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쇼트키 태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014040381
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 쇼트키 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 쇼트키 태양 전지는 i) 기판, ii) 기판 위에 위치하고, 기판의 판면과 교차하는 방향으로 뻗어서 상호 이격되어 배열된 복수의 제1 나노 구조체들, iii) 기판 위에 위치하고, 복수의 제1 나노 구조체들과 이격되어 배열된 복수의 제2 나노 구조체들, iv) 제1 나노 구조체들의 표면 및 제2 나노 구조체들의 표면으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 표면 위에 제공된 산화막, 및 v) 산화막 위에 제공된 도전층을 포함한다. 제1 나노 구조체들 및 제2 나노 구조체들은 각각 반도체 물질을 포함하고, 복수의 제1 나노 구조체들 중 하나의 제1 나노 구조체를 기판의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 평균 폭은 복수의 제2 나노 구조체들 중 하나의 제2 나노 구조체를 기판의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 평균 폭보다 작다.
Int. CL H01L 31/07 (2006.01.01)
CPC H01L 31/07(2013.01) H01L 31/07(2013.01)
출원번호/일자 1020100051096 (2010.05.31)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1719705-0000 (2017.03.20)
공개번호/일자 10-2011-0131588 (2011.12.07) 문서열기
공고번호/일자 (20170327) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.05.14)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정호 대한민국 서울특별시 강남구
2 지상원 대한민국 경기도 의왕시
3 엄한돈 대한민국 경기도 안산시 상록구
4 박광태 대한민국 경기도 안산시 상록구
5 정진영 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0349037-56
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
4 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2015.05.14 수리 (Accepted) 1-1-2015-0464822-84
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.10.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0783086-16
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2016-1237657-46
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.12.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1237658-92
8 등록결정서
Decision to grant		 2017.03.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0189604-24
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2018.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2018-1320507-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판,상기 기판 위에 위치하고, 상기 기판의 판면과 교차하는 방향으로 뻗어서 상호 이격되어 배열된 복수의 제1 나노 구조체들,상기 기판 위에 위치하고, 상기 복수의 제1 나노 구조체들과 이격되어 배열된 복수의 제2 나노 구조체들,상기 제1 나노 구조체들의 표면 및 상기 제2 나노 구조체들의 표면으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 표면 위에 제공된 산화막, 및상기 산화막 위에 제공된 도전층을 포함하고,상기 제1 나노 구조체들 및 상기 제2 나노 구조체들은 각각 반도체 물질을 포함하고, 상기 복수의 제1 나노 구조체들 중 하나의 제1 나노 구조체를 상기 기판의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 평균 폭은 상기 복수의 제2 나노 구조체들 중 하나의 제2 나노 구조체를 상기 기판의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 평균 폭보다 작으며,상기 제2 나노 구조체의 상부는,상기 도전층과 직접 접촉하는 상단 표면, 및 상기 상단 표면과 연결되고, 상기 상단 표면의 가장자리를 둘러싸며, 상기 산화막과 직접 접촉하는 상부 측면을 포함하는 쇼트키(schottky) 태양 전지
2 2
제1항에 있어서,상기 도전층 위에 제공된 반사막을 더 포함하고, 상기 반사막은 구리 및 금으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 쇼트키 태양 전지
3 3
제2항에 있어서,상기 도전층은 니켈을 포함하는 쇼트키 태양 전지
4 4
제2항에 있어서,상기 기판 아래에 제공된 투명 도전층을 더 포함하고, 상기 투명 도전층의 광투과율은 상기 도전층의 광투과율보다 크며, 상기 제1 나노 구조체들의 폭은 상기 투명 도전층으로부터 상기 도전층으로 갈수록 점차 감소하는 쇼트키 태양 전지
5 5
제4항에 있어서,상기 투명 도전층의 광투과율은 상기 도전층의 광투과율보다 90% 내지 99% 더 큰 쇼트키 태양 전지
6 6
제1항에 있어서,상기 산화막은 SiO2를 포함하고, 상기 산화막의 두께는 1nm 내지 2nm인 쇼트키 태양 전지
7 7
제4항에 있어서,상기 기판과 상기 투명 도전층 사이에 제공된 반도체층을 더 포함하는 쇼트키 태양 전지
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서,상기 제2 나노 구조체들은 벽 형상을 가지고, 상기 상단 표면은 상기 기판의 판면과 실질적으로 평행한 쇼트키 태양 전지
10 10
제1항에 있어서,상기 기판, 상기 복수의 제1 나노 구조체들 및 상기 복수의 제2 나노 구조체들은 일체로 형성된 쇼트키 태양 전지
11 11
제10항에 있어서,상기 복수의 제2 나노 구조체들의 평균 높이는 상기 복수의 제1 나노 구조체들의 평균 높이보다 큰 쇼트키 태양 전지
12 12
제1 도전체상기 제1 도전체 위에 위치하는 반도체층,상기 반도체층 위에 위치하고, 상기 반도체층의 판면과 교차하는 방향으로 뻗어서 상호 이격되어 배열된 복수의 나노 구조체들,상기 복수의 나노 구조체들 위에 제공된 산화막,상기 산화막을 덮는 제2 도전체, 및상기 제2 도전체를 덮는 커버층을 포함하고,상기 제1 도전체의 광투과율은 상기 제2 도전체의 광투과율보다 크고, 상기 복수의 나노 구조체들 중 하나 이상의 나노 구조체는 상기 제1 도전체로부터 멀어질수록 그 평균 폭이 점차 작아지는 쇼트키 태양 전지
13 13
제12항에 있어서,상기 제1 도전체의 광투과율은 상기 제2 도전체의 광투과율보다 90% 내지 99% 더 큰 쇼트키 태양 전지
14 14
삭제
15 15
제12항에 있어서,상기 제2 도전체는 니켈을 포함하는 쇼트키 태양 전지
16 16
모재를 제공하는 단계,상기 모재를 에칭하여 기판, 복수의 제1 나노 구조체들 및 복수의 제2 나노구조체들을 제공하는 단계,상기 복수의 제1 나노 구조체들의 표면 및 상기 복수의 제2 나노 구조체들의 표면으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 표면 위에 산화막을 제공하는 단계, 및상기 복수의 제1 나노 구조체들 및 상기 복수의 제2 나노 구조체들 위에 도전층을 제공하는 단계를 포함하고,상기 기판, 복수의 제1 나노 구조체들 및 복수의 제2 나노 구조체들을 제공하는 단계에서, 상기 복수의 제1 나노 구조체들 중 하나의 제1 나노 구조체를 상기 기판의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 평균 폭은 상기 복수의 제2 나노 구조체들 중 하나의 제2 나노 구조체를 상기 기판의 판면에 평행한 방향으로 자른 단면의 평균 폭보다 작은 쇼트키 태양 전지의 제조 방법
17 17
제16항에 있어서,상기 기판의 아래에 반도체층을 제공하는 단계, 및상기 반도체층의 아래에 투명 도전층을 제공하는 단계를 더 포함하는 쇼트키 태양 전지의 제조 방법
18 18
제16항에 있어서,상기 도전층 위에 반사막을 제공하는 단계를 더 포함하고, 상기 반사막은 구리 및 금으로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 쇼트키 태양 전지의 제조 방법
19 19
제18항에 있어서,상기 도전층을 제공하는 단계에서, 상기 도전층은 니켈을 포함하는 쇼트키 태양 전지의 제조 방법
20 20
제16항에 있어서,상기 산화막을 제공한 후 상기 복수의 제1 나노 구조체들 및 상기 복수의 제2 나노 구조체들 사이에 수지층을 제공하는 단계,상기 수지층의 상면과 상기 복수의 제2 나노 구조체들 위의 산화막을 제거하여 상기 복수의 제2 나노 구조체들 중 하나 이상의 제2 나노 구조체의 상단 표면을 외부 노출시키는 단계, 및상기 수지층을 제거하는 단계를 더 포함하는 쇼트키 태양 전지의 제조 방법
21 21
제20항에 있어서,상기 복수의 제1 나노 구조체들 및 복수의 제2 나노 구조체들을 제공하는 단계에서, 상기 복수의 제2 나노 구조체들의 평균 높이는 상기 복수의 제1 나노 구조체들의 평균 높이보다 큰 쇼트키 태양 전지의 제조 방법
22 22
기판과 상기 기판 위에 위치하고 상호 이격된 복수의 나노 구조체들을 제공하는 단계,상기 복수의 나노 구조체들 위에 산화막을 제공하는 단계,상기 산화막을 덮는 도전체를 제공하는 단계,상기 도전체를 덮는 커버층을 제공하는 단계,상기 기판을 분리시키는 단계,상기 복수의 나노 구조체들의 아래에 반도체층을 제공하는 단계, 및상기 반도체층의 아래에 상기 도전체의 광투과율보다 낮은 광투과율을 가지는 또다른 도전체를 제공하는 단계를 포함하는 쇼트키 태양 전지의 제조 방법
23 23
제22항에 있어서,상기 도전체를 제공하는 단계에서, 상기 도전체의 광투과율은 상기 또다른 도전체의 광투과율보다 90% 내지 99% 더 큰 쇼트키 태양 전지의 제조 방법
24 24
제22항에 있어서,상기 기판과 상기 기판 위에 위치하고 상호 이격된 복수의 나노 구조체들을 제공하는 단계에서, 상기 복수의 나노 구조체들 중 하나 이상의 나노 구조체는 상기 도전체로부터 멀어질수록 그 폭이 점차 작아지게 제공되는 쇼트키 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 일진다이아몬드㈜ 산업기술혁신사업 / 에너지기술개발사업 / 에너지기술개발사업 태양광 다결정 잉곳 웨이퍼링을 위한 Low Kerfloss용 100㎛ 직경 레진다이아몬드 와이어 개발
2 산업통상자원부 한양대학교 에리카산학협력단 산업기술혁신사업 / 국제공동기술개발사업 / 에너지국제공동연구사업 셀모듈 일체형 단결정 실리콘 (10um급) 멤브레인 태양전지 개발
3 과학기술정보통신부(2017Y) 한양대학교 에리카산학협력단 이공분야기초연구사업 / 중견연구자지원사업 / 중견연구(총연구비5억 초과) 태양광-폐열 에너지 융합 고전력 (?50 mW) Pt-free 광전기화학-열전 융합소자 개발
4 산업통상자원부 한양대학교 에리카산학협력단 산업기술혁신사업 / 에너지인력양성사업 / 에너지인력양성사업(RCMS) 3-D 프린팅용 자성코어 소재부품 고급 트랙