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솔리드 스테이트 디스크를 포함하는 사용자 시스템

  • 기술번호 : KST2014040179
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 솔리드 스테이트 디스크를 포함하는 사용자 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 기술적 사상의 실시 예에 따른 사용자 시스템은 중앙 처리 장치에 의하여 처리된 데이터를 저장하기 위한 주메모리 및 상기 주메모리에 저장된 데이터 중 선택된 데이터를 저장하기 위한 솔리드 스테이트 디스크를 포함하며, 상기 주메모리와 상기 솔리드 스테이트 디스크는 단일 메모리 계층 구조를 형성한다. 따라서, 본 발명의 기술적 사상의 실시 예에 따른 사용자 시스템은 데이터를 빠르게 처리할 수 있다.
Int. CL G06F 13/14 (2006.01) G06F 12/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100017109 (2010.02.25)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1095046-0000 (2011.12.09)
공개번호/일자 10-2011-0097319 (2011.08.31) 문서열기
공고번호/일자 (20111220) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.25)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정의영 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 방관후 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0124003-49
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0232533-62
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0447962-75
4 등록결정서
Decision to grant
2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0708735-64
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
중앙 처리 장치에 의하여 처리된 데이터를 저장하기 위한 주메모리; 및상기 주메모리에 저장된 데이터 중 선택된 데이터를 저장하기 위한 솔리드 스테이트 디스크를 포함하며,상기 주메모리와 상기 솔리드 스테이트 디스크는 단일 메모리 계층 구조를 형성하는 사용자 시스템
2 2
제 1 항에 있어서,상기 주메모리는 상기 솔리드 스테이트 디스크에 연결되어 직접 데이터 전송 경로를 형성하는 사용자 시스템
3 3
제 2 항에 있어서,상기 주메모리에 연결되어 데이터 전송 경로를 형성하는 노스 브리지; 및상기 노스 브리지 및 상기 솔리드 스테이트 디스크에 연결되어 데이터 전송 경로를 형성하는 사우스 브리지를 더 포함하며,상기 직접 데이터 전송 경로는 상기 노스 브리지 및 상기 사우스 브리지를 경유하지 않는 사용자 시스템
4 4
제 3 항에 있어서,상기 솔리드 스테이트 디스크는 상기 직접 데이터 전송 경로를 통한 상기 주메모리와 상기 솔리드 스테이트 디스크 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 직접 데이터 접근 장치(DMA device)를 포함하는 사용자 시스템
5 5
제 3 항에 있어서,상기 직접 데이터 전송 경로를 통한 상기 주메모리와 상기 솔리드 스테이트 디스크 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 제 1 직접 데이터 접근 장치; 및상기 노스 브리지를 경유하는 상기 주메모리와 상기 솔리드 스테이트 디스크 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 제 2 직접 데이터 접근 장치를 더 포함하는 사용자 시스템
6 6
제 5 항에 있어서,상기 제 1 직접 데이터 접근 장치는 상기 솔리드 스테이트 디스크에 포함되고, 상기 제 2 직접 데이터 접근 장치는 상기 사우스 브리지에 포함되는 사용자 시스템
7 7
제 2 항에 있어서,상기 주메모리 및 상기 솔리드 스테이트 디스크는 노스 브리지에 각각 연결되어 데이터 전송 경로를 형성하는 사용자 시스템
8 8
제 7 항에 있어서,상기 직접 데이터 전송 경로는 상기 노스 브리지를 경유하지 않는 사용자 시스템
9 9
제 8 항에 있어서,상기 직접 데이터 전송 경로를 통한 상기 주메모리와 상기 솔리드 스테이트 디스크 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 제 1 직접 데이터 접근 장치; 및상기 노스 브리지를 경유하는 상기 주메모리와 상기 솔리드 스테이트 디스크 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 제 2 직접 데이터 접근 장치를 더 포함하는 사용자 시스템
10 10
제 9 항에 있어서,상기 제 1 직접 데이터 접근 장치는 상기 솔리드 스테이트 디스크에 포함되고, 상기 제 2 직접 데이터 접근 장치는 상기 노스 브리지에 포함되는 사용자 시스템
11 11
데이터를 저장하기 위한 불휘발성 메모리 영역;상기 불휘발성 메모리 영역에 저장된 데이터 중 선택된 데이터를 임시로 저장하기 위한 휘발성 메모리 영역; 및상기 휘발성 메모리 영역 또는 상기 불휘발성 메모리 영역에 저장된 데이터와 사용자 시스템의 주메모리 사이의 직접 데이터 전송을 지원하기 위한 직접 데이터 접근 장치를 포함하는 솔리드 스테이트 디스크
12 12
제 11 항에 있어서,상기 시스템의 주메모리와 통신하기 위한 주메모리 인터페이스를 더 포함하며, 상기 시스템의 주메모리와 상기 주메모리 인터페이스 사이에는 직접 데이터 전송 경로가 형성되는 솔리드 스테이트 디스크
13 13
제 12 항에 있어서,상기 시스템의 주메모리는 상기 불휘발성 메모리 영역에 저장된 데이터를 임시로 저장하기 위한 캐시 버퍼로 사용되는 솔리드 스테이트 디스크
14 14
제 13 항에 있어서,상기 주메모리 인터페이스에 연결되며, 상기 시스템의 주메모리를 제어하기 위한 주메모리 컨트롤러를 더 포함하는 솔리드 스테이트 디스크
15 15
제 14 항에 있어서,상기 불휘발성 메모리 영역은 플래시 메모리, PRAM, FRAM, RRAM 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 솔리드 스테이트 디스크
16 16
휘발성 메모리이며, 중앙 처리 장치의 제어에 처리된 데이터를 저장하는 제 1 메모리 영역;불휘발성 메모리이며, 상기 제 1 메모리 영역에 저장된 데이터 중 선택된 데이터를 저장하는 제 2 메모리 영역; 및상기 제 1 및 제 2 메모리 영역에 연결되어 데이터 전송 경로를 형성하는 브리지 영역을 포함하며,상기 제 1 메모리 영역 및 상기 제 2 메모리 영역은 단일 메모리 계층 구조를 형성하는 사용자 시스템
17 17
제 16 항에 있어서,상기 제 1 메모리 영역 및 상기 제 2 메모리 영역 사이에는 직접 데이터 전송 경로가 형성되는 사용자 시스템
18 18
제 17 항에 있어서,상기 브리지 영역은상기 제 1 메모리 영역에 연결되어 데이터 전송 경로를 형성하는 제 1 브리지; 및상기 제 1 브리지 및 상기 제 2 메모리 영역에 연결되어 데이터 전송 경로를 형성하는 제 2 브리지를 포함하며,상기 직접 데이터 전송 경로는 상기 제 1 및 제 2 브리지를 경유하지 않는 사용자 시스템
19 19
제 18 항에 있어서,상기 제 2 메모리 영역은 상기 직접 데이터 전송 경로를 통한 상기 제 1 메모리 영역 및 상기 제 2 메모리 영역 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 제 1 직접 메모리 접근 장치를 포함하고,상기 제 2 브리지는 상기 제 1 및 제 2 브리지를 경유하는 데이터 전송 경로를 통한 상기 제 1 메모리 영역 및 상기 제 2 메모리 영역 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 제 2 직접 메모리 접근 장치를 포함하는 사용자 시스템
20 20
제 17 항에 있어서,상기 브리지 영역은 상기 제 1 메모리 영역 및 상기 제 2 메모리 영역에 연결되며, 상기 제 1 메모리 영역 및 상기 제 2 메모리 영역은 동일한 인터페이스를 사용하여 상기 브리지 영역과 통신하는 사용자 시스템
21 21
제 20 항에 있어서,상기 제 2 메모리 영역은 상기 직접 데이터 전송 경로를 통한 상기 제 1 메모리 영역 및 상기 제 2 메모리 영역 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 제 1 직접 메모리 접근 장치를 포함하고,상기 브리지 영역은 상기 브리지 영역을 경유하는 데이터 전송 경로를 통한 상기 제 1 메모리 영역 및 상기 제 2 메모리 영역 사이의 데이터 전송을 지원하기 위한 제 2 직접 메모리 접근 장치를 포함하는 사용자 시스템
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1 US08775711 US 미국 FAMILY
2 US09996456 US 미국 FAMILY
3 US20130073772 US 미국 FAMILY
4 US20140122784 US 미국 FAMILY
5 WO2011105708 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
6 WO2011105708 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 US2013073772 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US2014122784 US 미국 DOCDBFAMILY
3 US8775711 US 미국 DOCDBFAMILY
4 US9996456 US 미국 DOCDBFAMILY
5 WO2011105708 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
6 WO2011105708 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.