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나노 입자를 이용한 플라즈마 디스플레이 소자 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014046567
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 나노 입자를 이용한 플라즈마 디스플레이 소자 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 일 실시예에 따른 플라즈마 디스플레이 소자는 전면 기판 상부 일부에 형성되는 투명 전극; 상기 전면 기판 및 상기 투명 전극 상부에 형성되는 상부 유전체층; 및 이차 전자 방출 계수를 향상시키기 위한 금속 나노 입자들을 포함하며, 상기 상부 유전체층 상부에 형성되는 보호막층을 포함함으로써, 플라즈마 디스플레이 소자의 동작 전압을 낮추고, 방전효율을 증가시키며, 유지 방전 반응 시간을 줄이고, 어드레스 방전 지연 시간을 감소시킬 수 있다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01J 11/40 (2012.01)
CPC H01J 11/40(2013.01) H01J 11/40(2013.01) H01J 11/40(2013.01) H01J 11/40(2013.01) H01J 11/40(2013.01)
출원번호/일자 1020120027045 (2012.03.16)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1171031-0000 (2012.07.30)
공개번호/일자 10-2012-0061782 (2012.06.13) 문서열기
공고번호/일자 (20120806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2010-0039792 (2010.04.29)
관련 출원번호 1020100039792
심사청구여부/일자 Y (2012.03.16)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경철 대한민국 대전 유성구
2 김우현 대한민국 서울 구
3 조관현 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2012.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0213427-28
2 등록결정서
Decision to grant
2012.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0250997-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전면 기판 상부 일부에 형성되는 투명 전극;상기 전면 기판 및 상기 투명 전극 상부에 형성되는 상부 유전체층; 및이차 전자 방출 계수를 향상시키기 위한 금속 나노 입자들을 포함하며, 상기 상부 유전체층 상부에 형성되는 보호막층을 포함하며,상기 보호막층은상기 금속 나노 입자들이 형성된 위치의 상부 면이 돌출되도록 형성되며,상기 금속 나노 입자들은상기 상부 유전체층과 상기 보호막층 사이에 더 형성되며,상기 금속 나노 입자들의 재질은Au, Ag, Al, Cu를 포함하는 전이금속인 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 금속 나노 입자들은20[nm] 내지 500[nm] 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 소자
3 3
제1항에 있어서,상기 금속 나노 입자들은구 형태, 클러스터 형태 및 보우 형태를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 소자
4 4
제1항에 있어서,상기 금속 나노 입자들은공기 분사법에 의해 상기 보호막층에 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 소자
5 5
전면 기판 상부 일부에 투명 전극을 형성하는 단계;상기 전면 기판 및 상기 투명 전극 상부에 상부 유전체층을 형성하는 단계; 및상기 상부 유전체층 상부에 이차 전자 방출 계수를 향상시키기 위한 금속 나노 입자들을 포함하는 보호막층을 형성하는 단계를 포함하며,상기 보호막층을 형성하는 단계는상기 상부 유전체층 상부에 상기 보호막층을 형성하고 그 상부에 상기 금속 나노 입자들을 형성하며 그 상부에 상기 보호막층을 다시 형성하는 것에 의해, 상기 보호막층은 상기 금속 나노 입자들이 형성된 위치의 상부 면이 돌출되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 소자 제조 방법
6 6
제5항에 있어서,상기 보호막층을 형성하는 단계는상기 상부 유전체층 상부에 상기 금속 나노 입자들을 더 형성하고, 그 상부에 상기 보호막층을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 소자 제조 방법
7 7
제5항에 있어서,상기 보호막층을 형성하는 단계는공기 분사법을 이용하여 상기 보호막층에 상기 금속 나노 입자들을 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 소자 제조 방법
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