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3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014042318
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지가 제공된다. 본 발명에 따르면, 실리콘 나노 로드들 사이 또는 나노 홀의 내부에 병렬적으로 수평성장되어 띄워진 탄소나노튜브를 직접 성장시킴으로써 후공정에 따른 탄소나노튜브의 결함 또는 낮은 전도성 문제를 해결할 수 있으며, 상기 탄소나노튜브의 공간당 밀도가 높을 뿐만 아니라 탄소나노튜브의 말단이 전도성 기판(실리콘 전극) 자체와 직접연결되어 전도성이 향상되며, 상기 실리콘 전극에는 나노 로드 또는 나노 홀들이 형성되어 있으므로 빛 반사율이 감소되기 때문에 전체적으로 광전변환효율을 증가시킬 수 있다.
Int. CL H01G 9/20 (2006.01.01) B82Y 40/00 (2017.01.01)
CPC H01G 9/2045(2013.01) H01G 9/2045(2013.01) H01G 9/2045(2013.01)
출원번호/일자 1020090040971 (2009.05.11)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1087538-0000 (2011.11.22)
공개번호/일자 10-2010-0122000 (2010.11.19) 문서열기
공고번호/일자 (20111129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.11)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이해원 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이태재 대한민국 충청북도 영동군
3 서정은 대한민국 인천광역시 부평구
4 한성환 대한민국 서울특별시 종로구
5 민선기 대한민국 서울특별시 강남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2009-0281912-06
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.07.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0493549-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.10.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.11.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0070028-33
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.01.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0030695-67
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2011-0192037-53
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0192038-09
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0554380-36
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.10.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0804581-13
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.10.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0804580-67
11 등록결정서
Decision to grant		 2011.11.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0649218-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노 로드 또는 나노 홀들이 형성된 실리콘 전극; 상기 실리콘 전극과 대향되는 대향전극; 및 상기 실리콘 전극에서 서로 인접하고 있는 나노 로드들 사이 또는 나노 홀의 내부에 병렬적으로 수평성장되어 띄워진 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하며, 상기 탄소나노튜브의 표면에는 광전변환물질이 부착되어 있는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 태양전지
2 2
제 1항에 있어서, 상기 광전변환물질은 양자점 화합물인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 태양전지
3 3
제 2항에 있어서, 상기 양자점 화합물은 MgO, MgS, MgSe, MgTe, CaO, CaS, CaSe, CaTe, SrO, SrS, SrSe, SrTe, BaO, BaS, BaSe, BaTE, ZnO, ZnS, ZnSe, ZnTe, CdO, CdS, CdSe, CdTe, HgO, HgS, HgSe, HgTe, Al2O3, Al2S3, Al2Se3, Al2Te3, Ga2O3, Ga2S3, Ga2Se3, Ga2Te3, In2O3, In2S3, In2Se3, In2Te3, SiO2, GeO2, SnO2, SnS, SnSe, SnTe, PbO, PbO2, PbS, PbSe, PbTe, AlN, AlP, AlAs, AlSb, GaN, GaP, GaAs, GaSb, InN, InP, InAs, InSb, BP, Si, Ge, 및 이들의 코어/쉘 구조체로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상의 화합물인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 태양전지
4 4
제 2항에 있어서, 상기 양자점 화합물의 표면에는 -OH, =O, -O-, -S-S-, -SH, -P=O, -P 및 -PH로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 작용기를 갖는 화합물로 코팅된 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 태양전지
5 5
제 2항에 있어서, 상기 양자점 화합물은 도트(dot), 로드(rod), 테트라 팟(tetra pot) 형태 중에서 선택되며, 직경은 1 내지 10nm인 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 태양전지
6 6
제 1항에 있어서, 상기 실리콘 전극과 대향전극 사이에 전해질층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탄소나노튜브 3차원 네트워크를 포함하는 태양전지
7 7
제 1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브 3차원 네트워크의 공간당 밀도는 1
8 8
(a) Fe-Mo 이촉매 용액을 제조하는 단계; (b) 나노 로드 또는 나노 홀들이 형성된 실리콘 기판을 피라나처리, UV-오존처리 또는 산소플라즈마 처리를 함으로써 표면을 Si-OH로 개질하는 단계; (c) 상기 표면개질된 실리콘 기판을 상기 이촉매 용액에 침지시켜 이촉매 금속을 흡착시키는 단계; (d) 상기 기판 상에 탄소소스 기체를 공급하여 3차원 네트워크 구조를 갖는 탄소나노튜브가 형성된 실리콘 전극을 제조하는 단계; 및 (e) 광전변환물질 용액에 상기 실리콘 전극을 침지시켜 탄소나노튜브의 표면에 광전변환물질을 부착하는 단계를 포함하는 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지의 제조방법
9 9
제 8항에 있어서, 상기 Fe-Mo 이촉매 용액은 Fe(NO3)3·9H2O와 Mo 염 수용액을 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지의 제조방법
10 10
제 8항에 있어서, 상기 Fe-Mo 이촉매 용액 내의 Fe와 Mo의 농도비는 5:1∼0
11 11
제 8항에 있어서, 상기 실리콘 기판을 이촉매 용액에 침지시키는 단계는 초음파처리를 병행하는 것을 특징으로 하는 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지의 제조방법
12 12
제 8항에 있어서, 상기 이촉매 금속이 흡착된 기판을 열처리한 다음, NH3 또는 수소기체를 공급하여 촉매금속을 환원시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지의 제조방법
13 13
제 8항에 있어서, 상기 탄소소스 기체는 메탄, 에틸렌, 아세틸렌, 벤젠, 헥산, 에탄올, 메탄올 및 프로판올로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지의 제조방법
14 14
제 8항에 있어서, 상기 나노 로드의 높이는 2∼200㎛이고, 나노 로드 간의 간격은 50∼2000nm이며, 나노 로드의 장단비는 2∼100인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지의 제조방법
15 15
제 8항에 있어서, 상기 나노 홀의 깊이는 2∼200㎛이고, 나노 홀 간의 간격은 50∼2000nm이며, 나노 홀의 장단비는 2∼100인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지의 제조방법
16 16
제 8항에 있어서, 서로 인접하고 있는 상기 나로 로드 2개 간에 연결되어 있거나 나노 홀 내부에 수평으로 형성되어 3차원 네트워크를 이루는 탄소나노튜브의 개수는 10개 이상인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지의 제조방법
17 17
제 8항에 있어서, 상기 광전변환물질은 양자점 화합물이고, 상기 광전변환물질 용액은 표면이 개질된 양자점 화합물 용액인 것을 특징으로 하는 3차원 탄소나노튜브 네트워크를 포함하는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 교육과학기술부 연구개발사업(공동연구센터지원사업) 한양대-RIKEN 공동연구센터 지원