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수직형 발광 다이오드의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014042678
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 발광 다이오드의 제조 방법이 제공된다. 기판 상에 나노 로드 희생층을 형성하고, 상기 나노 로드 희생층 상에 투명 전극층을 형성하고, 상기 투명 전극층 상에 발광 구조체를 형성한다. 상기 발광 구조체 상에 제 2 전극을 형성하고, 상기 제 2 전극 상에 구조 지지층을 형성하고, 상기 기판 및 상기 나노 로드 희생층의 적어도 일부를 선택적으로 제거한다.
Int. CL H01L 33/42 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01) H01L 33/42(2013.01)
출원번호/일자 1020110039504 (2011.04.27)
출원인 영남대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1202731-0000 (2012.11.13)
공개번호/일자 10-2012-0121607 (2012.11.06) 문서열기
공고번호/일자 (20121120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.27)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 경산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 장자순 대한민국 대구광역시 수성구
2 장선호 대한민국 경상북도 경산시 삼풍안길
3 이종선 대한민국 대구광역시 수성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 영남대학교 산학협력단 경상북도 경산시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0313116-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0010023-90
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0357075-39
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0665484-44
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0665485-90
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0629632-18
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-5029868-88
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2014-5037590-23
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2017-5175631-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5220555-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 나노 로드 희생층을 형성하는 것;상기 나노 로드 희생층 상에 투명 전극층을 형성하는 것;상기 투명 전극층 상에 발광 구조체를 형성하는 것;상기 발광 구조체 상에 제 2 전극을 형성하는 것;상기 제 2 전극 상에 구조 지지층을 형성하는 것; 및상기 기판 및 상기 나노 로드 희생층의 적어도 일부를 선택적으로 제거하여 상기 투명 전극층을 노출하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 나노 로드 희생층은 ZnxO1-x(0003c#x003c#1)를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 나노 로드 희생층을 형성하는 것은:상기 기판 상에 금속 촉매층을 형성하는 것;상기 금속 촉매층을 열처리하여 금속 아일랜드들을 형성하는 것; 및상기 금속 아일랜드들 상에 나노 로드들을 성장시키는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 금속 촉매층은 Au, Ag, Ni, NiO, Pt, Pd, PdZn, Cr, Co 및 Cu 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성되는 발광 다이오드의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 나노 로드 희생층의 선택적 제거 시에, 상기 나노 로드 희생층의 일부가 상기 투명 전극층 상에 잔류하는 발광 다이오드의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 나노 로드 희생층의 선택적 제거 공정은 HCl, HF, HNO3, H2SO4, BHF(buffered hydrofluoric acid), HAc(acetic acid), 및 H3PO4 중 적어도 하나를 포함하는 수용액으로 수행되는 발광 다이오드의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 발광 구조체를 형성하는 것은:상기 투명 전극층 상에 제 1 반도체층을 형성하는 것;상기 제 1 반도체층 상에 활성층을 형성하는 것; 및상기 활성층 상에 제 2 반도체층을 형성하는 것을 포함하고,상기 제 1 반도체층과 상기 제 2 반도체층은 서로 다른 도전형인 발광 다이오드의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 선택적 제거 공정에 의하여 노출된 상기 투명 전극층 상에 제 1 전극을 형성하는 것을 더 포함하고,상기 제 1 전극은 상기 투명 전극층을 관통하여 상기 제 1 반도체층과 접촉하는 발광 다이오드의 제조 방법
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 상기 투명 전극층과 접촉하는 발광 다이오드의 제조 방법
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 제 1 반도체층의 도전형은 n형이고, 상기 제 1 전극은 상기 제 1 반도체층 보다 높은 일함수를 갖는 물질로 형성되어 상기 제 1 반도체층과 쇼트키 접합을 이루는 발광 다이오드의 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 전극은 Cr, Al, Ru, Pt, Au, W, Mo, Cu, Co, Pd, Ni, Ti, V 및 Ta 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 형성되는 발광 다이오드의 제조 방법
12 12
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 전극을 형성하는 것은 상기 제 1 반도체층과 접촉하는 쇼트키 접합 전극 및 상기 쇼트키 접합 전극 상의 쇼트키 보조 전극을 형성하는 것을 포함하고,상기 쇼트키 접합 전극을 형성하는 것은 상기 제 1 반도체층 상에 Cr층 및 Al층을 차례로 형성하는 것을 포함하고,상기 쇼트키 보조 전극을 형성하는 것은 상기 쇼트키 접합 전극 상에 Ni층 및 Au층을 차례로 형성하는 것을 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 발광 구조체와 상기 제 2 전극 사이에 금속 물질 또는 도전성 금속 산화물 중 적어도 하나를 포함하는 반사층을 형성하는 것을 더 포함하고, 상기 금속 물질은 Al, Ag, Cu, AgCu, Ni, Rh, Pd, Pt, Ru, 및 Au 중 적어도 하나를 포함하고,상기 도전성 금속 산화물은 TiO, NiO, 인듐 또는 갈륨이 도핑된 MgZnO, 갈륨이 도핑된 InO, 또는 갈륨이 도핑된 ZnO 중 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 영남대학교 산학협력단 기술혁신사업(산업원천기술개발사업) LED-IT 융합산업화연구센터지원사업