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폴리 실리콘 대비 실리콘 산화물에 대한 식각 선택비가 향상된 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014044058
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 폴리 실리콘 대비 실리콘 산화물에 대한 식각 선택비가 향상된 연마 슬러리 조성물 및 이를 사용한 반도체 소자 제조방법을 제공한다. 상기 제조방법은 기판 상에 폴리 실리콘 패턴을 형성하는 것을 포함한다. 상기 폴리 실리콘 패턴들의 상부 및 상기 폴리 실리콘 패턴들 사이에 제1 매립 산화막을 형성한다. 연마제 및 음이온성 불소계 계면활성제를 함유하는 연마 슬러리 조성물을 사용하여 상기 폴리 실리콘막이 노출될 때까지 상기 제1 매립 산화막을 화학기계적 연마한다. 상기 연마 슬러리 조성물은 0.5 내지 10wt%의 연마제, 0.0001 내지 ~ 10.0 wt%의 분산제, 0.0001 내지 10wt%의 음이온성 불소계 계면활성제, 및 잔량의 용매를 함유할 수 있다.
Int. CL H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/3105 (2006.01.01) C09K 3/14 (2006.01.01)
CPC H01L 21/76819(2013.01) H01L 21/76819(2013.01) H01L 21/76819(2013.01)
출원번호/일자 1020090096092 (2009.10.09)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1161482-0000 (2012.06.25)
공개번호/일자 10-2011-0038901 (2011.04.15) 문서열기
공고번호/일자 (20120702) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.10.09)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백운규 대한민국 서울특별시 강남구
2 박재근 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 김예환 대한민국 서울특별시 송파구
4 박진형 대한민국 울산광역시 울주군
5 임재형 대한민국 서울특별시 중랑구
6 최윤순 대한민국 강원도 강릉시 율곡로

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.10.09 수리 (Accepted) 1-1-2009-0619522-86
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.12.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.01.19 수리 (Accepted) 9-1-2011-0005383-58
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.03.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0169868-84
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0403711-13
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0403730-70
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0765766-49
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.02.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0144981-04
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.02.22 수리 (Accepted) 1-1-2012-0144960-45
10 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0294244-48
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 폴리 실리콘 패턴들을 형성하는 단계;상기 폴리 실리콘 패턴들의 상부 및 상기 폴리 실리콘 패턴들 사이에 제1 매립 산화막을 형성하는 단계; 및연마제 및 음이온성 불소계 계면활성제를 함유하는 연마 슬러리 조성물을 사용하여 상기 폴리 실리콘 패턴들이 노출될 때까지 상기 제1 매립 산화막을 화학기계적 연마하는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 음이온성 불소계 계면활성제는 인산 에스테르 불소계 계면활성제인 반도체 소자 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 연마 슬러리 조성물은 0
4 4
제3항에 있어서,상기 연마 슬러리 조성물은 0
5 5
제1항에 있어서,상기 폴리 실리콘 패턴들을 형성함과 동시에 상기 기판 내에 상기 폴리 실리콘 패턴들에 자기 정렬된 트렌치들을 형성하고, 상기 제1 매립 산화막은 상기 트렌치들 내에도 형성되는 반도체 소자 제조방법
6 6
제1항 또는 제5항에 있어서,상기 연마된 제1 매립 산화막을 에치백하여 상기 제1 매립 산화막의 상부면의 레벨을 상기 폴리 실리콘 패턴 보다 낮게 위치시키는 단계;상기 제1 매립 산화막 및 상기 폴리 실리콘 패턴 상에 제2 매립 산화막을 적층하는 단계; 및연마제 및 음이온성 불소계 계면활성제를 함유하는 연마 슬러리 조성물을 사용하여 상기 폴리 실리콘막이 노출될 때까지 상기 제2 매립 산화막을 화학기계적 연마하는 단계를 더 포함하는 반도체 소자 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 제1 매립 산화막은 USG막이고, 상기 제2 매립 산화막은 HDP-CVD막인 반도체 소자 제조방법
8 8
삭제
9 9
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10 10
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.