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제1 방향으로 신장된 트렌치가 형성된 기판;상기 트렌치 내부에 형성된 n형 반도체층;상기 n형 반도체층과 연결되고, 상기 트렌치의 에지에 형성된 발광층;상기 발광층에 연결되고, 상기 트렌치 외부의 상기 기판 상에 형성되고, 상기 제1 방향에 수직인 제2 방향으로 신장된 p형 반도체층;상기 n형 반도체층 상부에 형성된 음극; 및상기 p형 반도체층 상부에 형성된 양극을 포함하는 발광다이오드
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제1항에 있어서, 상기 n형 반도체는 산화아연 계열이며, 도판트로 ⅢA족 또는 ⅣA족 원소를 사용하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제2항에 있어서, 상기 p형 반도체는 도판트로 ΙA족, ⅡA족, ⅤA족 또는 AlN가 사용되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제1항에 있어서, 상기 음극은 상기 제1 방향으로 신장되고, 상기 n형 반도체 상에서는 라인 형태로 구비되고, 상기 트렌치 내부에서는 패드 형태로 구비되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제1항에 있어서, 상기 발광층은 진성 반도체의 성질을 가지며, 기계적 응력에 의해 부도체의 성질을 가지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제1 방향으로 신장된 트렌치를 가지는 기판;상기 트렌치 상에 형성된 n형 반도체층;상기 n형 반도체층 상에 형성된 광활성층;상기 광활성층 상부에 형성된 p형 반도체층;상기 n형 반도체층 상에 형성된 음극; 및상기 p형 반도체층 상에 형성되고, 상기 p형 반도체층 표면으로부터 상기 트렌치 외부의 기판 표면 상에 걸쳐 형성되는 양극을 포함하고,상기 n형 반도체층, 상기 광활성층 및 상기 p형 반도체층은 상기 트렌치 내부에 배치되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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7
제6항에 있어서, 상기 음극은 상기 제1 방향으로 신장되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제6항에 있어서, 상기 양극은 상기 제1 방향과 수직인 제2 방향으로 신장되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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제8항에 있어서, 상기 양극은 상기 p형 반도체 표면에서는 라인형태로 구비되고, 상기 트렌치 외부의 기판 표면 상에서는 패드 형태로 구비되는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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10
제6항에 있어서, 상기 기판은 상기 광활성층보다 낮은 굴절률을 가지는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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