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SOI 웨이퍼와 열처리 공정을 이용한 박막 형성 및 전사 방법

  • 기술번호 : KST2019013609
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 박막 형성 및 전사 방법에 관한 것으로서, 일실시예에 따른 박막 형성 및 전사 방법은 백사이드 실리콘층, 매립 산화물층 및 실리콘층이 순차 적층된 SOI(Silicon-On-Insulator) 웨이퍼의 상부에 폴리머 본딩 물질(Polymer bonding material)이 코팅된 캐리어 웨이퍼(Carrir wafer)를 접합하는 단계와, 매립 산화물층을 식각 배리어(Etch barrier)로 이용하여 백사이드 실리콘층을 식각한 후, 매립 산화물층을 선택적으로 식각하는 단계와, 캐리어 웨이퍼를 폴리머 본딩 물질로부터 분리하고, 산화물층을 포함하는 타겟 웨이퍼를 실리콘층 하부에 직접 본딩(Direct bonding)을 통해 접합하는 단계 및 폴리머 본딩 물질을 제거하여 산화물층을 포함하는 타겟 웨이퍼의 상부에 실리콘층을 전사하는 단계를 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 21/18 (2006.01.01) H01L 21/762 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01) H01L 21/3213 (2006.01.01)
CPC H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01) H01L 21/185(2013.01)
출원번호/일자 1020180087826 (2018.07.27)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1969679-0000 (2019.04.10)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20190416) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2018.07.27)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최창환 서울특별시 성동구
2 전유림 서울특별시 성동구
3 한훈희 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김연권 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, ****/****호(문정동, 문정대명벨리온)(시안특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2018.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2018-0745295-94
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2019.02.20 수리 (Accepted) 1-1-2019-0179722-57
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2019.02.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2019.03.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2019-0028718-92
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2019.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0234071-14
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2019.04.02 수리 (Accepted) 1-1-2019-0336368-81
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2019.04.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-0336369-26
8 등록결정서
Decision to grant		 2019.04.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2019-0247297-18
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
백사이드 실리콘층, 매립 산화물층 및 실리콘층이 순차 적층된 SOI(Silicon-On-Insulator) 웨이퍼의 상부에 폴리머 본딩 물질(Polymer bonding material)이 코팅된 캐리어 웨이퍼(Carrir wafer)를 접합하는 단계; 상기 매립 산화물층을 식각 배리어(Etch barrier)로 이용하여 상기 백사이드 실리콘층을 식각한 후, 상기 매립 산화물층을 선택적으로 식각하는 단계; 상기 캐리어 웨이퍼를 상기 폴리머 본딩 물질로부터 분리하고, 산화물층을 포함하는 타겟 웨이퍼를 상기 실리콘층 하부에 직접 본딩(Direct bonding)을 통해 접합하는 단계 및 상기 폴리머 본딩 물질을 제거하여 상기 산화물층을 포함하는 타겟 웨이퍼의 상부에 상기 실리콘층을 전사하는 단계를 포함하는 박막 형성 및 전사 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 캐리어 웨이퍼를 접합하는 단계는 상기 백사이드 실리콘층을 그라인딩(Grinding)한 후, 상기 폴리머 본딩 물질이 코팅된 캐리어 웨이퍼를 접합하는박막 형성 및 전사 방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 캐리어 웨이퍼를 접합하는 단계는 상기 그라인딩을 통해 상기 백사이드 실리콘층을 200μm 두께로 형성하는박막 형성 및 전사 방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 캐리어 웨이퍼를 접합하는 단계는 300oC 이하의 온도와 10 kN 이하의 압력에서 상기 캐리어 웨이퍼를 접합하는박막 형성 및 전사 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 매립 산화물층을 선택적으로 식각하는 단계는 상기 백사이드 실리콘층을 건식 식각(Dry etching)한 후, 상기 매립 산화물층만을 선택적으로 습식 식각(Wet etching)하여 상기 실리콘층 박막을 형성하는 박막 형성 및 전사 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 직접 본딩을 통해 접합하는 단계는상기 실리콘층과 상기 산화물층을 포함하는 타겟 웨이퍼를 상기 직접 본딩으로 유도되는 반데르발스(Van der Waals) 힘에 의해 접합하는 박막 형성 및 전사 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 직접 본딩을 통해 접합하는 단계는상기 캐리어 웨이퍼를 상기 폴리머 본딩 물질로부터 분리한 후, 상기 실리콘층의 표면과 상기 산화물층을 포함하는 타겟 웨이퍼의 표면을 SC1 용액으로 세정하여 본딩 에너지를 증가시키는박막 형성 및 전사 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 직접 본딩을 통해 접합하는 단계는상기 SC1 용액으로 세정한 후, 상기 실리콘층 하부에 상기 산화물층을 포함하는 타겟 웨이퍼를 직접 본딩하고, 250℃이하의 저온에서 열처리를 진행하여 강한 공유 결합으로 상기 실리콘층과 상기 산화물층을 포함하는 타겟 웨이퍼를 접합하는 박막 형성 및 전사 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 실리콘층을 전사하는 단계는리무버 용액을 이용하여 150℃ 이하의 온도에서 상기 폴리머 본딩 물질을 선택적으로 제거하는 박막 형성 및 전사 방법
10 10
제1항 내지 제9항 중 어느 한항의 방법으로 제조된 3차원 적층 구조의 반도체 소자
지정국 정보가 없습니다
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DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 WO2020022764 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술정보통신부(2017Y) (재)한국연구재단 원천기술개발사업 / 나노·소재 기술개발사업 / 나노·소재원천기술개발사업 시냅스/뉴론 소자간 3차원 적층 공정 기술 및 시스템 구현