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졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014009213
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법에 관한 것으로, 다공성 나노 구조체를 갖는 기판을 마련하여 표면 처리하는 단계와, 상기 다공성 나노 구조체의 내부에 산화화합물 졸을 주입하는 단계와, 열처리 공정을 통해 상기 산화화합물 졸을 건조 및 가열하여 산화화합물 겔로 변화시켜 상기 다공성 나노 구조체의 내부에 산화물 나노 구조체를 형성하는 단계와, 상기 다공성 나노 구조체와 산화물 나노 구조체를 분리하는 단계를 포함함으로써, 대량 생산이 가능하고, 다공성 나노 구조체의 크기를 조절하여 산화물 나노 구조체의 크기를 쉽게 조절할 수 있으며, 주입하는 용액의 종류와 조성을 쉽게 바꿀 수 있는 효과가 있다.졸-겔 공정, 다공성 틀, 다공성 나노 구조체, 산화물 나노 구조체, 표면처리
Int. CL B82Y 40/00 (2011.01) B82B 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C01B 13/14(2013.01) C01B 13/14(2013.01) C01B 13/14(2013.01) C01B 13/14(2013.01)
출원번호/일자 1020090009903 (2009.02.06)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1145001-0000 (2012.05.03)
공개번호/일자 10-2010-0090556 (2010.08.16) 문서열기
공고번호/일자 (20120511) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.06)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울특별시 종로구
2 정웅희 대한민국 서울특별시 서대문구
3 안병두 대한민국 서울특별시 강남구
4 김건희 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
3 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2009-0075986-31
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.06.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0043335-12
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0035807-56
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0192158-79
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0192157-23
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0564072-68
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0910533-30
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0253521-96
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 다공성 나노 구조체를 갖는 기판을 마련하여 표면 처리하는 단계;(b) 상기 다공성 나노 구조체의 내부에 80℃ 내지 100℃의 온도범위와 10-1 내지 10-7torr 범위의 진공 분위기에서 산화화합물 졸을 주입하는 단계;(c) 열처리 공정을 통해 상기 산화화합물 졸을 건조 및 가열하여 산화화합물 겔로 변화시켜 상기 다공성 나노 구조체의 내부에 산화물 나노 구조체를 형성하는 단계; 및(d) 상기 다공성 나노 구조체와 산화물 나노 구조체를 분리하는 단계를 포함하며, 상기 산화화합물 졸은 아연화합물 및 인듐화합물, 갈륨화합물, 주석화합물, 하프늄 화합물, 지르코늄 화합물, 마그네슘 화합물, 이트륨 화합물 및 탈륨화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물로 이루어진 분산질에, 상기 분산질에 각각 상응하는 분산매를 혼합하여 분산계를 형성하는 단계와, 상기 분산계를 각각 스터링하고 에이징하는 단계를 포함하여 형성하되, 상기 아연화합물에 대한 상기 인듐화합물, 갈륨화합물, 주석화합물, 하프늄 화합물, 지르코늄 화합물, 마그네슘 화합물, 이트륨 화합물 또는 탈륨화합물 각각의 몰 비는 1 대 0
2 2
제1 항에 있어서,상기 다공성 나노 구조체를 갖는 기판은 양극 산화 알루미나(Anodic Aluminum Oxide, AAO) 또는 아크릴아미드(AAM) 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 단계(b)에서, 상기 산화화합물 졸의 주입 시 스핀 코팅(Spin Coating) 또는 딥 코팅(Dip Coating) 방법을 이용하여 주입하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제1 항에 있어서,상기 분산매는, 이소프로판올(isopropanol), 2-메톡시에탄올(2-methoxyethanol), 디메틸포름아마이드(dimethylformamide), 에탄올(ethanol), 탈이온수(deionized water), 메탄올(methanol), 아세틸아세톤(acetylacetone), 디메틸아민보란(dimethylamineborane), 아세토니트릴(acetonitrile)로 이루어진 군에서 상기 분산질에 상응하여 1종 이상이 선택되는 것을 특징으로 하는 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법
7 7
제1 항에 있어서,상기 아연화합물은, 아연 시트레이트 디하이드레이트(Zinc citrate dihydrate), 아연 아세테이트(Zinc acetate), 아연 아세테이트 디하이드레이트(Zinc acetate dihydrate), 아연 아세틸아세토네이트 하이드레이트(Zinc acetylacetonate hydrate), 아연 아크릴레이트(Zinc acrylate), 아연 클로라이드(Zinc chloride), 아연 디에틸디씨오카바메이트(Zinc diethyldithiocarbamate), 아연 디메틸디씨오카바메이트(Zinc dimethyldithiocarbamate), 아연 플루라이드(Zinc fluoride), 아연 플루라이드 하이드레이트(Zinc fluoride hydrate), 아연 헥사플루로아세틸아세토네이트 디하이드레이트(Zinc hexafluoroacetylacetonate dihydrate), 아연 메타아크릴레이트(Zinc methacrylate), 아연 니트레이트 헥사하이드레이트(Zinc nitrate hexahydrate), 아연 니트레이트 하이드레이트(Zinc nitrate hydrate), 아연 트리플루로메탄술포네이트(Zinc trifluoromethanesulfonate), 아연 운데실레네이트(Zinc undecylenate), 아연 트리플루로아세테이트 하이드레이트(Zinc trifluoroacetate hydrate), 아연 테트라플루로보레이트 하이드레이트(Zinc tetrafluoroborate hydrate) 또는 아연 퍼클로레이트 헥사하이드레이트(Zinc perchlorate hexahydrate) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법
8 8
제1 항에 있어서,상기 인듐화합물은, 인듐 클로라이드(Indium chloride), 인듐 클로라이드 테트라하이드레이트(Indium chloride tetrahydrate), 인듐 플루라이드(Indium fluoride), 인듐 플루라이드 트리하이드레이트(indium fluoride trihydrate), 인듐 하이드록사이드(Indium hydroxide), 인듐 니트레이트 하이드레이트(Indium nitrate hydrate), 인듐 아세테이트 하이드레이트(Indium acetate hydrate), 인듐 아세틸아세토네이트(Indium acetylacetonate), 또는 인듐 아세테이트(Indium acetate) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법
9 9
제1 항에 있어서,상기 갈륨화합물은, 갈륨 아세틸아세토네이트(Gallium acetylacetonate), 갈륨 클로라이드(Gallium chloride), 갈륨 플루라이드(Gallium fluoride), 또는 갈륨 니트레이트 하이드레이트(Gallium nitrate hydrate) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법
10 10
제1 항에 있어서,상기 주석화합물은, 틴 아세테이트(Tin acetate), 틴 클로라이드(Tin chloride), 틴 클로라이드 디하이드레이트(Tin chloride dihydrate), 틴 클로라이드 펜타하이드레이트(Tin chloride pentahydrate), 또는 틴 플루라이드(Tin fluoride) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법
11 11
제1 항에 있어서,상기 탈륨화합물은, 탈륨 아세테이트(Thallium acetate), 탈륨 아세틸아세토네이트(Thallium acetylacetonate), 탈륨 클로라이드(Thallium chloride), 탈륨 클로라이드 테트라하이드레이트(Thallium chloride tetrahydrate), 탈륨 사이클로펜타디에나이드(Thallium cyclopentadienide), 탈륨 플루라이드(Thallium fluoride), 탈륨 포메이트(Thallium formate), 탈륨 헥사플루로아세틸아세토네이트(Thallium hexa fluoroacetylacetonate), 탈륨 니트레이트(Thallium nitrate), 탈륨 니트레이트 트리하이드레이트(Thallium nitrate trihydrate), 탈륨 트리플루로아세테이트(Thallium trifluoroacetate) 또는 탈륨 퍼클로레이트 하이드레이트(Thallium perchlorate hydrate) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법
12 12
삭제
13 13
제1 항에 있어서,상기 분산계에 졸 안정제를 상기 아연화합물과 동일한 몰수비로 혼합하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법
14 14
제13 항에 있어서,상기 졸 안정제는, 모노-에탄올아민(mono-ethanolamine), 디-에탄올아민(di-ethanolamine) 및 트리-에탄올아민(tri-ethanolamine)으로 이루어진 군에서 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법
15 15
제1 항에 있어서,상기 분산계의 pH를 조절하기 위하여 상기 분산계에 산 또는 염기를 첨가하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법
16 16
제15 항에 있어서,상기 분산계에 산인 아세트산(CH3COOH)을 첨가하여 pH를 낮추거나, 상기 분산계에 염기인 수산화암모늄(NH3OH), 수산화칼륨(KOH) 또는 수산화나트륨(NaOH)을 첨가하여 pH를 높여서, 상기 분산계의 pH 범위가 1 내지 10이 되도록 하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법
17 17
제16 항에 있어서,상기 분산계의 pH 범위는 3
18 18
제1 항에 있어서,상기 단계(c)에서, 상기 열처리 공정의 온도 범위는 300℃ 내지 1000℃ 인 것을 특징으로 하는 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법
19 19
제1 항에 있어서,상기 단계(d)에서, 상기 다공성 나노 구조체와 산화화합물 나노 구조체의 분리는 수산화나트륨(NaOH) 수용액을 이용하여 상기 다공성 나노 구조체를 식각한 후, 원심 분리를 이용하여 상기 산화물 나노 구조체를 얻도록 하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법
20 20
제1 항에 있어서,상기 단계(d)에서, 상기 산화물 나노 구조체의 모양은 다공성 나노 구조체의 모양에 의해 결정되며, 닷(Dot)에서 원통(Cylinder) 모양을 가지며, 그 크기는 수 나노에서 수 마이크로까지를 포함하는 것을 특징으로 하는 졸-겔 공정과 다공성 나노 구조체를 이용한 산화물 나노 구조체의 제조방법
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