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발광 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014043615
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광 소자 및 그 제조 방법에 관한 것으로, 쌍안정 전도성 특성과 부저항 특성을 갖는 전하 트랩층과, 전하 트랩층과 전기적으로 연결되는 유기 발광층을 포함하는 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. OLED, AMOLED, 유기물층, 유기 발광층, 쌍안정, 부저항, 그레이 스케일
Int. CL H05B 33/02 (2006.01.01) H01L 51/50 (2006.01.01) H01L 33/00 A00 (2008.05.01)
CPC H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)H05B 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020080037169 (2008.04.22)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0994677-0000 (2010.11.10)
공개번호/일자 10-2008-0095777 (2008.10.29) 문서열기
공고번호/일자 (20101117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020070039844   |   2007.04.24
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.22)
심사청구항수 35

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박재근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이곤섭 대한민국 서울특별시 강남구
3 이수환 대한민국 서울 도봉구
4 김달호 대한민국 서울 서초구
5 서성호 대한민국 서울 중랑구
6 남우식 대한민국 경기 화성
7 승현민 대한민국 서울 송파구
8 이종대 대한민국 경기 의정부시 신
9 신동원 대한민국 서울 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 남승희 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층(역삼동, 청보빌딩)(아인특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2008-0286320-14
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0178759-82
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0398875-27
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.06.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0398877-18
5 등록결정서
Decision to grant
2010.10.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0472630-10
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
쌍안정 전도성 특성과 부저항 특성을 갖는 전하 트랩층; 및 상기 전하 트랩층과 전기적으로 연결되는 유기 발광층을 포함하는 발광 소자
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 전하 트랩층과 상기 유기 발광층의 상부 및 하부에 각각 형성된 상부 도전층 및 하부 도전층을 더 포함하는 발광 소자
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 전하 트랩층과 상기 유기 발광층 사이에 형성된 중간 도전층을 더 포함하는 발광 소자
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 유기 발광층과 상기 도전층들 중 어느 하나의 도전층 사이에 위치하는 홀 주입층 및 홀 전달층 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 발광 소자
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 유기 발광층과 상기 도전층들 중 다른 하나의 도전층 사이에 위치하는 전자 전달층 및 전자 주입층 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 발광 소자
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 전하 트랩층은 유기물층을 포함하는 발광 소자
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 전하 트랩층은 상기 유기물층 내에 개재되며 복수의 나노크리스탈을 포함하는 나노크리스탈층을 더 포함하는 발광 소자
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 복수의 나노크리스탈을 감싸는 배리어층을 더 포함하는 발광 소자
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 나노크리스탈은 Al, Ti, Zn, Fe, Ni, Cu, Au, Ag과 이들의 합금 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 배리어층은 산화물인 발광 소자
11 11
제 8 항에 있어서, 상기 배리어층은 유기물인 발광 소자
12 12
제 6 항에 있어서, 상기 유기물층은 저분자 또는 고분자 유기 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 유기 발광층은 저분자 또는 고분자 유기 물질 중 적어도 어느 하나를 포함하는 발광 소자
14 14
제 2 항에 있어서, 상기 발광 소자는 상기 상부 도전층 및 하부 도전층 사이의 인가되는 전압의 크기에 따라 프로그램 동작, 소거 동작 또는 읽기 동작을 수행하며, 상기 읽기 동작시 발광하는 발광 소자
15 15
제 14 항에 있어서, 상기 소거 전압은 절대값은 상기 프로그램 전압의 절대값보다 크며, 상기 읽기 전압의 절대값은 상기 프로그램 전압의 절대값보다 작은 발광 소자
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 프로그램 전압, 소거 전압 및 읽기 전압은 포지티브 전압인 발광 소자
17 17
제 15 항에 있어서, 상기 프로그램 전압, 소거 전압 및 읽기 전압은 네가티브 전압인 발광 소자
18 18
제 14 항에 있어서, 상기 프로그램 동작을 위해 상기 상부 및 하부 도전층 사이에 복수의 크기를 갖는 프로그램 전압들이 인가되고, 상기 프로그램 전압들은 상기 발광 소자의 문턱 전압 이상부터 부저항 영역 이하에서 선택되며, 상기 프로그램 전압의 크기에 따라 상기 읽기 동작시 복수 레벨의 전류가 출력되는 발광 소자
19 19
제 18 항에 있어서, 상기 읽기 동작을 위해 상기 상부 및 하부 도전층 사이에 복수의 크기를 갖는 읽기 전압이 인가되고, 상기 읽기 전압은 상기 발광 소자의 문턱 전압보다 작은 영역에서 선택되며, 상기 읽기 전압의 크기에 따라 상기 읽기 동작시 복수 레벨의 전류가 출력되는 발광 소자
20 20
제 14 항에 있어서, 상기 읽기 동작을 위해 상기 상부 및 하부 도전층 사이에 복수의 크기를 갖는 읽기 전압이 인가되고, 상기 읽기 전압은 상기 발광 소자의 문턱 전압보다 작은 영역에서 선택되며, 상기 읽기 전압의 크기에 따라 상기 읽기 동작시 복수 레벨의 전류가 출력되는 발광 소자
21 21
제 1 항에 있어서, 상기 발광 소자는 전면 발광 또는 후면 발광하는 발광 소자
22 22
제 1 항에 있어서, 상기 발광 소자는 플렉서블 기판을 더 포함하는 발광 소자
23 23
기판 상부에 하부 도전층을 형성하는 단계; 상기 하부 도전층의 상부에 상부 도전층을 형성하는 단계; 상기 하부 도전층과 상기 상부 도전층 사이에 쌍안정 전도성 특성과 부저항 특성을 갖는 전하 트랩층을 형성하는 단계; 및 상기 하부 도전층과 상기 상부 도전층 사이에 상기 전하 트랩층과 전기적으로 연결되도록 유기 발광층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
24 24
제 23 항에 있어서, 상기 전하 트랩층은 유기물층을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
25 25
제 24 항에 있어서, 상기 전하 트랩층을 형성하는 단계는 상기 유기물층 내에 나노크리스탈층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
26 26
제 25 항에 있어서, 상기 유기물층은 하부 유기물층 및 상부 유기물층을 포함하며, 상기 유기물층은 저분자 전도성 유기물을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
27 27
제 26 항에 있어서, 상기 나노크리스탈층을 형성하는 단계는 상기 하부 유기물층 및 상부 유기물층 사이에 금속층을 형성하고, 상기 금속층을 산화시켜 나노크리스탈과 상기 나노크리스탈을 감싸는 배리어층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
28 28
제 27 항에 있어서, 상기 산화 공정은 산소 플라즈마를 이용하는 발광 소자의 제조 방법
29 29
제 25 항에 있어서, 상기 유기물층은 하부 유기물층 및 상부 유기물층을 포함하며, 상기 하부 및 상부 유기물층은 고분자 전도성 유기물을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
30 30
제 29 항에 있어서, 상기 나노크리스탈층을 형성하는 단계는 상기 하부 및 상부 유기물층 사이에 제 1 배리어층, 금속층 및 제 2 배리어층을 형성한 후 큐어링 공정을 실시하여 나노크리스탈과 상기 제 1 배리어층과 제 2 배리어층에 의하여 형성되며 상기 나노크리스탈을 둘러싼 배리어층을 형성하는 단계를 포함하는 발광 소자의 제조 방법
31 31
제 30 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 배리어층은 금속 산화물을 포함하는 발광 소자의 제조 방법
32 32
제 25 항에 있어서, 상기 유기물층 및 상기 나노크리스탈층은 나노크리스탈을 유기 물질에 분산시키고, 상기 유기 물질을 상기 기판상에 회전 도포한 후 열처리하여 형성하는 발광 소자의 제조 방법
33 33
제 32 항에 있어서, 상기 나노크리스탈층은 상기 나노크리스탈 및 상기 나노크리스탈을 둘러싼 배리어층을 포함하며, 상기 배리어 물질을 유기 물질에 더 첨가하여 분산시키고, 상기 유기 물질을 상기 기판상에 회전 도포한 후 열처리하여 형성하는 발광 소자의 제조 방법
34 34
제 24 항에 있어서, 상기 유기물층과 상기 유기 발광층 사이에 중간 도전층을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 소자의 제조 방법
35 35
제 23 항에 있어서, 상기 기판은 플렉서블 기판인 발광 소자의 제조 방법
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1 EP02147573 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 EP02147573 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP05247797 JP 일본 FAMILY
4 JP22525543 JP 일본 FAMILY
5 KR100921506 KR 대한민국 FAMILY
6 KR100926687 KR 대한민국 FAMILY
7 TW200903425 TW 대만 FAMILY
8 TW200904235 TW 대만 FAMILY
9 TW200906217 TW 대만 FAMILY
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11 TWI449461 TW 대만 FAMILY
12 TWI472262 TW 대만 FAMILY
13 US08315080 US 미국 FAMILY
14 US08441472 US 미국 FAMILY
15 US20100208507 US 미국 FAMILY
16 US20110205217 US 미국 FAMILY
17 WO2008130194 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
18 WO2008130195 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
19 WO2008130207 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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2 EP2147573 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP2147573 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2010525543 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2010525543 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP2010525543 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP5247797 JP 일본 DOCDBFAMILY
8 KR100921506 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
9 KR100926687 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
10 KR20080095778 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
11 KR20080095799 KR 대한민국 DOCDBFAMILY
12 TW200903425 TW 대만 DOCDBFAMILY
13 TW200904235 TW 대만 DOCDBFAMILY
14 TW200906217 TW 대만 DOCDBFAMILY
15 TWI406226 TW 대만 DOCDBFAMILY
16 TWI449461 TW 대만 DOCDBFAMILY
17 TWI472262 TW 대만 DOCDBFAMILY
18 US2010208507 US 미국 DOCDBFAMILY
19 US2011205217 US 미국 DOCDBFAMILY
20 US8315080 US 미국 DOCDBFAMILY
21 US8441472 US 미국 DOCDBFAMILY
22 WO2008130207 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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