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기판 위에 금속 박막을 증착하는 제1단계와;
상기 기판 위에 증착된 금속 박막을 가열하여 열적 응집현상을 통해 나노 스케일의 주기를 갖는 복수의 금속 나노 점(nano dot)을 형성하는 제2단계와;
상기 형성된 금속 나노 점을 식각 마스크로 이용하여 식각을 통해 높은 세장비(aspect ratio)를 갖는 원뿔 형태의 복수의 나노 구조물을 제작하는 제3단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 박막의 열적 응집 현상을 이용한 기판의 반사방지표면 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 박막은 백금(Pt)과 팔라듐(Pd) 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속 박막의 열적 응집 현상을 이용한 기판의 반사방지표면 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 기판은 DSOI(Double Silicon-On-Insulator) 웨이퍼, SOI(Silicon-On-Insulator) 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 사파이어, 석영, 유리 중에서 선택된 어느 하나가 적용되는 것을 특징으로 하는 금속 박막의 열적 응집 현상을 이용한 기판의 반사방지표면의 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 박막은 스퍼터링(Sputtering) 또는 화학기상증착(CVD)을 이용하여 기판 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 금속 박막의 열적 응집 현상을 이용한 기판의 반사방지표면의 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 박막의 가열은 급속열처리(RTP;Rapid Thermal Processing) 또는 가열로(furnace)를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 박막의 열적 응집 현상을 이용한 기판의 반사방지표면의 제작방법
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제1항에 있어서, 상기 금속 나노 점을 식각 마스크로 하는 식각 방법은 건식 또는 습식 식각 방법이 이용되는 것을 특징으로 하는 열적 응집 현상을 이용한 기판의 반사방지표면의 제작방법
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반사방지표면이 형성된 기판에 있어서,
상기 반사방지표면은 기판 위에 금속 박막을 증착한 후 가열하여 열적 응집을 통해 금속 나노점(nano dot)을 형성하고, 상기 금속 나노점을 식각 마스크로 이용하여 식각을 통해 높은 세장비(aspect ratio)를 갖는 원뿔 형태의 복수의 나노 구조물을 형성한 것을 특징으로 하는 금속 박막의 열적 응집 현상을 이용한 반사방지표면이 형성된 기판
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제7항에 있어서, 상기 금속 박막은 백금(Pt)과 팔라듐(Pd) 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 금속 박막의 열적 응집 현상을 이용한 반사방지표면이 형성된 기판
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제7항에 있어서, 상기 기판은 DSOI(Double Silicon-On-Insulator) 웨이퍼, SOI(Silicon-On-Insulator) 웨이퍼, 실리콘 웨이퍼, 사파이어, 석영, 유리 중에서 선택된 어느 하나가 적용되는 것을 특징으로 하는 금속 박막의 열적 응집 현상을 이용한 반사방지표면이 형성된 기판
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제7항에 있어서, 상기 금속 박막은 스퍼터링(Sputtering) 또는 화학기상증착(CVD)을 이용하여 기판 위에 증착되는 것을 특징으로 하는 금속 박막의 열적 응집 현상을 이용한 반사방지표면이 형성된 기판
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제7항에 있어서, 상기 금속 박막의 가열은 급속열처리(RTP;Rapid Thermal Processing) 또는 가열로(furnace)를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 박막의 열적 응집 현상을 이용한 반사방지표면이 형성된 기판
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제7항에 있어서, 상기 금속 나노 점을 식각 마스크로 하는 식각 방법은 건식 또는 습식 식각 방법이 이용되는 것을 특징으로 하는 금속 박막의 열적 응집 현상을 이용한 반사방지표면이 형성된 기판
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