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소정의 임계온도에서 급격한 금속-절연체 전이(Metal-Insulator Transition: MIT)가 발생하는 MIT 물질을 포함하고,상기 MIT 물질에 의하여 상기 임계온도 이상에서 가시광선은 투과하고 원적외선은 반사하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 MIT 물질은 바나듐 옥사이드(VO2)인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 MIT 물질은 상기 태양전지의 반사 방지막 대신에 사용되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 MIT 물질은 상기 태양전지에 포함된 반사 방지막 상부에 증착되는 것을 특징으로 하는 원적외선을 반사하는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 MIT 물질은 태양전지의 반사 방지막 상부에 증착되되, 상기 MIT 물질을 보호하는 보호막 하부에 증착되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제5 항에 있어서,상기 보호막은 웨이퍼 기반 태양전지, 박막형 태양전지, 기판(substrate)형 구조 태양전지, 및 슈퍼스트레이트(superstrate)형 구조 태양전지 중 어느 하나의 기본 구조에 따라 해당 위치에 배치되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 1 항에서상기 태양전지는 단결정 실리콘 태양전지, 폴리 실리콘 태양전지, 박막형 실리콘 태양전지, CIGS(Cupper Indium Gallium Diselenide) 박막형 태양전지, 및 집광형 화합물 반도체 태양전지 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 태양전지는,하부 전극;상기 하부 전극 상으로 형성된 광-유기 물질 복합체층; 상기 광-유기 물질 복합체층 상으로 형성된 반사 방지막;상기 반사 방지막 상으로 상기 MIT 물질로 형성된 원적외선 반사막;상기 원적외선 반사막 상으로 형성된 태양전지 보호막; 및상기 태양전지 보호막, 원적외선 반사막 및 반사 방지막을 관통하여 상기 광-유기 물질 복합체층 상으로 형성된 상부 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제8 항에 있어서,상기 광-유기 물질 복합체층은 p-형 반도체층 및 n-형 반도체층;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제9 항에 있어서,상기 p-형 반도체층은 상기 하부 전극 상에 형성되고,상기 n-형 반도체층은 상기 p-형 반도체층 상으로 형성되며,상기 n-형 및 n-형 반도체층 상으로 빛이 입사하여 본질적인 에너지 준위에 있는 전자 및 전공이 이동자가 되면서 전위차가 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1 항에 있어서,상기 태양전지는,하부 전극;상기 하부 전극 상으로 형성된 광-유기 물질 복합체층; 상기 광-유기 물질 복합체층 상으로 상기 MIT 물질로 형성된 원적외선 반사막;상기 원적외선 반사막 상으로 형성된 태양전지 보호막; 및상기 태양전지 보호막, 원적외선 반사막 및 반사 방지막을 관통하여 상기 광-유기 물질 복합체층 상으로 형성된 상부 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1 항의 태양전지가 적어도 2개 직렬로 연결되어 형성된 태양전지 모듈
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제12 항에 있어서,상기 MIT 물질은 바나듐 옥사이드(VO2)인 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈
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제 12 항에서,상기 태양전지는 단결정 실리콘 태양전지, 폴리 실리콘 태양전지, 박막형 실리콘 태양전지, CIGS(Cupper Indium Gallium Diselenide) 박막형 태양전지, 및 집광형 화합물 반도체 태양전지 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 태양전지 모듈
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제12 항의 태양전지 모듈을 포함하는 태양광 발전 시스템
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