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기판, n형반도체층, 활성층, p형반도체층을 포함하여 이루어진 자외선 발광다이오드에 있어서, 상기 p형반도체층 상부에 질화알루미늄(AlN) 또는 질화실리콘(Si3N4)과 이산화규소(SiO2)가 교대로 적층되어 형성된 분산브라그 반사층;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드
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제 1항에 있어서,상기 분산브라그 반사층의 일부를 식각하여 형성된 p형 전극;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드
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제 1항에 있어서,상기 자외선 파장이 210nm 내지 230nm인 경우, 상기 분산브라그 반사층에서, 상기 질화알루미늄의 두께는 18nm 내지 20nm, 상기 질화실리콘의 두께는 23nm 내지 24nm이며, 상기 이산화규소의 두께는 33nm 내지 35nm인 것을 특징으로 하는 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드
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제 3항에 있어서,상기 분산브라그 반사층은, 상기 질화알루미늄인 경우, 5층 내지 8층 적층되어 형성되며, 상기 질화실리콘인 경우, 6층 내지 9층 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드
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제 1항에 있어서,상기 자외선 파장이 231nm 내지 250nm인 경우, 상기 분산브라그 반사층에서, 상기 질화알루미늄의 두께는 20nm 내지 22nm, 상기 질화실리콘의 두께는 25nm 내지 27nm이며, 상기 이산화규소의 두께는 36nm 내지 38nm인 것을 특징으로 하는 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드
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제 1항에 있어서,상기 자외선 파장이 251nm 내지 270nm인 경우, 상기 분산브라그 반사층에서, 상기 질화알루미늄의 두께는 21nm 내지 23nm, 상기 질화실리콘의 두께는 29nm 내지 30nm이며, 상기 이산화규소의 두께는 39nm 내지 41nm인 것을 특징으로 하는 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드
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제 5항 또는 제 6항에 있어서,상기 분산브라그 반사층은, 상기 질화알루미늄인 경우, 5층 내지 8층 적층되어 형성되며, 상기 질화실리콘인 경우, 7층 내지 10층 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드
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제 1항에 있어서,상기 자외선 파장이 271nm 내지 290nm인 경우, 상기 분산브라그 반사층에서, 상기 질화알루미늄의 두께는 23nm 내지 25nm, 상기 질화실리콘의 두께는 32nm 내지 33nm이며, 상기 이산화규소의 두께는 42nm 내지 44nm인 것을 특징으로 하는 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드
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제 1항에 있어서,상기 자외선 파장이 291nm 내지 310nm인 경우, 상기 분산브라그 반사층에서, 상기 질화알루미늄의 두께는 25nm 내지 27nm, 상기 질화실리콘의 두께는 34nm 내지 36nm이며, 상기 이산화규소의 두께는 45nm 내지 48nm인 것을 특징으로 하는 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드
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제 8항 또는 제 9항에 있어서,상기 분산브라그 반사층은, 상기 질화알루미늄인 경우, 5층 내지 8층 적층되어 형성되며, 상기 질화실리콘인 경우, 8층 내지 10층 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드
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기판, n형반도체층, 활성층, p형반도체층을 포함하여 이루어진 자외선 발광다이오드의 제조방법에 있어서,상기 기판상에 버퍼층, 상기 n형반도체층, 상기 활성층 및 상기 p형반도체층을 순차적으로 적층시키는 적층단계;상기 p형반도체층 상부에 질화알루미늄(AlN) 또는 질화실리콘(Si3N4)과 이산화규소(SiO2)을 교대로 적층시켜 분산브라그 반사층을 형성하는 분산브라그 반사층 형성단계;상기 분산브라그 반사층의 일부를 식각하여 p형전극을 형성하는 p형전극 형성단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드의 제조방법
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제 11항에 있어서,상기 n형반도체층의 일부를 식각하여 n형전극을 형성하는 n형전극 형성단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드의 제조방법
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제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 분산브라그 반사층 형성단계는, 상기 자외선 파장이 210nm 내지 230nm인 경우, 상기 분산브라그 반사층에서, 상기 질화알루미늄의 두께는 18nm 내지 20nm, 상기 질화실리콘의 두께는 23nm 내지 24nm이며, 상기 이산화규소의 두께는 33nm 내지 35nm이고, 상기 분산브라그 반사층은, 상기 질화알루미늄인 경우, 5층 내지 8층 적층되어 형성되며, 상기 질화실리콘인 경우, 6층 내지 9층 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드의 제조방법
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제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 분산브라그 반사층 형성단계는, 상기 자외선 파장이 231nm 내지 250nm인 경우, 상기 분산브라그 반사층에서, 상기 질화알루미늄의 두께는 20nm 내지 22nm, 상기 질화실리콘의 두께는 25nm 내지 27nm이며, 상기 이산화규소의 두께는 36nm 내지 38nm이고, 상기 자외선 파장이 251nm 내지 270nm인 경우, 상기 분산브라그 반사층에서, 상기 질화알루미늄의 두께는 21nm 내지 23nm, 상기 질화실리콘의 두께는 29nm 내지 30nm이며, 상기 이산화규소의 두께는 39nm 내지 41nm이고, 상기 분산브라그 반사층은, 상기 질화알루미늄인 경우, 5층 내지 8층 적층되어 형성되며, 상기 질화실리콘인 경우, 7층 내지 10층 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드의 제조방법
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제 11항 또는 제 12항에 있어서,상기 분산브라그 반사층 형성단계는, 상기 자외선 파장이 271nm 내지 290nm인 경우, 상기 분산브라그 반사층에서, 상기 질화알루미늄의 두께는 23nm 내지 25nm, 상기 질화실리콘의 두께는 32nm 내지 33nm이며, 상기 이산화규소의 두께는 42nm 내지 44nm이고, 상기 자외선 파장이 291nm 내지 310nm인 경우, 상기 분산브라그 반사층에서, 상기 질화알루미늄의 두께는 25nm 내지 27nm, 상기 질화실리콘의 두께는 34nm 내지 36nm이며, 상기 이산화규소의 두께는 45nm 내지 48nm이고, 상기 분산브라그 반사층은, 상기 질화알루미늄인 경우, 5층 내지 8층 적층되어 형성되며, 상기 질화실리콘인 경우, 8층 내지 10층 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 분산브라그반사소자를 이용한 자외선 발광다이오드의 제조방법
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