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기판;상기 기판 상부에 형성되는 형광체 층;상기 형광체 층과 인접하여 형성되는 스페이서; 및표면 플라즈몬 공명 특성이 미치는 거리 내에 상기 형광체 층이 위치하도록 상기 스페이서 외부에 배치되는 메탈 나노 입자를 포함하며,상기 스페이서는 상기 형광체 층의 상부에 형성되고 상기 스페이서의 상부에 상기 메탈 나노 입자가 배치되는 것을 특징으로 하는 음극선 발광 형광체의 구조
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제8 항에 있어서,상기 메탈 나노 입자는, 표면 플라즈몬 공명 특성을 갖는 금 나노 입자, 은 나노 입자, 알루미늄 나노 입자, 및 구리 나노 입자 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 음극선 발광 형광체의 구조
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제8 항에 있어서,상기 메탈 나노 입자는, 표면 플라즈몬 공명 특성이 강화될 수 있도록 구형, 다면체, 및 보우 타이(bow tie) 중 어느 하나의 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 음극선 발광 형광체의 구조
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제8 항에 있어서,상기 메탈 나노 입자는, 열적 증착 방법, 전자빔 증착 방법, 및 스크린 프린팅 방법 중 어느 하나의 방법으로 증착되되, 불규칙하게 배치되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 음극선 발광 형광체의 구조
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제8 항에 있어서,상기 스페이서는, 그 재질이 MgO, SiO2, Al2O3 중 어느 하나의 유전체인 것을 특징으로 하는 음극선 발광 형광체의 구조
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제8 항에 있어서,상기 스페이서는, 1 내지 10 사이의 유전상수를 갖는 유전체를 사용하는 것을 특징으로 하는 음극선 발광 형광체의 구조
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제8 항에 있어서,상기 스페이서는, 그 두께가 5nm 내지 100nm 사이로 형성되는 것을 특징으로 하는 음극선 발광 형광체의 구조
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기판;상기 기판 상부에 형성되는 형광체 층;상기 형광체 층의 내부에 형성되는 스페이서; 및표면 플라즈몬 공명 특성이 미치는 거리 내에 상기 형광체 층이 위치하도록 상기 스페이서 내부에 배치되는 메탈 나노 입자를 포함하며,상기 스페이서는 상기 형광체 층의 상단, 중간, 및 하단 중 어느 하나의 위치에 형성되고, 상기 스페이서의 내부에 상기 메탈 나노 입자가 배열되는 것을 특징으로 하는 음극선 발광 형광체의 구조
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