맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

브랜치드 나노와이어의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014040294
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 브랜치드 나노와이어의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 구체적으로 금속 촉매 및 VLS(vapor-liquid-solid) 방법을 이용하여 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함하고, 상기 나노와이어의 성장을 위한 소스 기체는 실란(SiH4)를 포함하며, 운반 기체는 수소(H2)를 포함하고, 상기 실란(SiH4) : 수소(H2)의 비율은 10 ~ 15 : 200 ~ 300sccm 인 것을 특징으로 한다. 본 발명은 단일 공정으로써 브랜치드 나노와이어를 제조할 수 있고, 본 발명에 따라 제조되는 브랜치드 나노와이어는 극대화된 표면적을 제공할 수 있으므로, 태양전지 등의 소자의 효율을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.
Int. CL B82B 3/00 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 29/0676(2013.01) H01L 29/0676(2013.01) H01L 29/0676(2013.01) H01L 29/0676(2013.01) H01L 29/0676(2013.01) H01L 29/0676(2013.01)
출원번호/일자 1020100066257 (2010.07.09)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0005683 (2012.01.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.09)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 조만호 대한민국 서울특별시 용산구
2 이우정 대한민국 서울특별시 서대문구
3 마진원 대한민국 서울특별시 성북구
4 배정민 대한민국 서울특별시 마포구
5 고대홍 대한민국 경기도 고양시 일산서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0444140-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.05.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0263340-18
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.07.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0529027-46
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.08.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0618575-10
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.09.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0709249-42
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2012-0799067-72
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0799072-01
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0800718-69
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속 촉매 및 VLS(vapor-liquid-solid) 방법을 이용하여 나노와이어를 성장시키는 단계를 포함하는 브랜치드 나노와이어의 제조방법으로서,상기 나노와이어의 성장을 위한 소스 기체는 실리콘계 기체를 포함하고, 운반 기체는 수소(H2)를 포함하며,상기 실리콘계 기체 : 수소(H2)의 비율은 10 ~ 15 : 200 ~ 300sccm 인 것을 특징으로 하는 브랜치드 나노와이어의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 금속 촉매는 Au, Ni, Fe, Ag, Pd 및 Pd/Ni로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 브랜치드 나노와이어의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 실리콘계 기체는 실란(SiH4), SiCl4 및 트리스 디메틸아미노실란(TDMAS; Tris DimethylAmino Silane)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 브랜치드 나노와이어의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 실리콘계 기체 및 수소(H2)를 포함하는 총기체의 유량은 4 ~ 6 × 10-6 m3/s 인 것을 특징으로 하는 브랜치드 나노와이어의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 실리콘계 기체 및 수소(H2)의 총압력은 2torr 이고, 상기 수소 기체의 부분압력은 1
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 브랜치드 나노와이어의 제조방법으로부터 제조되는 브랜치드 나노와이어
7 7
제6항의 브랜치드 나노와이어를 포함하는 태양전지
8 8
제7항에 있어서,상기 태양전지는 실리콘게르마늄 브랜치드 나노와이어(SiGe branched nanowires) 및 게르마늄 브랜치드 나노와이어(Ge branched nanowires)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.