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탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체, 그 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 스트레인 센서
- 기술번호 : KST2014042316
- 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-6124-6930
| 요약 | 본 발명에 따른 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체는 고분자의 내부 또는 표면에, 수평 및 수직 방향으로 3차원 네트워크를 이루며 성장된 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 내부의 탄소나노튜브가 합성과정에서 이미 3차원 네트워크 형태로 제조되기 때문에 탄소나노튜브들 사이에 이물질이 없어서 전기적 연결이 매우 우수하고 균일하며, 본 발명에 따른 스트레인 센서의 경우 신호재현성 및 소자 안정성이 뛰어나고 더욱 넓은 범위의 센싱 특성을 보이며, 센서의 응답속도와 회복속도가 매우 빠르고 정확하다는 장점이 있다. |
|---|---|
| Int. CL | B82B 1/00 (2017.01.01) B82B 3/00 (2017.01.01) C01B 32/158 (2017.01.01) G01B 1/00 (2006.01.01) G01L 1/22 (2006.01.01) |
| CPC | B82B 1/00(2013.01) B82B 1/00(2013.01) B82B 1/00(2013.01) B82B 1/00(2013.01) B82B 1/00(2013.01) B82B 1/00(2013.01) B82B 1/00(2013.01) B82B 1/00(2013.01) B82B 1/00(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020090040973 (2009.05.11) |
| 출원인 | 한양대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1087539-0000 (2011.11.22) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0122002 (2010.11.19) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20111129) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2009.05.11) |
| 심사청구항수 | 25 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이해원 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
| 2 | 이태재 | 대한민국 | 충청북도 영동군 |
| 3 | 서정은 | 대한민국 | 인천광역시 부평구 |
| 4 | 이승백 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 5 | 임채현 | 대한민국 | 서울특별시 관악구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인충현 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2009.05.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0281918-79 |
| 2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2010.03.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0140397-87 |
| 3 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.02.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0093922-47 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2011.03.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0224850-41 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2011.03.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0224849-05 |
| 6 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.10.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0634879-61 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 탄소나노튜브와 고분자를 포함하는 고분자 복합체에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 수평 및 수직 방향으로 3차원 네트워크를 이루며 성장된 탄소나노튜브 3차원 네트워크인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체 |
| 2 |
2 제 1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 3차원 네트워크는 상기 고분자의 내부에 함침되어 있으며, 상기 탄소나노튜브의 표면은 표면개질되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체 |
| 3 |
3 제 1항에 있어서, 상기 고분자는 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체 |
| 4 |
4 제 3항에 있어서, 상기 실리콘계 고분자는 폴리실란, 폴리실록산, 폴리실라잔, 폴리카르보실란 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체 |
| 5 |
5 제 3항에 있어서, 상기 아크릴계 고분자는 폴리(메타)아크릴레이트, 폴리메틸(메타)아크릴레이트, 폴리에틸(메타)아크릴레이트, 폴리프로필(메타)아크릴레이트 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체 |
| 6 |
6 제 1항에 있어서, 상기 고분자는 투명 엘라스토머인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 고분자 복합체 |
| 7 |
7 제 1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 3차원 네트워크는 수직방향으로 5층 이상의 탄소나노튜브 네트워크가 서로 연결되어 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체 |
| 8 |
8 제 1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 이중벽 탄소나노튜브 또는 다중벽 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 고분자 복합체 |
| 9 |
9 제 1항에 있어서, 상기 고분자 복합체 내부의 탄소나노튜브 3차원 네트워크의 공간당 밀도는 1 |
| 10 |
10 제 1항에 있어서, 상기 고분자는 필름형태이며 상기 필름의 적어도 일면에는 나노홀 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체 |
| 11 |
11 제 10항에 있어서, 상기 나노홀의 입구 또는 내부에는 상기 탄소나노튜브 3차원 네트워크의 일부가 노출되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체 |
| 12 |
12 제 10항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체 |
| 13 |
13 제 10항에 있어서, 상기 나노홀의 깊이는 2∼200㎛이고, 나노홀 간의 간격은 50∼2000nm인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 고분자 복합체 |
| 14 |
14 (a) 나노 로드들이 형성된 기판에 촉매 금속을 흡착시키는 단계; (b) 상기 기판 상에 탄소소스 기체를 공급하여 3차원 네트워크 구조를 갖는 탄소나노튜브가 형성된 기판을 제조하는 단계; (c) 상기 기판의 표면에 프리폴리머 용액을 코팅한 후 경화시켜 고분자 복합체를 제조하는 단계; 및 (d) 상기 고분자 복합체와 상기 기판을 분리하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법 |
| 15 |
15 제 14항에 있어서, 상기 촉매 금속을 흡착시키는 단계는 Fe(NO3)3·9H2O와 Mo 염 수용액을 포함하는 Fe-Mo 이촉매 용액에 상기 기판을 침지시키는 것에 의하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법 |
| 16 |
16 제 15항에 있어서, 상기 Fe-Mo 이촉매 용액 내의 Fe와 Mo의 농도비는 5:1∼0 |
| 17 |
17 제 14항에 있어서, 상기 촉매 금속이 흡착된 기판을 열처리한 다음, NH3 또는 수소기체를 공급하여 촉매금속을 환원시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법 |
| 18 |
18 제 14항에 있어서, 상기 탄소소스 기체는 메탄, 에틸렌, 아세틸렌, 벤젠, 헥산, 에탄올, 메탄올 및 프로판올로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법 |
| 19 |
19 제 14항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 기판이고, 나노 로드의 높이는 2∼200㎛이며, 나노 로드 간의 간격은 50∼2000nm이고, 나노 로드의 장단비는 2∼100인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법 |
| 20 |
20 제 14항에 있어서, 상기 고분자 필름은 실리콘계 고분자, 아크릴계 고분자, 및 이들의 공중합체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체의 제조방법 |
| 21 |
21 제 1항 내지 제 13항 중 어느 한 항에 따른 고분자 복합체를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 센서 |
| 22 |
22 제 21항에 있어서, 상기 스트레인 센서는 상기 고분자 복합체의 적어도 일면 이상에 2 이상의 금속전극이 적층되어 있는 소자를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트레인 센서 |
| 23 |
23 제 22항에 있어서, 상기 금속전극들은 상기 고분자 복합체의 양단에 서로 이격되어 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 스트레인 센서 |
| 24 |
24 제 22항에 있어서, 상기 금속전극들은 Au, Cr, Ti, Al 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스트레인 센서 |
| 25 |
25 제 22항에 있어서, 상기 금속전극은 상기 고분자 복합체 내부에 존재하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크와 통전되어 있는 것을 특징으로 하는 스트레인 센서 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2010131820 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | WO2010131820 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 교육과학기술부 | 교육과학기술부 | 연구개발사업(공동연구센터지원사업) | 한양대-RIKEN 공동연구센터 지원 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1087539-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20090511 출원 번호 : 1020090040973 공고 연월일 : 20111129 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20111031 청구범위의 항수 : 25 유별 : B82B 1/00 발명의 명칭 : 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체, 그 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 스트레인 센서 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 510,000 원 | 2011년 11월 23일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 413,000 원 | 2014년 09월 23일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 413,000 원 | 2015년 10월 12일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 413,000 원 | 2016년 10월 04일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 735,000 원 | 2017년 09월 26일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 525,000 원 | 2018년 11월 05일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 525,000 원 | 2019년 09월 05일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
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- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2009.05.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0281918-79 |
| 2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2010.03.04 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0140397-87 |
| 3 | 의견제출통지서 | 2011.02.18 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0093922-47 |
| 4 | [명세서등 보정]보정서 | 2011.03.28 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2011-0224850-41 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2011.03.28 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0224849-05 |
| 6 | 등록결정서 | 2011.10.31 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0634879-61 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
| 기술번호 | KST2014042316 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 한양대학교 |
| 기술명 | 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체, 그 제조방법 및 이를 이용하여 제조된 스트레인 센서 |
| 기술개요 |
본 발명에 따른 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 고분자 복합체는 고분자의 내부 또는 표면에, 수평 및 수직 방향으로 3차원 네트워크를 이루며 성장된 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 것을 특징으로 하는데, 내부의 탄소나노튜브가 합성과정에서 이미 3차원 네트워크 형태로 제조되기 때문에 탄소나노튜브들 사이에 이물질이 없어서 전기적 연결이 매우 우수하고 균일하며, 본 발명에 따른 스트레인 센서의 경우 신호재현성 및 소자 안정성이 뛰어나고 더욱 넓은 범위의 센싱 특성을 보이며, 센서의 응답속도와 회복속도가 매우 빠르고 정확하다는 장점이 있다. |
| 개발상태 | 기술개발진행중 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 스트레인 센서 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345139018 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2010-00475 |
| 연구과제명 | 한양대 - RIKEN 공동연구센터 지원 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2010 |
| 연구기간 | 200907~201206 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기타 |
| 6T분류명 | 기타 |
| 과제고유번호 | 1345103392 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2007-0052594 |
| 연구과제명 | 다중벽탄소나노튜브기반고성능터치패널용투명압력센서array개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 한양대학교 |
| 성과제출연도 | 2009 |
| 연구기간 | 200705~201002 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | NT(나노기술) |
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