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1-차원 기공을 가지는 염료감응형 태양전지용 광전극, 상기 광전극의 제조방법, 및 상기 광

  • 기술번호 : KST2014040404
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 전도성 투명 기판, 상기 기판의 일면에 1-차원 기공을 갖는 반도체층, 및 상기 1-차원 기공을 갖는 반도체층에 흡착된 염료를 포함하는 염료감응형 태양전지용 광전극, 1-차원 연성재료를 템플레이트로서 이용하는 것을 포함하는 상기 광전극의 제조 방법, 및 상기 광전극을 포함하는 염료감응형 태양전지에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01G 9/2027(2013.01)
출원번호/일자 1020100037070 (2010.04.21)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1196819-0000 (2012.10.26)
공개번호/일자 10-2011-0117546 (2011.10.27) 문서열기
공고번호/일자 (20121106) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.21)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유필진 대한민국 서울특별시 강남구
2 이용만 대한민국 서울특별시 구로구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.21 수리 (Accepted) 1-1-2010-0256425-10
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0088948-69
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0062042-75
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0519006-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0853312-86
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.31 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0853313-21
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0166977-72
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0394989-10
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2012-0394988-64
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
14 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0632527-04
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 투명 기판; 상기 기판의 일면에 형성되며 1-차원 기공(pore)을 가지는 반도체층; 및상기 1-차원 기공을 가지는 반도체층에 흡착된 염료:를 포함하며,상기 1-차원 기공을 가지는 반도체층은, 1-차원 연성재료와 반도체 물질을 함유하는 복합체를 포함하는 층을 상기 전도성 기판에 형성한 후 상기 1-차원 연성재료를 제거하여 1-차원 기공을 형성하는 것에 의하여 제조되는 것인, 염료감응형 태양전지용 광전극
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 반도체 물질은 반도체 나노입자를 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지용 광전극
4 4
제 1 항에 있어서,상기 1-차원 연성재료는 종횡비(aspect ratio)가 10 내지 2000인 물질을 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지용 광전극
5 5
제 1 항에 있어서,상기 1-차원 연성재료는, 생체 재료, 고분자, 젤 또는 이들이 조합을 포함하거나, 또는, 생체 재료, 고분자, 젤 또는 이들의 조합과 무기물을 함유하는 복합재료를 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지용 광전극
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 1-차원 기공은 종횡비(aspect ratio)가 10 내지 2000인, 염료감응형 태양전지용 광전극
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 1-차원 기공의 기공도가 50% 이상인, 염료감응형 태양전지용 광전극
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 1-차원 기공을 가지는 반도체층은, 타이타늄(Ti) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 스트론튬(Sr) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 인듐(In) 산화물, 란타늄(La) 산화물, 바나듐(V) 산화물, 몰리브덴(Mo) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 주석(Sn) 산화물, 나이오븀(Nb) 산화물, 마그네슘(Mg) 산화물, 알루미늄(Al)산화물, 이트륨(Y) 산화물, 스칸듐(Sc) 산화물, 사마륨(Sm) 산화물, 갈륨(Ga) 산화물, 스트론튬타이타늄(SrTi) 산화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 반도체 산화물을 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지용 광전극
9 9
광전극, 상기 광전극과 대향하여 배치되는 상대전극, 및 상기 광전극 및 상기 상대전극 사이에 위치하는 전해질을 포함하는, 염료감응형 태양전지로서,상기 광전극은 제 1 항 및 제 3 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 따른 것으로서, 전도성 투명 기판, 상기 기판의 일면에 형성되며 1-차원 기공(pore)을 가지는 반도체층, 및 상기 1-차원 기공을 가지는 반도체층에 흡착된 염료를 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지
10 10
전도성 투명 기판의 일면에 1-차원 연성재료와 반도체 물질을 혼합하여 수득되는 복합체를 포함하는 층을 형성하고;상기 복합체를 포함하는 층으로부터 상기 1-차원 연성재료를 제거하여 1-차원 기공을 가지는 반도체층을 형성하고;상기 1-차원 기공을 가지는 반도체층에 염료를 흡착시키는 것:을 포함하는, 염료감응형 태양전지용 광전극의 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 1-차원 연성재료는 종횡비(aspect ratio)가 10 내지 2000인 물질을 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지용 광전극의 제조 방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 1-차원 연성재료는 생체 재료, 고분자, 젤, 또는 이들이 조합을 포함하거나, 또는, 생체 재료, 고분자, 젤 또는 이들의 조합과 무기물을 함유하는 복합재료를 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지용 광전극의 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 생체재료는 바이러스, 단백질, 펩티드, DNA 구조체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지용 광전극의 제조 방법
14 14
제 10 항에 있어서, 상기 1-차원 기공을 가지는 반도체층은, 타이타늄(Ti) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 스트론튬(Sr) 산화물, 아연(Zn) 산화물, 인듐(In) 산화물, 란타늄(La) 산화물, 바나듐(V) 산화물, 몰리브덴(Mo) 산화물, 텅스텐(W) 산화물, 주석(Sn) 산화물, 나이오븀(Nb) 산화물, 마그네슘(Mg) 산화물, 알루미늄(Al)산화물, 이트륨(Y) 산화물, 스칸듐(Sc) 산화물, 사마륨(Sm) 산화물, 갈륨(Ga) 산화물, 스트론튬타이타늄(SrTi) 산화물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 반도체 산화물을 포함하는 것인, 염료감응형 태양전지용 광전극의 제조 방법
15 15
제 10 항에 있어서, 상기 반도체층의 1-차원 기공의 기공도가 50% 이상인, 염료감응형 태양전지용 광전극의 제조 방법
16 16
제 10 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항의 방법에 따라 1-차원 기공을 가지는 염료감응형 태양전지용 광전극을 제조하고, 상기 광전극과 이격되어 대향하도록 상대 전극을 배치하고;상기 광전극과 상기 상대 전극 사이의 이격된 공간에 전해질을 주입하는 것:을 포함하는, 염료감응 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 성균관대학교산학협력단 국가플랫폼 기술개발사업 유무기 복합 나노구조체 제작기술