맞춤기술찾기

이전대상기술

발광 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014042673
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 다이오드 및 그 제조 방법이 제공된다. 제 1 반도체층, 제 2 반도체층 및 상기 제 1 및 제 2 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조체, 상기 발광 구조체 상의 투명 전극층, 상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층과 각각 연결되는 제 1 전극 및 제 2 전극이 제공된다. 상기 제 2 전극은 상기 투명 전극층을 관통하여 상기 제 2 반도체층과 쇼트키 접합을 이루는 쇼트키 전극을 포함한다.
Int. CL H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자 1020110039506 (2011.04.27)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1202733-0000 (2012.11.13)
공개번호/일자 10-2012-0121609 (2012.11.06) 문서열기
공고번호/일자 (20121120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.27)
심사청구항수 19

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 장자순 대한민국 대구광역시 수성구
2 장선호 대한민국 경상북도 경산시 삼풍안길
3 김세민 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0313118-14
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0010025-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0357077-20
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0665506-61
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0665505-15
7 등록결정서
Decision to grant
2012.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0629634-10
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 반도체층, 제 2 반도체층 및 상기 제 1 및 제 2 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조체;상기 발광 구조체 상의 투명 전극층; 및상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층과 각각 연결되는 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함하고,상기 제 2 전극은 상기 투명 전극층을 관통하여 상기 제 2 반도체층과 쇼트키 접합을 이루는 쇼트키 전극을 포함하는 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층은 p형 질화물 반도체이고, 상기 쇼트키 전극의 부분 중 상기 제 2 반도체층과 접촉하는 부분의 일함수는 상기 제 2 반도체층보다 작은 발광 다이오드
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 투명 전극층을 관통하는 콘택홀을 더 포함하고,상기 제 2 전극은 상기 콘택홀 내에서 상기 제 2 반도체층 및 상기 투명 전극층과 접촉하는 발광 다이오드
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 상기 투명 전극층의 상면의 일부를 덮는 발광 다이오드
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층과 상기 투명 전극층 사이에 초격자층을 더 포함하고,상기 쇼트키 전극은 상기 초격자층을 관통하여 상기 제 2 반도체층과 접촉하는 발광 다이오드
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 초격자층은 InxAlyGa1-x-yN(0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1)층인 발광 다이오드
7 7
제 2 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 투명 전극층 상에 상기 쇼트키 전극을 둘러싸는 오믹 전극을 더 포함하고, 상기 오믹 전극은 상기 쇼트키 전극과 이격되는 발광 다이오드
8 8
제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 제공되는 나노 와이어들을 더 포함하는 발광 다이오드
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 나노 와이어들은 ZnxO1-x(0003c#x003c#1)를 포함하는 발광 다이오드
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 나노 와이어들은 상기 제 1 전극의 측벽을 따라 배치되는 발광 다이오드
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 나노 와이어들에 부착된 금속 아일랜드들을 더 포함하는 발광 다이오드
12 12
제 8 항에 있어서, 상기 제 1 반도체층의 상부에 제 1 트렌치를 더 포함하고,상기 나노 와이어들은 상기 제 1 트렌치 내에 제공되는 발광 다이오드
13 13
제 8 항에 있어서, 상기 투명 전극층 상부에 제 2 트렌치를 더 포함하고,상기 나노 와이어들은 상기 제 2 트렌치 내에 제공되는 발광 다이오드
14 14
기판 상에 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층을 차례로 적층하여 발광 구조체를 형성하는 것;상기 발광 구조체 상에 투명 전극층을 형성하는 것; 및상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층과 각각 연결되는 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는 것을 포함하고,상기 제 2 전극을 형성하는 것은:상기 투명 전극층을 식각하여 상기 제 2 반도체층을 노출하는 콘택홀을 형성하는 것; 및상기 콘택홀 내에 상기 제 2 반도체층과 쇼트키 접합을 이루는 쇼트키 전극을 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
15 15
제 14 항에 있어서,상기 제 2 전극을 형성하는 것은 상기 투명 전극층 상에 상기 쇼트키 전극을 둘러싸는 오믹 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
16 16
제 15 항에 있어서,상기 제 2 전극을 형성하는 것은 상기 오믹 전극 및 상기 쇼트키 전극을 열처리하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
17 17
제 15 항에 있어서, 상기 쇼트키 전극 및 상기 오믹 전극을 형성하는 것은:상기 콘택홀의 내부 및 및 상기 오믹 전극층 상에 희생층을 형성하는 것;상기 희생층의 일부를 제거하여 상기 제 2 반도체층을 노출하는 것;상기 노출된 제 2 반도체층 상에 쇼트키 전극 층을 형성하는 것; 및 상기 희생층의 나머지 부분을 제거하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
18 18
제 14 항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이에 나노 와이어들을 형성하는 것을 더 포함하고, 상기 나노 와이어들을 형성하는 것은:상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 트렌치를 형성하는 것;상기 트렌치 내에 금속 촉매층을 형성하는 것;상기 금속 촉매층을 열처리하여 금속 아일랜드들을 형성하는 것; 및상기 금속 아일랜드들 상에 산화 아연(ZnO) 파우더 또는 아연(Zn) 파우더를 제공하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
19 19
제 18 항에 있어서, 상기 트렌치는 상기 투명 전극층 또는 상기 제 1 반도체층 내에 형성되는 발광 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 영남대학교 산학협력단 기술혁신사업(산업원천기술개발사업) LED-IT 융합산업화연구센터지원사업