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플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015173906
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플립칩형 질화물계 발광소자와 그 제조방법에 관한 것으로서, 질화물계 발광소자는 기판, n형 클래드층, 활성층, p형 클래드층, 반사층이 순차적으로 적층되어 있고, 반사층은 은에 용질원소가 첨가된 합금 또는 고용체로 형성된다. 이러한 플립칩형 질화물계 발광소자 및 그 제조방법에 의하면, 열적 안정성이 향상되고 그에 따라 p형 클래드층과의 오믹접촉 특성이 개선되어 발광소자의 패키징 시 와이어 본딩 효율을 및 수율을 높일 수 있고, 낮은 비접촉 저항과 우수한 전류-전압 특성에 의해 소자의 발광효율 및 소자 수명을 향상시킬 수 있는 장점을 제공한다.
Int. CL H01L 33/46 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020030095544 (2003.12.23)
출원인 삼성전자주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-0624416-0000 (2006.09.08)
공개번호/일자 10-2005-0064195 (2005.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20060918) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2003.12.23)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 삼성전자주식회사 대한민국 경기도 수원시 영통구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 광주광역시 북구
2 송준오 대한민국 광주광역시 북구
3 임동석 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
2 삼성전자주식회사 경기도 수원시 영통구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2003.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2003-0491940-71
2 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2004.01.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2004-0005477-56
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2004.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2004-0031183-30
4 대리인 변경 신고서
Agent change Notification		 2004.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-0395296-80
5 출원인변경신고서
Applicant change Notification		 2004.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-5142792-97
6 대리인 선임 신고서
Notification of assignment of agent		 2004.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2004-0397027-62
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.07.15 수리 (Accepted) 4-1-2005-5072608-11
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2005.08.02 수리 (Accepted) 4-1-2005-5079334-14
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2005.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2005.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2005-0068912-14
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2005.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2005-0541133-75
12 의견서
Written Opinion		 2005.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2005-0767613-76
13 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2005.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2005-0767614-11
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2006.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0162620-09
15 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2006.05.24 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2006-0016157-73
16 등록결정서
Decision to grant		 2006.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0400772-46
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.21 수리 (Accepted) 4-1-2012-5132663-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 플립칩형 질화물계 발광소자에 있어서,상기 p형 클래드층 위에 형성된 표면 개질층;은(Ag)에 용질원소가 첨가되어 상기 표면 개질층 위에 형성된 반사층; 및상기 반사층 위에 형성되는 은 집괴방지층;을 구비하며, 상기 표면 개질층은 인듐(In), 아연(Zn), 주석(Sn), 구리(Cu), 은(Ag), 갈륨(Ga), 카드뮴(Cd) 중 적어도 하나 이상의 성분과 산소로 형성된 투명 전도성 산화물 중 어느 하나로 형성되며,상기 용질원소는 구리(Cu), 로듐(Rh), 인듐(In), 주석(Sn), 코발트(Co), 마그네슘(Mg), 루세늄(Ru), 이리듐(Ir), 납(Pb), Y망간(Mn), 레늄(Re), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 바나듐(V), 니오븀(Nb), 지르코늄(Zr), 하프늄(Hf), 스칸드늄(Sc), 이트륨(Y), 베릴륨(Be), La 계열의 원소 중 적어도 하나를 포함하고,상기 은 집괴방지층은 은(Ag), 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 구리(Cu), 타이타늄(Ti), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 탄탈륨(Ta), 바나듐(V), 레늄(Re) 중에서 선택된 어느 하나의 원소, 또는 상기 선택된 어느 하나의 원소를 포함하는 합금, 고용체 또는 타이타늄 질화물(TiN) 중에서 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
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제1항에 있어서, 상기 반사층의 열처리 시 상기 용질원소가 상기 p형 클래드층의 표면으로의 확산을 방지하기 위해 은(Ag)으로 상기 반사층과 상기 표면 개질층 사이에 형성한 확산방지층;을 더 구비하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자
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n형 클래드층과 p형 클래드층 사이에 활성층을 갖는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법에 있어서,가
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제6항에 있어서, 상기 반사층의 열처리 시 상기 반사층의 성분이 상기 p형 클래드층의 표면으로의 확산되는 것을 방지하기 위해, 상기 표면 개질층 형성단계와 상기 반사층 형성단계 사이에 상기 표면 개질층 위에 은(Ag)으로 확산방지층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 반사층의 열처리 시 상기 반사층의 성분이 상기 p형 클래드층의 표면으로의 확산되는 것을 방지하기 위해, 상기 표면 개질층 형성단계와 상기 반사층 형성단계 사이에 상기 표면 개질층 위에 은(Ag)으로 확산방지층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 플립칩형 질화물계 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 JP04990494 JP 일본 FAMILY
2 JP17184005 JP 일본 FAMILY
3 US07358541 US 미국 FAMILY
4 US20050133797 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN100365835 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN1638163 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 JP2005184005 JP 일본 DOCDBFAMILY
4 JP4990494 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2005133797 US 미국 DOCDBFAMILY
6 US7358541 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.