요약 | 본 발명은 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 쌍안정 전도성 특성과 부저항 특성을 갖는 전하 트랩층과, 전하 트랩층과 전기적으로 연결되는 유기 발광층을 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. OLED, AMOLED, 유기물층, 유기 발광층, 쌍안정, 부저항, 그레이 스케일 |
---|---|
Int. CL | H05B 33/02 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 33/00 A00 (2008.05.01) |
CPC | H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020080037169 (2008.04.22) |
출원인 | 한양대학교 산학협력단 |
등록번호/일자 | 10-0994677-0000 (2010.11.10) |
공개번호/일자 | 10-2008-0095777 (2008.10.29) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20101117) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 |
대한민국 | 1020070039844 | 2007.04.24
|
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2008.04.22) |
심사청구항수 | 35 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 박재근 | 대한민국 | 경기도 성남시 분당구 |
2 | 이곤섭 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
3 | 이수환 | 대한민국 | 서울 도봉구 |
4 | 김달호 | 대한민국 | 서울 서초구 |
5 | 서성호 | 대한민국 | 서울 중랑구 |
6 | 남우식 | 대한민국 | 경기 화성 |
7 | 승현민 | 대한민국 | 서울 송파구 |
8 | 이종대 | 대한민국 | 경기 의정부시 신 |
9 | 신동원 | 대한민국 | 서울 양천구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 남승희 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한양대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성동구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.04.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0286320-14 |
2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.04.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0178759-82 |
3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.06.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0398875-27 |
4 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.06.22 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0398877-18 |
5 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.10.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0472630-10 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 쌍안정 전도성 특성과 부저항 특성을 갖는 전하 트랩층; 및 상기 전하 트랩층과 전기적으로 연결되는 유기 발광층을 포함하는 발광 소자 |
2 |
2 제 1 항에 있어서, 상기 전하 트랩층과 상기 유기 발광층의 상부 및 하부에 각각 형성된 상부 도전층 및 하부 도전층을 더 포함하는 발광 소자 |
3 |
3 제 2 항에 있어서, 상기 전하 트랩층과 상기 유기 발광층 사이에 형성된 중간 도전층을 더 포함하는 발광 소자 |
4 |
4 제 3 항에 있어서, 상기 유기 발광층과 상기 도전층들 중 어느 하나의 도전층 사이에 위치하는 홀 주입층 및 홀 전달층 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 발광 소자 |
5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 유기 발광층과 상기 도전층들 중 다른 하나의 도전층 사이에 위치하는 전자 전달층 및 전자 주입층 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 발광 소자 |
6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 전하 트랩층은 유기물층을 포함하는 발광 소자 |
7 |
7 제 6 항에 있어서, 상기 전하 트랩층은 상기 유기물층 내에 개재되며 복수의 나노크리스탈을 포함하는 나노크리스탈층을 더 포함하는 발광 소자 |
8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 복수의 나노크리스탈을 감싸는 배리어층을 더 포함하는 발광 소자 |
9 |
9 제 7 항에 있어서, 상기 나노크리스탈은 Al, Ti, Zn, Fe, Ni, Cu, Au, Ag과 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자 |
10 |
10 제 8 항에 있어서, 상기 배리어층은 산화물인 발광 소자 |
11 |
11 제 8 항에 있어서, 상기 배리어층은 유기물인 발광 소자 |
12 |
12 제 6 항에 있어서, 상기 유기물층은 저분자 또는 고분자 유기 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자 |
13 |
13 제 1 항에 있어서, 상기 유기 발광층은 저분자 또는 고분자 유기 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자 |
14 |
14 제 2 항에 있어서, 상기 발광 소자는 상기 상부 도전층 및 하부 도전층 사이의 인가되는 전압의 크기에 따라 프로그램 동작, 소거 동작 또는 읽기 동작을 수행하며, 상기 읽기 동작시 발광하는 발광 소자 |
15 |
15 제 14 항에 있어서, 상기 소거 전압은 절대값은 상기 프로그램 전압의 절대값보다 크며, 상기 읽기 전압의 절대값은 상기 프로그램 전압의 절대값보다 작은 발광 소자 |
16 |
16 제 15 항에 있어서, 상기 프로그램 전압, 소거 전압 및 읽기 전압은 포지티브 전압인 발광 소자 |
17 |
17 제 15 항에 있어서, 상기 프로그램 전압, 소거 전압 및 읽기 전압은 네가티브 전압인 발광 소자 |
18 |
18 제 14 항에 있어서, 상기 프로그램 동작을 위해 상기 상부 및 하부 도전층 사이에 복수의 크기를 갖는 프로그램 전압들이 인가되고, 상기 프로그램 전압들은 상기 발광 소자의 문턱 전압 이상부터 부저항 영역 이하에서 선택되며, 상기 프로그램 전압의 크기에 따라 상기 읽기 동작시 복수 레벨의 전류가 출력되는 발광 소자 |
19 |
19 제 18 항에 있어서, 상기 읽기 동작을 위해 상기 상부 및 하부 도전층 사이에 복수의 크기를 갖는 읽기 전압이 인가되고, 상기 읽기 전압은 상기 발광 소자의 문턱 전압보다 작은 영역에서 선택되며, 상기 읽기 전압의 크기에 따라 상기 읽기 동작시 복수 레벨의 전류가 출력되는 발광 소자 |
20 |
20 제 14 항에 있어서, 상기 읽기 동작을 위해 상기 상부 및 하부 도전층 사이에 복수의 크기를 갖는 읽기 전압이 인가되고, 상기 읽기 전압은 상기 발광 소자의 문턱 전압보다 작은 영역에서 선택되며, 상기 읽기 전압의 크기에 따라 상기 읽기 동작시 복수 레벨의 전류가 출력되는 발광 소자 |
21 |
21 제 1 항에 있어서, 상기 발광 소자는 전면 발광 또는 후면 발광하는 발광 소자 |
22 |
22 제 1 항에 있어서, 상기 발광 소자는 플렉서블 기판을 더 포함하는 발광 소자 |
23 |
23 기판 상부에 하부 도전층을 형성하는 단계; 상기 하부 도전층의 상부에 상부 도전층을 형성하는 단계; 상기 하부 도전층과 상기 상부 도전층 사이에 쌍안정 전도성 특성과 부저항 특성을 갖는 전하 트랩층을 형성하는 단계; 및 상기 하부 도전층과 상기 상부 도전층 사이에 상기 전하 트랩층과 전기적으로 연결되도록 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법 |
24 |
24 제 23 항에 있어서, 상기 전하 트랩층은 유기물층을 포함하는 발광 소자의 제조 방법 |
25 |
25 제 24 항에 있어서, 상기 전하 트랩층을 형성하는 단계는 상기 유기물층 내에 나노크리스탈층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법 |
26 |
26 제 25 항에 있어서, 상기 유기물층은 하부 유기물층 및 상부 유기물층을 포함하며, 상기 유기물층은 저분자 전도성 유기물을 포함하는 발광 소자의 제조 방법 |
27 |
27 제 26 항에 있어서, 상기 나노크리스탈층을 형성하는 단계는 상기 하부 유기물층 및 상부 유기물층 사이에 금속층을 형성하고, 상기 금속층을 산화시켜 나노크리스탈과 상기 나노크리스탈을 감싸는 배리어층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법 |
28 |
28 제 27 항에 있어서, 상기 산화 공정은 산소 플라즈마를 이용하는 발광 소자의 제조 방법 |
29 |
29 제 25 항에 있어서, 상기 유기물층은 하부 유기물층 및 상부 유기물층을 포함하며, 상기 하부 및 상부 유기물층은 고분자 전도성 유기물을 포함하는 발광 소자의 제조 방법 |
30 |
30 제 29 항에 있어서, 상기 나노크리스탈층을 형성하는 단계는 상기 하부 및 상부 유기물층 사이에 제 1 배리어층, 금속층 및 제 2 배리어층을 형성한 후 큐어링 공정을 실시하여 나노크리스탈과 상기 제 1 배리어층과 제 2 배리어층에 의하여 형성되며 상기 나노크리스탈을 둘러싼 배리어층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법 |
31 |
31 제 30 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 배리어층은 금속 산화물을 포함하는 발광 소자의 제조 방법 |
32 |
32 제 25 항에 있어서, 상기 유기물층 및 상기 나노크리스탈층은 나노크리스탈을 유기 물질에 분산시키고, 상기 유기 물질을 상기 기판상에 회전 도포한 후 열처리하여 형성하는 발광 소자의 제조 방법 |
33 |
33 제 32 항에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 상기 나노크리스탈 및 상기 나노크리스탈을 둘러싼 배리어층을 포함하며, 상기 배리어 물질을 유기 물질에 더 첨가하여 분산시키고, 상기 유기 물질을 상기 기판상에 회전 도포한 후 열처리하여 형성하는 발광 소자의 제조 방법 |
34 |
34 제 24 항에 있어서, 상기 유기물층과 상기 유기 발광층 사이에 중간 도전층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법 |
35 |
35 제 23 항에 있어서, 상기 기판은 플렉서블 기판인 발광 소자의 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | EP02147573 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
2 | EP02147573 | EP | 유럽특허청(EPO) | FAMILY |
3 | JP05247797 | JP | 일본 | FAMILY |
4 | JP22525543 | JP | 일본 | FAMILY |
5 | KR100921506 | KR | 대한민국 | FAMILY |
6 | KR100926687 | KR | 대한민국 | FAMILY |
7 | TW200903425 | TW | 대만 | FAMILY |
8 | TW200904235 | TW | 대만 | FAMILY |
9 | TW200906217 | TW | 대만 | FAMILY |
10 | TWI406226 | TW | 대만 | FAMILY |
11 | TWI449461 | TW | 대만 | FAMILY |
12 | TWI472262 | TW | 대만 | FAMILY |
13 | US08315080 | US | 미국 | FAMILY |
14 | US08441472 | US | 미국 | FAMILY |
15 | US20100208507 | US | 미국 | FAMILY |
16 | US20110205217 | US | 미국 | FAMILY |
17 | WO2008130194 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
18 | WO2008130195 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
19 | WO2008130207 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | FAMILY |
순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
---|---|---|---|---|
1 | EP2147573 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
2 | EP2147573 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
3 | EP2147573 | EP | 유럽특허청(EPO) | DOCDBFAMILY |
4 | JP2010525543 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
5 | JP2010525543 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
6 | JP2010525543 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
7 | JP5247797 | JP | 일본 | DOCDBFAMILY |
8 | KR100921506 | KR | 대한민국 | DOCDBFAMILY |
9 | KR100926687 | KR | 대한민국 | DOCDBFAMILY |
10 | KR20080095778 | KR | 대한민국 | DOCDBFAMILY |
11 | KR20080095799 | KR | 대한민국 | DOCDBFAMILY |
12 | TW200903425 | TW | 대만 | DOCDBFAMILY |
13 | TW200904235 | TW | 대만 | DOCDBFAMILY |
14 | TW200906217 | TW | 대만 | DOCDBFAMILY |
15 | TWI406226 | TW | 대만 | DOCDBFAMILY |
16 | TWI449461 | TW | 대만 | DOCDBFAMILY |
17 | TWI472262 | TW | 대만 | DOCDBFAMILY |
18 | US2010208507 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
19 | US2011205217 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
20 | US8315080 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
21 | US8441472 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
22 | WO2008130207 | WO | 세계지적재산권기구(WIPO) | DOCDBFAMILY |
국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-0994677-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20080422 출원 번호 : 1020080037169 공고 연월일 : 20101117 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20101022 청구범위의 항수 : 35 유별 : H05B 33/02 발명의 명칭 : 발광 소자 및 그 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 705,000 원 | 2010년 11월 11일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 810,000 원 | 2013년 09월 30일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 567,000 원 | 2014년 09월 23일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 567,000 원 | 2015년 10월 12일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 1,001,000 원 | 2016년 10월 04일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 1,001,000 원 | 2017년 09월 26일 | 납입 |
제 9 년분 | 금 액 | 715,000 원 | 2018년 11월 05일 | 납입 |
제 10 년분 | 금 액 | 1,082,500 원 | 2019년 09월 05일 | 납입 |
제 11 년분 | 금 액 | 1,082,500 원 | 2020년 10월 26일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.04.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0286320-14 |
2 | 의견제출통지서 | 2010.04.28 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0178759-82 |
3 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.06.22 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0398875-27 |
4 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.06.22 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0398877-18 |
5 | 등록결정서 | 2010.10.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0472630-10 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.06.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5068294-39 |
7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.02.16 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5022074-70 |
8 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.05 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5155816-75 |
9 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.06 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5156285-09 |
기술번호 | KST2014043615 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | 한양대학교 |
기술명 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
기술개요 |
본 발명은 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 쌍안정 전도성 특성과 부저항 특성을 갖는 전하 트랩층과, 전하 트랩층과 전기적으로 연결되는 유기 발광층을 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. OLED, AMOLED, 유기물층, 유기 발광층, 쌍안정, 부저항, 그레이 스케일 |
개발상태 | 기술개발진행중 |
기술의 우수성 | |
응용분야 | 액정 표시 장치 |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | 기술매매,라이센스, |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제고유번호 | 1345071018 |
---|---|
세부과제번호 | 과C6A1612 |
연구과제명 | 수요지향적정보기술전문인력양성사업단 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 교육과학기술부 |
연구관리전문기관명 | 한국학술진흥재단 |
연구주관기관명 | 한양대학교 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200603~201302 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | IT(정보기술) |
과제고유번호 | 1415108149 |
---|---|
세부과제번호 | 10029953 |
연구과제명 | 플렉서블 유기 메모리 원천기술 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가관리원 |
연구주관기관명 | 한양대학교산학협력단 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200708~201107 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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