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수직형 발광 다이오드 및 그 제조 방법
- 기술번호 : KST2014042676
- 담당센터 : 대구기술혁신센터
- 전화번호 : 053-550-1450
| 요약 | 발광 다이오드가 제공된다. 제 1 투명 전극층 및 상기 제 1 투명 전극층 상에 제 2 투명 전극층이 제공되고, 상기 제 1 투명 전극층과 상기 제 2 투명 전극층 사이에 발광 구조체가 제공된다. 상기 제 1 투명 전극층을 관통하여 상기 발광 구조체와 연결되는 제 1 전극이 제공되고, 상기 제 2 투명 전극층을 관통하여 상기 발광 구조체와 연결되는 제 2 전극이 제공된다. 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 각각은 상기 발광 구조체와 쇼트키 접합을 이룬다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 33/38 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01) |
| CPC | H01L 33/0033(2013.01) H01L 33/0033(2013.01) H01L 33/0033(2013.01) H01L 33/0033(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020110039505 (2011.04.27) |
| 출원인 | 영남대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1202732-0000 (2012.11.13) |
| 공개번호/일자 | 10-2012-0121608 (2012.11.06) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20121120) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2011.04.27) |
| 심사청구항수 | 14 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 영남대학교 산학협력단 | 대한민국 | 경상북도 경산시 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 장자순 | 대한민국 | 대구광역시 수성구 |
| 2 | 장선호 | 대한민국 | 경상북도 경산시 삼풍안길 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 오세준 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려) |
| 2 | 권혁수 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소) |
| 3 | 송윤호 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 영남대학교 산학협력단 | 경상북도 경산시 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.04.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0313117-68 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2012.01.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2012.02.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0010024-35 |
| 4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.06.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0357076-85 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.08.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0665493-55 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.08.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0665496-92 |
| 7 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.10.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0629633-64 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5029868-88 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.03.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5037590-23 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.11.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5175631-14 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5220555-67 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 제 1 투명 전극층 및 상기 제 1 투명 전극층 상의 제 2 투명 전극층;상기 제 1 투명 전극층과 상기 제 2 투명 전극층 사이의 발광 구조체;상기 제 1 투명 전극층을 관통하여 상기 발광 구조체와 연결되는 제 1 전극; 및상기 제 2 투명 전극층을 관통하여 상기 발광 구조체와 연결되는 제 2 전극을 포함하고,상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 각각은 상기 발광 구조체와 쇼트키 접합을 이루는 발광 다이오드 |
| 2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 발광 구조체는:상기 제 1 전극과 연결되는 p형 반도체층;상기 제 2 전극과 연결되는 n형 반도체층; 및상기 n형 반도체층과 상기 p형 반도체층 사이의 활성층을 포함하는 발광 다이오드 |
| 3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 전극의 일함수는 상기 p형 반도체층보다 작고, 상기 제 2 전극의 일함수는 상기 n형 반도체층보다 큰 발광 다이오드 |
| 4 |
4 제 2 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 제 1 투명 전극층과 접촉하고, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 투명 전극층과 접촉하는 발광 다이오드 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 제 1 투명 전극층은 상기 p형 반도체층을 노출하는 제 1 콘택홀을 포함하고,상기 제 1 전극은 상기 제 1 콘택홀 내에서 상기 제 p형 반도체층 및 상기 제 1 투명 전극층과 접촉하는 발광 다이오드 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서, 상기 제 1 투명 전극층 아래에 구조 지지층을 더 포함하고,상기 제 1 전극은 상기 제 1 투명 전극층과 상기 구조 지지층 사이로 연장되는 발광 다이오드 |
| 7 |
7 제 4 항에 있어서, 상기 제 2 투명 전극층은 상기 n형 반도체층을 노출하는 제 2 콘택홀을 포함하고,상기 제 2 전극은 상기 제 2 콘택홀 내에서 상기 n형 반도체층 및 상기 제 2 투명 전극층과 접촉하는 발광 다이오드 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 투명 전극층의 상면의 일부를 덮는 발광 다이오드 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 제 2 전극 각각은 Cr, Al, Ru, Pt, Au, W, Mo, Cu, Co, Pd, Ni, Ti, V 및 Ta 중 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 투명 전극층들은 Ni 및 Au를 포함하는 물질, 또는 ITO(Indium Tin Oxide)를 포함하는 발광 다이오드 |
| 11 |
11 기판 상에 희생층을 형성하는 것;상기 희생층 상에 제 2 투명 전극층을 형성하는 것;상기 제 2 투명 전극층 상에 발광 구조체를 형성하는 것;상기 발광 구조체 상에 제 1 투명 전극층을 형성하는 것;상기 제 1 투명 전극층을 관통하여 상기 발광 구조체에 연결되는 제 1 전극을 형성하는 것;상기 기판 및 상기 희생층을 제거하여 상기 제 2 투명 전극층을 노출하는 것; 및상기 노출된 제 2 투명 전극층을 관통하여 상기 발광 구조체에 연결되는 제 2 전극을 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
| 12 |
12 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 제 1 전극과 접촉하는 상기 발광 구조체의 부분보다 일함수가 작은 물질로 형성되고, 상기 제 2 전극은 상기 제 2 전극과 접촉하는 상기 발광 구조체의 부분보다 일함수가 큰 물질로 형성되는 발광 다이오드의 제조 방법 |
| 13 |
13 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 전극을 형성하는 것은 상기 1 투명 전극층을 관통하는 제 1 콘택홀을 형성하는 것을 포함하고,상기 제 2 전극을 형성하는 것은 상기 제 2 투명 전극층을 관통하는 제 2 콘택홀을 형성하는 것을 포함하고,상기 제 1 콘택홀과 상기 제 2 콘택홀은 평면적 관점에서 오버랩되도록 형성되는 발광 다이오드의 제조 방법 |
| 14 |
14 제 11 항에 있어서, 상기 기판 및 상기 희생층을 제거하기 전에, 상기 제 1 전극 상에 구조 지지층을 형성하는 것을 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | 지식경제부 | 영남대학교 산학협력단 | 기술혁신사업(산업원천기술개발사업) | LED-IT 융합산업화연구센터지원사업 |
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1202732-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20110427 출원 번호 : 1020110039505 공고 연월일 : 20121120 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20121022 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 33/36 발명의 명칭 : 수직형 발광 다이오드 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20171114 |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 295,500 원 | 2012년 11월 14일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 243,600 원 | 2015년 11월 09일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 243,600 원 | 2016년 11월 14일 | 납입 |
- 본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
- 정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
- 해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.04.27 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0313117-68 |
| 2 | 선행기술조사의뢰서 | 2012.01.18 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 3 | 선행기술조사보고서 | 2012.02.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2012-0010024-35 |
| 4 | 의견제출통지서 | 2012.06.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0357076-85 |
| 5 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.08.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0665493-55 |
| 6 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.08.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0665496-92 |
| 7 | 등록결정서 | 2012.10.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0629633-64 |
| 8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.03.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5029868-88 |
| 9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.03.26 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5037590-23 |
| 10 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.11.03 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5175631-14 |
| 11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.23 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5220555-67 |
| 기술번호 | KST2014042676 |
|---|---|
| 자료제공기관 | NTB |
| 기술공급기관 | 영남대학교 |
| 기술명 | 수직형 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
| 기술개요 |
발광 다이오드가 제공된다. 제 1 투명 전극층 및 상기 제 1 투명 전극층 상에 제 2 투명 전극층이 제공되고, 상기 제 1 투명 전극층과 상기 제 2 투명 전극층 사이에 발광 구조체가 제공된다. 상기 제 1 투명 전극층을 관통하여 상기 발광 구조체와 연결되는 제 1 전극이 제공되고, 상기 제 2 투명 전극층을 관통하여 상기 발광 구조체와 연결되는 제 2 전극이 제공된다. 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극 각각은 상기 발광 구조체와 쇼트키 접합을 이룬다. |
| 개발상태 | 실용화단계 |
| 기술의 우수성 | |
| 응용분야 | 수직형 발광 다이오드 및 그 제조 방법 |
| 시장규모 및 동향 | |
| 희망거래유형 | 기술매매,라이센스,기술협력,기술지도,기타, |
| 사업화적용실적 | |
| 도입시고려사항 |
| 과제고유번호 | 1345161221 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2011-03-대-02-013 |
| 연구과제명 | 스마트 조명용 고효율 LED 패키지 및 IT 융합기술 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 영남대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 201104~201402 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415118521 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 10033630 |
| 연구과제명 | LED-IT융합산업화연구센터 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 영남대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200906~201405 |
| 기여율 | 0.5 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415127652 |
|---|---|
| 세부과제번호 | M002400013 |
| 연구과제명 | LED-IT융합산업화연구센터 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
| 연구주관기관명 | 영남대학교 산학협력단 |
| 성과제출연도 | 2012 |
| 연구기간 | 200906~201405 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 개발연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
특허성과
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