요약 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법이 제공된다. 제 1 반도체층, 제 2 반도체층 및 상기 제 1 및 제 2 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조체, 상기 발광 구조체 상의 투명 전극층, 상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층과 각각 연결되는 제 1 전극 및 제 2 전극이 제공된다. 상기 제 2 전극은 상기 투명 전극층을 관통하여 상기 제 2 반도체층과 쇼트키 접합을 이루는 쇼트키 전극을 포함한다. |
---|---|
Int. CL | H01L 33/36 (2014.01) |
CPC | H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110039506 (2011.04.27) |
출원인 | 영남대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-1202733-0000 (2012.11.13) |
공개번호/일자 | 10-2012-0121609 (2012.11.06) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20121120) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.04.27) |
심사청구항수 | 19 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 영남대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 경산시 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 장자순 | 대한민국 | 대구광역시 수성구 |
2 | 장선호 | 대한민국 | 경상북도 경산시 삼풍안길 |
3 | 김세민 | 대한민국 | 대구광역시 수성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 오세준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려) |
2 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
3 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 영남대학교 산학협력단 | 경상북도 경산시 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.04.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0313118-14 |
2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.01.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.02.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0010025-81 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.06.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0357077-20 |
5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.08.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0665506-61 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.08.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0665505-15 |
7 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.10.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0629634-10 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5029868-88 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.03.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5037590-23 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.11.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5175631-14 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5220555-67 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 제 1 반도체층, 제 2 반도체층 및 상기 제 1 및 제 2 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조체;상기 발광 구조체 상의 투명 전극층; 및상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층과 각각 연결되는 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함하고,상기 제 2 전극은 상기 투명 전극층을 관통하여 상기 제 2 반도체층과 쇼트키 접합을 이루는 쇼트키 전극을 포함하는 발광 다이오드 |
2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층은 p형 질화물 반도체이고, 상기 쇼트키 전극의 부분 중 상기 제 2 반도체층과 접촉하는 부분의 일함수는 상기 제 2 반도체층보다 작은 발광 다이오드 |
3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 투명 전극층을 관통하는 콘택홀을 더 포함하고,상기 제 2 전극은 상기 콘택홀 내에서 상기 제 2 반도체층 및 상기 투명 전극층과 접촉하는 발광 다이오드 |
4 |
4 제 3 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 상기 투명 전극층의 상면의 일부를 덮는 발광 다이오드 |
5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 제 2 반도체층과 상기 투명 전극층 사이에 초격자층을 더 포함하고,상기 쇼트키 전극은 상기 초격자층을 관통하여 상기 제 2 반도체층과 접촉하는 발광 다이오드 |
6 |
6 제 5 항에 있어서, 상기 초격자층은 InxAlyGa1-x-yN(0003c#x003c#1, 0003c#y003c#1)층인 발광 다이오드 |
7 |
7 제 2 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 투명 전극층 상에 상기 쇼트키 전극을 둘러싸는 오믹 전극을 더 포함하고, 상기 오믹 전극은 상기 쇼트키 전극과 이격되는 발광 다이오드 |
8 |
8 제 1 항에 있어서,상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 제공되는 나노 와이어들을 더 포함하는 발광 다이오드 |
9 |
9 제 8 항에 있어서, 상기 나노 와이어들은 ZnxO1-x(0003c#x003c#1)를 포함하는 발광 다이오드 |
10 |
10 제 8 항에 있어서, 상기 나노 와이어들은 상기 제 1 전극의 측벽을 따라 배치되는 발광 다이오드 |
11 |
11 제 8 항에 있어서, 상기 나노 와이어들에 부착된 금속 아일랜드들을 더 포함하는 발광 다이오드 |
12 |
12 제 8 항에 있어서, 상기 제 1 반도체층의 상부에 제 1 트렌치를 더 포함하고,상기 나노 와이어들은 상기 제 1 트렌치 내에 제공되는 발광 다이오드 |
13 |
13 제 8 항에 있어서, 상기 투명 전극층 상부에 제 2 트렌치를 더 포함하고,상기 나노 와이어들은 상기 제 2 트렌치 내에 제공되는 발광 다이오드 |
14 |
14 기판 상에 제 1 반도체층, 활성층 및 제 2 반도체층을 차례로 적층하여 발광 구조체를 형성하는 것;상기 발광 구조체 상에 투명 전극층을 형성하는 것; 및상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층과 각각 연결되는 제 1 전극 및 제 2 전극을 형성하는 것을 포함하고,상기 제 2 전극을 형성하는 것은:상기 투명 전극층을 식각하여 상기 제 2 반도체층을 노출하는 콘택홀을 형성하는 것; 및상기 콘택홀 내에 상기 제 2 반도체층과 쇼트키 접합을 이루는 쇼트키 전극을 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
15 |
15 제 14 항에 있어서,상기 제 2 전극을 형성하는 것은 상기 투명 전극층 상에 상기 쇼트키 전극을 둘러싸는 오믹 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
16 |
16 제 15 항에 있어서,상기 제 2 전극을 형성하는 것은 상기 오믹 전극 및 상기 쇼트키 전극을 열처리하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
17 |
17 제 15 항에 있어서, 상기 쇼트키 전극 및 상기 오믹 전극을 형성하는 것은:상기 콘택홀의 내부 및 및 상기 오믹 전극층 상에 희생층을 형성하는 것;상기 희생층의 일부를 제거하여 상기 제 2 반도체층을 노출하는 것;상기 노출된 제 2 반도체층 상에 쇼트키 전극 층을 형성하는 것; 및 상기 희생층의 나머지 부분을 제거하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
18 |
18 제 14 항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 사이에 나노 와이어들을 형성하는 것을 더 포함하고, 상기 나노 와이어들을 형성하는 것은:상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 트렌치를 형성하는 것;상기 트렌치 내에 금속 촉매층을 형성하는 것;상기 금속 촉매층을 열처리하여 금속 아일랜드들을 형성하는 것; 및상기 금속 아일랜드들 상에 산화 아연(ZnO) 파우더 또는 아연(Zn) 파우더를 제공하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
19 |
19 제 18 항에 있어서, 상기 트렌치는 상기 투명 전극층 또는 상기 제 1 반도체층 내에 형성되는 발광 다이오드의 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 지식경제부 | 영남대학교 산학협력단 | 기술혁신사업(산업원천기술개발사업) | LED-IT 융합산업화연구센터지원사업 |
특허 등록번호 | 10-1202733-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20110427 출원 번호 : 1020110039506 공고 연월일 : 20121120 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121022 청구범위의 항수 : 19 유별 : H01L 33/36 발명의 명칭 : 발광 다이오드 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20171114 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 393,000 원 | 2012년 11월 14일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2015년 11월 09일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 320,600 원 | 2016년 11월 14일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.04.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0313118-14 |
2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.01.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
3 | 선행기술조사보고서 | 2012.02.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0010025-81 |
4 | 의견제출통지서 | 2012.06.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0357077-20 |
5 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.08.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0665506-61 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.08.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0665505-15 |
7 | 등록결정서 | 2012.10.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0629634-10 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5029868-88 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.03.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5037590-23 |
10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.11.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5175631-14 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5220555-67 |
기술번호 | KST2014042673 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 영남대학교 |
기술명 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
기술개요 |
발광 다이오드 및 그 제조 방법이 제공된다. 제 1 반도체층, 제 2 반도체층 및 상기 제 1 및 제 2 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 구조체, 상기 발광 구조체 상의 투명 전극층, 상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층과 각각 연결되는 제 1 전극 및 제 2 전극이 제공된다. 상기 제 2 전극은 상기 투명 전극층을 관통하여 상기 제 2 반도체층과 쇼트키 접합을 이루는 쇼트키 전극을 포함한다. |
개발상태 | 실용화단계 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,기타, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345161221 |
---|---|
세부과제번호 | 2011-03-대-02-013 |
연구과제명 | 스마트 조명용 고효율 LED 패키지 및 IT 융합기술 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
연구주관기관명 | 영남대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201104~201402 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415118521 |
---|---|
세부과제번호 | 10033630 |
연구과제명 | LED-IT융합산업화연구센터 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 영남대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200906~201405 |
기여율 | 0.5 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415127652 |
---|---|
세부과제번호 | M002400013 |
연구과제명 | LED-IT융합산업화연구센터 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 영남대학교 산학협력단 |
성과제출연도 | 2012 |
연구기간 | 200906~201405 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
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