 이용한 유기 태양 전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014040148
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액상 표면 처리를 이용한 고전도성 유기 박막 및 이를 이용한 고효율 유기 태양 전지(organic solar cell)의 제조 방법에 관한 것이다. 상기 유기 태양 전지는 기판, ITO(indium tin oxide) 투명 전극, 전도성 유기 박막인 PEDOT:PSS 층, P3HT:PCBM 광활성층 및 LiF/Al 전극을 포함하는 것으로, 상기 PEDOT:PSS 층을 디메틸포름아미드 (N,N-dimethylformamide, DMF) 로 액상 표면 처리하는 단계를 포함함으로써 소자의 전기적 특성 및 효율을 증가시킨다.
Int. CL H01L 51/42 (2014.01)
CPC H01L 51/424(2013.01) H01L 51/424(2013.01) H01L 51/424(2013.01)
출원번호/일자 1020100073293 (2010.07.29)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1146832-0000 (2012.05.09)
공개번호/일자 10-2012-0011479 (2012.02.08) 문서열기
공고번호/일자 (20120521) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.29)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울특별시 종로구
2 김경민 대한민국 부산광역시 부산진구
3 이근우 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 진수정 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
3 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
4 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0491013-14
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0625285-40
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1038920-10
5 등록결정서
Decision to grant
2012.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0250840-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판 위에 전도성 유기 박막을 형성하는 단계 및 상기 전도성 유기 박막의 표면을 표면 처리하는 단계를 포함하고,상기 전도성 유기 박막은 PEDOT:PSS 층이고, 디메틸포름아미드 용액을 이용하여 PEDOT:PSS 층 표면을 표면 처리하는 것을 특징으로 하는 전도성 유기 박막의 제조 방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 표면 처리 단계에서, PEDOT:PSS 층에 디메틸포름아미드를 스핀 코팅한 후 베이킹 하는 것을 특징으로 하는 전도성 유기 박막의 제조 방법
4 4
제 2항에 있어서,상기 표면 처리 단계에서, PEDOT:PSS 층에 디메틸포름아미드를 드롭 코팅한 후 베이킹 하는 것을 특징으로 하는 전도성 유기 박막의 제조 방법
5 5
제 2항에 있어서,상기 기판 위에 전도성 유기 박막을 형성하는 단계는,상기 기판 위에 PEDOT:PSS를 스핀 코팅한 후, 스핀 코팅된 PEDOT:PSS를 베이킹하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전도성 유기 박막의 제조 방법
6 6
제 5항에 있어서,상기 스핀 코팅 단계와 베이킹 단계가 교대로 2회 이상 반복되는 다중 스핀 코팅법을 이용하여 PEDOT:PSS 층을 형성하는 것을 특징으로 하는 전도성 유기 박막의 제조 방법
7 7
기판 상에 PEDOT:PSS 층을 형성하는 단계;상기 PEDOT:PSS 층에 디메틸포름아미드를 이용하여 액상 표면 처리하는 단계; 및상기 액상 표면 처리된 PEDOT:PSS 층 상에 광활성층 및 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
8 8
제 7항에 있어서,상기 PEDOT:PSS 층은 p형이고, 상기 광활성층은 빛에 의해 전자-정공 쌍을 형성하는 고분자 물질의 혼합물인 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 고분자 광활성층은 P3HT와 PCBM의 혼합 용액으로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
10 10
제 7항에 있어서,상기 전극은 열증발기를 이용하여 LiF와 Al을 연속으로 증착하여 형성하는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
11 11
제 7항에 있어서,전극을 형성한 후 후열 처리를 실시하는 단계를 포함하는 전자 소자의 제조 방법
12 12
제 7항에 있어서,상기 기판은 상면에 투명전극층이 코팅된 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
13 13
제 12항에 있어서,상기 기판에 코팅된 투명전극층을 직사각형 모양으로 패턴하는 것을 특징으로 하는 전자 소자의 제조 방법
14 14
표면이 디메틸포름아미드로 액상 표면 처리된 PEDOT:PSS 층을 전도성 유기 박막으로 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
15 15
제 14항에 있어서,상기 액상 표면 처리된 PEDOT:PSS 층은 정공 주입층, 전극층 및 채널층 중 어느 하나로 사용되는 것을 특징으로 하는 전자 소자
16 16
제 14항에 있어서,상기 전자 소자는 액상 표면 처리된 PEDOT:PSS 층을 광활성층과 전극 사이에 포함하는 유기 태양 전지인 것을 특징으로 하는 전자 소자
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