맞춤기술찾기

이전대상기술

리모트 플라즈마 발생장치

  • 기술번호 : KST2014041096
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 바이어스 전극에서의 아크를 방지하여 박막의 품질을 향상시키는 리모트 플라즈마 발생장치가 개시된다. 상기 발생장치는, 챔버 상부의 내측에 설치되는 RF 전극; 상기 RF 전극과 이격하여 설치되며 발생한 플라즈마가 통과하는 다수의 관통공이 배열되고 바이어스 전원이 인가되는 바이어스 전극; 상기 RF 전극과 바이어스 전극 사이에 형성되고 플라즈마 가스가 공급되는 플라즈마 발생부; 및 상기 바이어스 전극과 이격하여 하부에 설치되며, 상기 바이어스 전극의 관통공에 대응하는 플라즈마 통과공이 형성된 접지 전극을 포함하며, 상기 바이어스 전극에는 주기적인 제 1 전압 부분을 갖는 제 2 전압의 펄스 직류 바이어스(Pulsed DC Bias)가 인가된다. arc, 아크, 방전, 펄스 직류, 플라즈마, 텅스텐, 내에칭성, 커패시터, 정전유도
Int. CL H01J 37/32 (2006.01.01) H05H 1/46 (2006.01.01) H05H 1/46 (2006.01.01)
CPC H01J 37/32541(2013.01) H01J 37/32541(2013.01) H01J 37/32541(2013.01) H01J 37/32541(2013.01) H01J 37/32541(2013.01) H01J 37/32541(2013.01) H01J 37/32541(2013.01) H01J 37/32541(2013.01) H01J 37/32541(2013.01)
출원번호/일자 1020090071296 (2009.08.03)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1105907-0000 (2012.01.06)
공개번호/일자 10-2010-0044082 (2010.04.29) 문서열기
공고번호/일자 (20120117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020080102578   |   2008.10.20
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.03)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 전형탁 대한민국 서울 노원구
2 우상현 대한민국 서울 강남구
3 김형철 대한민국 충청북도 보은군
4 정진욱 대한민국 서울 성동구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0474506-43
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0573985-04
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2011.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0011658-41
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.02.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0105434-58
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.02.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0105440-22
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0405228-54
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0708630-22
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0708605-91
9 등록결정서
Decision to grant
2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0709324-81
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
챔버 상부의 내측에 설치되는 RF 전극; 상기 RF 전극과 이격하여 설치되며 발생한 플라즈마가 통과하는 다수의 관통공이 배열되고 바이어스 전원이 인가되는 바이어스 전극; 상기 RF 전극과 바이어스 전극 사이에 형성되고 플라즈마 가스가 공급되는 플라즈마 발생부; 상기 바이어스 전극과 이격하여 하부에 설치되며, 상기 바이어스 전극의 관통공에 대응하는 플라즈마 통과공이 형성된 접지 전극; 및 상기 접지 전극 하부에 소스 가스 또는 퍼지 가스가 통과하는 경로와 상기 플라즈마 발생부에서 형성된 플라즈마가 통과하는 경로가 구획되어 형성된 샤워 헤드를 포함하고, 상기 바이어스 전극에는 양의 값을 가지는 DC 전압과 음의 값을 가지는 DC 전압이 번갈아가며 인가되는 것을 특징으로 하는 리모트 플라즈마 발생장치
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 바이어스 전극의 전면에 텅스텐 또는 티타늄이 코팅되는 리모트 플라즈마 발생장치
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 바이어스 전극에 잔류하는 전하를 제거하기 위한 커패시터가 바이어스 전원에 직렬로 연결되는 리모트 플라즈마 발생장치
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 RF 전극에는 상기 플라즈마 발생부에 플라즈마 가스를 공급하기 위한 다수의 관통공이 형성되는 리모트 플라즈마 발생장치
5 5
청구항 1에 있어서, 상기 바이어스 전극은 금속재질로 제작되며 그 표면은 아노다이징 처리되는 리모트 플라즈마 발생장치
6 6
삭제
7 7
챔버 외측에 설치되는 RF 안테나; 상기 RF 안테나에 인접하여 상기 챔버 내부에 형성되고 플라즈마를 발생하는 플라즈마 발생부; 상기 플라즈마 발생부 하부에 설치되며 발생한 플라즈마가 통과하는 다수의 관통공이 배열되고 바이어스 전원이 인가되는 바이어스 전극; 및 상기 바이어스 전극 하부에 설치되고, 소스 가스 또는 퍼지 가스가 통과하는 경로와 상기 플라즈마 발생부에서 형성된 플라즈마가 통과하는 경로가 구획되어 형성된 샤워 헤드를 포함하고, 상기 바이어스 전극에는 양의 값을 가지는 DC 전압과 음의 값을 가지는 DC 전압이 번갈아가며 인가되는 것을 특징으로 하는 리모트 플라즈마 발생장치
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 바이어스 전극의 전면에 텅스텐 또는 티타늄이 코팅되는 리모트 플라즈마 발생장치
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 바이어스 전극에 잔류하는 전하를 제거하기 위한 커패시터가 바이어스 전원에 직렬로 연결되는 리모트 플라즈마 발생장치
10 10
외측에 ICP 코일이 감기고, 플라즈마 가스가 발생하는 플라즈마 발생부; 상기 플라즈마 발생부의 하부에 설치되며 발생한 플라즈마가 통과하는 다수의 플라즈마 통과공이 배열되는 바이어스 전극; 및 상기 바이어스 전극의 하부에 형성되고, 기판이 적재되는 기판 로딩부와 상기 기판 로딩부 위에 설치되어 소스가스나 퍼지가스를 공급하기 위한 가스공급유닛을 구비한 반응부를 포함하며, 상기 바이어스 전극에는 양의 값을 가지는 DC 전압과 음의 값을 가지는 DC 전압이 번갈아가며 인가되는 것을 특징으로 하는 리모트 플라즈마 발생장치
11 11
청구항 10에 있어서, 상기 가스공급유닛은 저면에 다수의 분사공이 형성된 링 타입인 리모트 플라즈마 발생장치
12 12
삭제
13 13
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02178106 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02178106 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02178106 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 US08207470 US 미국 FAMILY
5 US20100096367 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2010096367 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US8207470 US 미국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 테라급 나노소자 개발사업단 21세기 프론티어 연구개발사업 단원자층 증착기술 개발