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탄소 박막 제조 및 반도체 기억 소자 제조 기술

  • 기술번호 : KST2014047394
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 실시예에 따른 탄소 박막 제조방법은 반응 공간에 탄소원으로 할로겐화탄소를 공급하고, 상기 반응 공간에 반응물을 공급하되, 상기 반응물은 상기 할로겐화탄소의 할로겐 원소에 대하여 탄소보다 큰 결합에너지를 갖는 물질을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 21/205 (2006.01)
CPC H01L 21/02115(2013.01) H01L 21/02115(2013.01) H01L 21/02115(2013.01) H01L 21/02115(2013.01)
출원번호/일자 1020110066555 (2011.07.05)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1261548-0000 (2013.04.30)
공개번호/일자 10-2013-0005150 (2013.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20130509) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.05)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김형준 대한민국 서울특별시 영등포구
2 최태진 대한민국 서울특별시 서대문구
3 강혜민 대한민국 전라남도 여수시
4 윤재홍 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0514739-50
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0990239-75
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0622704-00
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.12.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-1059863-76
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-1059864-11
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0271830-45
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
반응 공간에 탄소원으로 할로겐화탄소를 공급하여 상기 할로겐화탄소를 증착하고,상기 반응 공간에 상기 할로겐화탄소의 할로겐 원소에 대하여 탄소보다 큰 결합 에너지를 갖는 반응물을 공급하되, 상기 탄소와 상기 할로겐 원소 간의 결합 에너지와 상기 반응물과 상기 할로겐 원소 간의 결합 에너지 사이의 차이를 이용하여 상기 증착된 할로겐화탄소로부터 상기 할로겐 원소를 제거하는 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조방법
2 2
제1 항에 있어서,상기 할로겐화탄소는 CF4, CF3Cl, CCl4, 또는 CBr4인 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조방법
3 3
제1 항에 있어서,상기 반응 공간은 300℃ 내지 400℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조방법
4 4
제1 항에 있어서,상기 탄소 박막에 포함된 상기 할로겐 원소의 원소 비율은 5% 이내인 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조방법
5 5
제1 항에 있어서,상기 반응물은 수소 가스(H2) 또는 수소 플라즈마인 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조방법
6 6
제1 항에 있어서,상기 할로겐화탄소는 CBr4이고, 상기 반응물은 수소 가스인 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조방법
7 7
제1 항에 있어서,상기 반응물과 상기 할로겐 원소가 반응하여 생성된 화합물을 제거하는 과정을 더 포함하는 탄소 박막 제조방법
8 8
제1 항에 있어서,상기 반응 공간에 탄소원으로 할로겐화탄소를 공급하고, 상기 반응 공간에 반응물을 공급하는 과정을 반복하여 상기 탄소 박막의 목표 두께를 형성하는 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조방법
9 9
제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 탄소 박막 제조방법은 원자층 증착법(Atomic Layer Deposition, ALD)을 사용하는 것을 특징으로 하는 탄소 박막 제조방법
10 10
기판 위에 제1 전극막을 형성하는 단계;상기 제1 전극 위에 유전막을 콘포말하게 형성하는 단계; 그리고상기 유전막 위에 제2 전극막을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 전극을 형성하는 단계는,반응 공간에 탄소원으로 할로겐화탄소를 공급하고,상기 반응 공간에 상기 할로겐화탄소의 할로겐 원소에 대하여 탄소보다 큰 결합에너지를 갖는 물질을 포함하는 반응물을 공급하여 상기 제1 전극막을 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 소자 제조방법
11 11
제10 항에 있어서,상기 할로겐화탄소는 CF4, CF3Cl, CCl4, 또는 CBr4인 것을 특징으로 하는 반도체 기억 소자 제조방법
12 12
제10 항에 있어서,상기 반응물은 수소 가스(H2) 또는 수소 플라즈마인 것을 특징으로 하는 반도체 기억 소자 제조방법
13 13
기판 위에 형성되는 제1 전극막;상기 제1 전극막 위에 형성되는 유전막; 그리고상기 유전막 위에 형성되는 제2 전극막을 포함하고, 상기 제1 전극막은 비정질 탄소막이며, 할로겐 원소를 5% 이내로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 소자
14 14
제13 항에 있어서,상기 제1 전극막은 원자층 증착법을 이용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 일반연구자지원(기본연구) 롤투롤 원자층 증착 공정을 이용한 유연 소자용 고성능 투명 산화막 연구 (2/3)
2 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 신기술융합형 성장동력사업 ALD기반 그래핀 FET 및 solid-state device 응용 연구 (1/3,3-5 차년도 참여)
3 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 미래기반기술개발사업(나노분야) 원자층 증착법을 이용한 반도체 나노선 어레이의 특성 향상과 고효율 소자에의 응용 (2/3)
4 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(핵심연구사업) 테라헤르츠 기반 초민감 다중 분자 검지 시스템 (1/3)