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각각 p자 및 q자 형상으로 이루어져, 돌출부가 서로 마주보도록 이격 배치된 제1,2 리드를 포함하는 리드 프레임; 및
기판과, 상기 기판 위에 형성된 모트 절연체와, 상기 모트 절연체에 각각 연결되는 제1,2 전극을 포함하여, 상기 기판이 위로 향하고 상기 제1,2 전극이 아래로 향하여 각각 상기 제1,2 리드 위에 본딩볼을 통해 각각 접합되는 MIT(Metal-insulator transition) 칩을 포함하며, 상기 리드 프레임은 MIT 칩의 지지대 역할과 전기적 통로 역할을 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이 소자
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제1항에 있어서, 상기 MIT 칩은,
상기 기판이 직사각형 형상이고, 상기 제1,2 전극이 상기 기판의 길이 방향 양단에 형성되는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이 소자
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제1항에 있어서,
상기 본딩볼은 전도성 에폭시로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이 소자
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제1항에 있어서,
상기 MIT 칩을 둘러싸도록 형성되어 상기 MIT 칩을 보호하는 몰딩부를 더 포함하는 금속-절연체 전이 소자
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각각 p자 및 q자 형상으로 이루어져, 돌출부가 서로 마주보도록 이격 배치된 제1,2 리드를 포함하는 리드 프레임을 형성하는 단계;
기판과 상기 기판 위에 형성된 모트 절연체와 상기 모트 절연체에 각각 연결되는 제1,2 전극을 포함하는 MIT 칩을, 상기 기판이 위로 향하고 상기 제1,2 전극이 아래로 향하도록 뒤집어, 상기 제1,2 전극과 상기 리드 프레임의 제1,2 리드를 본딩하는 단계를 포함하며, 상기 리드 프레임은 MIT 칩의 지지대 역할과 전기적 통로 역할을 동시에 수행하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이 소자의 패키지 방법
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제5항에 있어서,
상기 MIT 칩 및 상기 MIT 칩과 상기 리드 프레임의 접합부분을 에폭시 화합물로 몰딩하는 단계를 더 포함하는 금속-절연체 전이 소자의 패키지 방법
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제5항에 있어서, 상기 MIT 칩은,
상기 기판이 직사각형 형상이고, 상기 제1,2 전극이 상기 기판의 길이 방향 양단에 형성되는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이 소자의 패키지 방법
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8
제5항에 있어서,
상기 본딩하는 단계는, 전도성 에폭시를 이용하여 상기 제1,2 전극과 제1,2 리드를 접합하는 것을 특징으로 하는 금속-절연체 전이 소자의 패키지 방법
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