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터치패널용 전극 형성 방법

  • 기술번호 : KST2014046644
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 인쇄법 혹은 포토리소그라피 공정을 통해 발생하는 가장자리에서의 패턴 뭉개짐을 방지하고, 고품질의 전극라인이 생성되도록 하는 방법에 관한 것이다. 본 발명의 일면에 따른 터치패널의 전극 패턴을 형성하는 방법은, 기판 위에 감광성 금속 재료를 이용하여 목표 전극보다 넓은 폭을 갖는 전극 패턴을 형성하는 단계, 및 상기 전극 패턴과 대응되는 위치에 상기 목표 전극과 실질적으로 동일한 패턴을 갖는 포토 마스크를 상기 전극 패턴 위에 정렬하고 노광을 수행하는 단계를 포함한다.
Int. CL G06F 3/041 (2006.01) H01L 21/28 (2006.01)
CPC G06F 3/041(2013.01) G06F 3/041(2013.01) G06F 3/041(2013.01)
출원번호/일자 1020100031813 (2010.04.07)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1075428-0000 (2011.10.14)
공개번호/일자 10-2011-0112615 (2011.10.13) 문서열기
공고번호/일자 (20111024) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.07)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안성일 대한민국 대전광역시 유성구
2 최경철 대한민국 대전광역시 유성구
3 이성의 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충정 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로***,*층(역삼동,성보역삼빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0221372-79
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0347253-46
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0587282-86
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0587283-21
5 등록결정서
Decision to grant
2011.09.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0559052-37
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
터치패널의 전극 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 기판 위에 감광성 금속 재료를 이용하여 목표 전극보다 넓은 폭을 갖는 전극 패턴을 형성하는 단계; 및상기 전극 패턴과 대응되는 위치에 상기 목표 전극과 동일한 패턴을 갖는 포토 마스크를 상기 전극 패턴 위에 정렬하고 노광을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 전극 패턴을 형성하는 방법
2 2
터치패널의 전극 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 기판 위에 비감광성 금속 재료를 이용하여 목표 전극보다 넓은 폭을 갖는 전극 패턴을 형성하는 단계; 상기 전극 패턴 위에 상기 전극 패턴과 동일한 패턴의 감광막 패턴을 형성하는 단계; 및상기 전극 패턴 및 상기 감광막 패턴과 대응되는 위치에 상기 목표 전극과 동일한 패턴을 갖는 포토 마스크를 상기 전극 패턴 위에 정렬하고 노광을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 전극 패턴을 형성하는 방법
3 3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전극 패턴을 형성하는 단계에서,인쇄법을 이용하여 상기 전극 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 전극 패턴을 형성하는 방법
4 4
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전극 패턴을 형성하는 단계에서,잉크젯 방법을 이용하여 상기 전극 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 전극 패턴을 형성하는 방법
5 5
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전극 패턴을 형성하는 단계에서,폭이 80㎛ 내지 200㎛인 상기 전극 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 전극 패턴을 형성하는 방법
6 6
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전극 패턴을 형성하는 단계에서,상기 전극 패턴의 단면의 아랫변의 길이가 윗변의 길이와 동일한 길이를 가지거나, 윗변의 길이가 아랫변의 길이보다 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 터치패널의 전극 패턴을 형성하는 방법
7 7
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전극 패턴을 형성하는 단계에서,상기 기판의 중심부의 전극과 상기 기판의 가장자리 쪽의 전극 간의 높이의 편차가 20% 이내인 것을 특징으로 하는 터치패널의 전극 패턴을 형성하는 방법
8 8
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 전극 패턴을 형성하는 단계에서,상기 기판에 전면 인쇄후 식각하는 공정 없이 직접적으로 부분 패턴 인쇄를 이용하여 상기 전극 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 터치패널의 전극 패턴을 형성하는 방법
9 9
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10 10
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.