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(a) 기판에 금속 전구체를 공급하는 단계;
(b) 상기 금속 전구체에 질화제 또는 산화제를 공급하는 단계; 및
(c) 상기 금속 전구체를 환원시키는 단계를 포함하되,
상기 질화제는 N2, NH3, N2H4, 또는 이들의 유도성 결합 플라즈마(ICP, inductively-coupled plasma)에 의해 생성된 라디칼이 포함된 기체 또는 액체를 사용하며,
상기 산화제는 O2, O3, H2O, H2O2, N2O, 금속 알콕사이드(metal alkoxide) 또는 이들의 유도성 결합 플라즈마(ICP, inductively-coupled plasma)에 의해 생성된 라디칼이 포함된 기체 또는 액체를 사용하고,
상기 금속 전구체를 환원시키는 단계의 환원제는 H2, D2, CO, 메탄올, 에탄올, 이소프로필 알코올, 포름알데히드, 아세트알데히드, 부틸알데히드, 포름산, 카르복실산 또는 이들의 유도성 결합 플라즈마(ICP, inductively-coupled plasma)에 의해 생성된 라디칼이 포함된 기체 또는 액체를 사용하며,
상기 유도성 결합 플라즈마(ICP, inductively-coupled plasma)는 플라즈마 파워 100 ~ 5000W, 유량 50 ~ 5000sccm, 압력 0
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2
제 1항에 있어서,
상기 금속 전구체의 금속은 Cu, Ni, Co, Cr 또는 Zn인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 금속 박막 증착 방법
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3
제 1항에 있어서,
상기 금속 전구체는 구리 전구체로서, 구리 할로겐 화합물 또는 구리 유기금속화합물이 포함된 기체 또는 액체인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 금속 박막 증착 방법
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4
제 3항에 있어서,
상기 구리 할로겐 화합물은 CuCl1, CuCl2, CuF1, CuF2, CuBr1, CuBr2, CuI1 또는 CuI2인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 금속 박막 증착 방법
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5
제 3항에 있어서,
상기 구리 유기금속 화합물은 CuI(beta-diketonate)·L, CuII(beta-diketonate)2, (CuIamidinate)2, CuI(diketimiate)·L, CuII(diketiminate)2, CuI(ketoiminate)·L, CuII(ketoiminate)2, CuI(alkylamide)·L, CuII(alkylamide)2, CuI(cyclopentadienyl)·L 또는 CuII(cyclopentadienyl)2 인 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 금속 박막 증착 방법
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6
삭제
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7
삭제
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8
제 1항에 있어서,
상기 (c)단계에서 진공을 유지하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 금속 박막 증착 방법
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9
삭제
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10
삭제
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11
제 1항에 있어서,
상기 금속 전구체를 압력 0
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12
제 1항에 있어서,
상기 질화제 또는 산화제를 압력 0
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13
제 1 항에 있어서,
상기 금속 전구체를 환원시키는 단계의 환원제를 압력 0
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14
제 1항에 있어서,
상기 (a)와 (b)단계 사이, (b)와 (c)단계 사이 및 (c)단계 후에 H2, N2, Ar 또는 He 기체를 이용한 퍼지, 펌핑 또는 이들을 혼합한 단계가 추가되는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 금속 박막 증착 방법
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15
제 1항에 있어서,
상기 기판의 온도를 100 ~ 300℃로 가열하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 금속 박막 증착 방법
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16
제 15항에 있어서,
상기 기판의 가열을 위해 저항가열방식, 유도가열방식 또는 램프가열방식 등을 사용하는 것을 특징으로 하는 원자층 증착법에 의한 금속 박막 증착 방법
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