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완전 차동 구조 소오스 팔로워

  • 기술번호 : KST2014042857
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 완전 차동 구조 소오스 팔로워에 관한 것으로서, 제 1 PMOS, 제 2 PMOS, 제 3 PMOS, 제 4 PMOS, 제 7 NMOS 및 제 8 NMOS를 포함하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워에 있어서, 제 1 PMOS와 제 3 PMOS가 싱글 엔디드(single ended) 형태의 소오스 팔로워를 구성하고, 제 2 PMOS와 제 4 PMOS가 싱글 엔디드(single ended) 형태의 소오스 팔로워를 구성하되, 제 1 PMOS의 드레인이 제 8 NMOS의 소스에 연결되고, 제 2 PMOS의 드레인이 제 7 NMOS의 소스에 연결된 크로스 커플된 형태인 것을 특징으로 하며, 기존의 single ended 형태의 소오스 팔로워와 동일한 전력, 면적 상에서 상호 간섭에 의해 더욱더 낮은 출력 임피던스를 가지므로 넓은 아날로그 대역폭을 만족시킬 수 있다.
Int. CL H03F 3/50 (2006.01) H03F 3/45 (2006.01)
CPC H03F 3/45183(2013.01) H03F 3/45183(2013.01) H03F 3/45183(2013.01)
출원번호/일자 1020100076944 (2010.08.10)
출원인 동국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1145368-0000 (2012.05.04)
공개번호/일자 10-2012-0014770 (2012.02.20) 문서열기
공고번호/일자 (20120515) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.08.10)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 중구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송민규 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김대윤 대한민국 서울특별시 강동구
3 문준호 대한민국 서울특별시 동대문구
4 박성현 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0514365-43
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.11.05 수리 (Accepted) 4-1-2010-5206478-99
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.03.23 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0035554-17
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0320404-78
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0621926-79
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0709325-80
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0800692-89
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0889395-31
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0889392-05
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2011-5243351-46
12 등록결정서
Decision to grant
2012.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0253447-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2014-0002002-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.16 수리 (Accepted) 4-1-2019-5163486-33
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 PMOS, 제 2 PMOS, 제 3 PMOS, 제 4 PMOS, 제 5 NMOS, 제 6 NMOS, 제 7 NMOS 및 제 8 NMOS를 포함하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워에 있어서,상기 제 1 PMOS의 게이트에 제 1 입력전압이 인가되고,상기 제 2 PMOS의 게이트에 제 2 입력전압이 인가되고,상기 제 3 PMOS의 드레인과 상기 제 1 PMOS의 소스가 연결된 노드에 상기 제 1 입력전압에 대응하는 제 1 출력전압이 출력되고,상기 제 4 PMOS의 드레인과 상기 제 2 PMOS의 소스가 연결된 노드에 상기 제 2 입력전압에 대응하는 제 2 출력전압이 출력되고,상기 제 1 PMOS의 소스는 상기 제 1 출력전압 단자와 연결되고, 상기 제 1 PMOS의 드레인은 상기 제 8 NMOS의 소스에 연결되고,상기 제 2 PMOS의 소스는 상기 제 2 출력전압 단자와 연결되고, 상기 제 2 PMOS의 드레인은 상기 제 7 NMOS의 소스에 연결되고,상기 제 3 PMOS의 드레인은 상기 제 7 NMOS의 게이트에 연결되고, 상기 제 3 PMOS의 소스는 전원에 연결되고,상기 제 4 PMOS의 드레인은 상기 제 8 NMOS의 게이트에 연결되고, 상기 제 4 PMOS의 소스는 전원에 연결되고,상기 제 7 NMOS의 드레인은 전원에 연결되고,상기 제 8 NMOS의 드레인은 전원에 연결되고,상기 제 1 PMOS의 드레인과 접지 사이에 상기 제 5 NMOS가 전류원으로 연결되고,상기 제 2 PMOS의 드레인과 접지 사이에 상기 제 6 NMOS가 전류원으로 연결되는 것을 특징으로 하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제 1 PMOS의 드레인과 접지 사이에 전류원이 있는 것을 특징으로 하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제 2 PMOS의 드레인과 접지 사이에 전류원이 있는 것을 특징으로 하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워
4 4
제 1 항에 있어서,상기 제 1 PMOS의 소스와 상기 전원 사이에 전류원이 있는 것을 특징으로 하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워
5 5
제 1 항에 있어서,상기 제 2 PMOS의 소스와 상기 전원 사이에 전류원이 있는 것을 특징으로 하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워
6 6
제 1 항에 있어서,상기 제 1 PMOS 및 상기 제 2 PMOS는 상기 완전 차동 구조 소오스 팔로워의 입력 MOS인 것을 특징으로 하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워
7 7
제 1 항에 있어서,상기 제 3 PMOS 및 상기 제 4 PMOS는 상기 완전 차동 구조 소오스 팔로워의 전류 MOS인 것을 특징으로 하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워
8 8
제 1 PMOS, 제 2 PMOS, 제 3 PMOS, 제 4 PMOS, 제 7 NMOS 및 제 8 NMOS를 포함하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워에 있어서, 상기 제 1 PMOS와 상기 제 3 PMOS가 싱글 엔디드(single ended) 형태의 소오스 팔로워를 구성하고, 상기 제 2 PMOS와 상기 제 4 PMOS가 싱글 엔디드(single ended) 형태의 소오스 팔로워를 구성하되, 상기 제 1 PMOS의 드레인이 상기 제 8 NMOS의 소스에 연결되고, 상기 제 2 PMOS의 드레인이 상기 제 7 NMOS의 소스에 연결된 크로스 커플된 형태인 것을 특징으로 하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워
9 9
제 1 PMOS, 제 2 PMOS, 제 3 PMOS, 제 4 PMOS, 제 5 NMOS, 제 6 NMOS, 제 7 NMOS 및 제 8 NMOS를 포함하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워를 구비한 아날로그-디지털 변환기에 있어서,상기 제 1 PMOS의 게이트에 제 1 입력전압이 인가되고,상기 제 2 PMOS의 게이트에 제 2 입력전압이 인가되고,상기 제 3 PMOS의 드레인과 상기 제 1 PMOS의 소스가 연결된 노드에 상기 제 1 입력전압에 대응하는 제 1 출력전압이 출력되고,상기 제 4 PMOS의 드레인과 상기 제 2 PMOS의 소스가 연결된 노드에 상기 제 2 입력전압에 대응하는 제 2 출력전압이 출력되고,상기 제 1 PMOS의 소스는 상기 제 1 출력전압 단자와 연결되고, 상기 제 1 PMOS의 드레인은 상기 제 8 NMOS의 소스에 연결되고,상기 제 2 PMOS의 소스는 상기 제 2 출력전압 단자와 연결되고, 상기 제 2 PMOS의 드레인은 상기 제 7 NMOS의 소스에 연결되고,상기 제 3 PMOS의 드레인은 상기 제 7 NMOS의 게이트에 연결되고, 상기 제 3 PMOS의 소스는 전원에 연결되고,상기 제 4 PMOS의 드레인은 상기 제 8 NMOS의 게이트에 연결되고, 상기 제 4 PMOS의 소스는 전원에 연결되고,상기 제 7 NMOS의 드레인은 전원에 연결되고,상기 제 8 NMOS의 드레인은 전원에 연결되고,상기 제 1 PMOS의 드레인과 접지 사이에 상기 제 5 NMOS가 전류원으로 연결되고,상기 제 2 PMOS의 드레인과 접지 사이에 상기 제 6 NMOS가 전류원으로 연결되는 것을 특징으로 하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워를 구비한 아날로그-디지탈 변환기
10 10
제 1 PMOS, 제 2 PMOS, 제 3 PMOS, 제 4 PMOS, 제 7 NMOS 및 제 8 NMOS를 포함하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워를 구비한 아날로그-디지탈 변환기에 있어서, 상기 제 1 PMOS와 상기 제 3 PMOS가 싱글 엔디드(single ended) 형태의 소오스 팔로워를 구성하고, 상기 제 2 PMOS와 상기 제 4 PMOS가 싱글 엔디드(single ended) 형태의 소오스 팔로워를 구성하되, 상기 제 1 PMOS의 드레인이 상기 제 8 NMOS의 소스에 연결되고, 상기 제 2 PMOS의 드레인이 상기 제 7 NMOS의 소스에 연결된 크로스 커플된 형태인 것을 특징으로 하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워를 포함한 아날로그-디지탈 변환기
11 11
제 1 NMOS, 제 2 NMOS, 제 3 NMOS, 제 4 NMOS, 제 7 PMOS 및 제 8 PMOS를 포함하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워에 있어서, 상기 제1 NMOS 와 상기 제 2 NMOS를 입력 MOS로 사용하고 상기 제 1 NMOS와 상기 제 3 NMOS가 싱글 엔디드(single ended) 형태의 소오스 팔로워를 구성하고, 상기 제 2 NMOS와 상기 제 4 NMOS가 싱글 엔디드(single ended) 형태의 소오스 팔로워를 구성하되, 상기 제 1 NMOS의 소스가 상기 제 8 PMOS의 드레인에 연결되고, 상기 제 2 NMOS의 소스가 상기 제 7 PMOS의 드레인에 연결된 크로스 커플된 형태인 것을 특징으로 하는 완전 차동 구조 소오스 팔로워
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학 기술부 동국대학교 산학협력 기초연구사업-일반연구자지원산업 소프트웨어 기반 무선통신용 고성능 아날로그-디지털 변환기 개발