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액상 공정 산화물 박막, 전자소자 및 박막 트랜지스터 제조 기술

  • 기술번호 : KST2014047491
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액상기반의 산화물 반도체 박막 제작 시에 요구되는 500℃ 이상의 고온 열처리 과정을 거치지 않고 350℃ 이하의 저온에서 산화물 반도체 박막을 제조하는 방법 및 형성된 산화물 박막을 포함하여 우수한 전기적 특성을 나타내는 전자 소자, 박막 트랜지스터에 관한 것이다. 350℃ 이하의 저온에서 용기 내에 가스를 이용한 가압 열처리를 통해 저온에서도 액상기반의 산화물 박막의 특성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020110043493 (2011.05.09)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1226958-0000 (2013.01.22)
공개번호/일자 10-2012-0083826 (2012.07.26) 문서열기
공고번호/일자 (20130128) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020110005037   |   2011.01.18
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.09)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김현재 대한민국 서울특별시 종로구
2 임유승 대한민국 서울특별시 서대문구
3 신현수 대한민국 서울특별시 서대문구
4 김시준 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0341836-78
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.12.19 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-2012-0007225-34
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0503188-80
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.07.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0418771-63
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.09.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0769620-74
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.09.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0769621-19
9 등록결정서
Decision to grant		 2013.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0024470-85
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전구체 용액을 도포하여 기판 상에 산화물 박막을 형성하는 단계;및상기 기판에 가스를 이용하여 가압 분위기에서 100℃ 내지 400℃의 열처리를 수행하는 단계;를 포함하고,상기 열처리를 수행하는 단계에서 상기 가압 분위기는 5 bar 내지 20 bar의 압력조건인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
2 2
삭제
3 3
제1 항에 있어서,상기 열처리를 수행하는 단계에서 상기 가스는 산소, 질소, 아르곤, 수소 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
4 4
제1 항에 있어서,열처리 전, 후에 진공 펌프를 이용하여 잔존유기물을 제거하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
5 5
제4 항에 있어서,상기 진공 펌프는 1 Torr 이하의 진공상태를 제공하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
6 6
제1 항에 있어서, 상기 열처리를 수행하는 단계에서, 열처리 시간은 5분 내지 180분인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
7 7
제1 항에 있어서,상기 기판 상에 산화물 박막을 형성하는 단계는 플렉시블 기판 또는 유리 기판을 이용하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
8 8
제1 항, 제3항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전구체 용액은 지르코늄화합물, 알루미늄화합물, 갈륨화합물, 네오디뮴화합물, 크롬화합물, 세륨화합물, 이트륨화합물, 탄탈륨화합물, 타이타늄화합물, 바륨화합물, 란사늄화합물, 망간화합물, 스트론튬화합물, 하프늄화합물, 마그네슘화합물, 스칸듐화합물 중 적어도 하나를 포함하고, 박막 트랜지스터의 게이트 절연층을 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
9 9
제1 항, 제3항 내지 제7 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 전구체 용액은 인듐과 아연; 또는 주석과 아연;을 포함하는 제1화합물과 지르코늄화합물, 알루미늄화합물, 갈륨화합물, 네오디뮴화합물, 크롬화합물, 세륨화합물, 이트륨화합물, 탄탈륨화합물, 타이타늄화합물, 바륨화합물, 란사늄화합물, 망간화합물, 스트론튬화합물, 하프늄화합물, 마그네슘화합물, 스칸듐화합물 중 적어도 하나가 선택된 제2화합물을 포함하고, 박막 트랜지스터의 채널층을 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
10 10
제1전구체 용액을 도포하여 기판 상에 제1산화물 박막을 형성하는 단계;상기 기판에 가스를 사용하여 가압 분위기에서 100℃ 내지 400℃의 열처리를 수행하는 제1열처리단계;제2전구체 용액을 도포하여 상기 제1산화물 박막 상에 제2산화물 박막을 형성하는 단계; 및상기 기판에 가스를 사용하여 가압 분위기에서 100℃ 내지 400℃의 열처리를 수행하는 제2열처리단계;를 포함하고,상기 제1열처리 단계 및 상기 제2열처리 단계에서 상기 가압 분위기는 5 bar 내지 20 bar의 압력조건인 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
11 11
제10 항에 있어서,상기 제1산화물 박막을 형성하는 단계는 지르코늄화합물, 알루미늄화합물, 갈륨화합물, 네오디뮴화합물, 크롬화합물, 세륨화합물, 이트륨화합물, 탄탈륨화합물, 타이타늄화합물, 바륨화합물, 란사늄화합물, 망간화합물, 스트론튬화합물, 하프늄화합물, 마그네슘화합물, 스칸듐화합물 중 적어도 하나를 포함하는 제1전구체 용액을 사용하여 박막 트랜지스터의 게이트 절연층을 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
12 12
제10 항에 있어서,상기 제2산화물 박막을 형성하는 단계는 인듐과 아연; 또는 주석과 아연;을 포함하는 제1화합물과 지르코늄화합물, 알루미늄화합물, 갈륨화합물, 네오디뮴화합물, 크롬화합물, 세륨화합물, 이트륨화합물, 탄탈륨화합물, 타이타늄화합물, 바륨화합물, 란사늄화합물, 망간화합물, 스트론튬화합물, 하프늄화합물, 마그네슘화합물, 스칸듐화합물 중 적어도 하나가 선택된 제2화합물을 포함하는 제2전구체 용액을 사용하여 박막 트랜지스터의 채널층을 형성하는 것을 특징으로 하는 산화물 박막 제조방법
13 13
삭제
14 14
플렉시블 기판 또는 유리 기판 상에 전구체 용액을 도포하고, 가스를 이용하여 5 bar 내지 20 bar의 가압분위기에서 100℃ 내지 400℃의 열처리를 수행하여 형성되는 산화물 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 전자 소자
15 15
기판 상에 전구체 용액을 도포하고, 가스를 이용하여 5 bar 내지 20 bar의 가압분위기에서 100℃ 내지 400℃의 열처리를 수행하여 형성되는 산화물 박막; 상기 산화물 박막 위에 형성되는 게이트 전극; 및상기 게이트 전극 위에 형성되는 소오스 전극 및 드레인 전극;을 포함하는 박막 트랜지스터
16 16
제15 항에 있어서,상기 산화물 박막은 상기 게이트 전극 위에 형성되며, 지르코늄화합물, 알루미늄화합물, 갈륨화합물, 네오디뮴화합물, 크롬화합물, 세륨화합물, 이트륨화합물, 탄탈륨화합물, 타이타늄화합물, 바륨화합물, 란사늄화합물, 망간화합물, 스트론튬화합물, 하프늄화합물, 마그네슘화합물, 스칸듐화합물 중 적어도 하나를 포함하는 전구체 용액을 사용하여 게이트 절연층을 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
17 17
제15 항에 있어서,상기 산화물 박막은 상기 게이트 전극 위에 형성되며, 인듐과 아연; 또는 주석과 아연;을 포함하는 제1화합물과 지르코늄화합물, 알루미늄화합물, 갈륨화합물, 네오디뮴화합물, 크롬화합물, 세륨화합물, 이트륨화합물, 탄탈륨화합물, 타이타늄화합물, 바륨화합물, 란사늄화합물, 망간화합물, 스트론튬화합물, 하프늄화합물, 마그네슘화합물, 스칸듐화합물 중 적어도 하나가 선택된 제2화합물을 포함하는 전구체 용액을 사용하여 채널층을 형성하는 하는 박막 트랜지스터
18 18
제15 항에 있어서,상기 산화물 박막은;지르코늄화합물, 알루미늄화합물, 갈륨화합물, 네오디뮴화합물, 크롬화합물, 세륨화합물, 이트륨화합물, 탄탈륨화합물, 타이타늄화합물, 바륨화합물, 란사늄화합물, 망간화합물, 스트론튬화합물, 하프늄화합물, 마그네슘화합물, 스칸듐화합물 중 적어도 하나를 포함하는 전구체 용액을 사용하여 게이트 절연층을 형성하는 제1산화물 박막; 및인듐과 아연; 또는 주석과 아연;을 포함하는 제1화합물과 지르코늄화합물, 알루미늄화합물, 갈륨화합물, 네오디뮴화합물, 크롬화합물, 세륨화합물, 이트륨화합물, 탄탈륨화합물, 타이타늄화합물, 바륨화합물, 란사늄화합물, 망간화합물, 스트론튬화합물, 하프늄화합물, 마그네슘화합물, 스칸듐화합물 중 적어도 하나가 선택된 제2화합물을 포함하는 전구체 용액을 사용하여 채널층을 형성하는 제2산화물 박막; 을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
19 19
제15 항 내지 제18 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 플렉시블 기판 또는 유리 기판인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터
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2 US20140239292 US 미국 FAMILY
3 WO2012099325 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2012099325 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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2 US9362116 US 미국 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 연세대학교 산학협력단 중견연구자지원사업(도약연구사업) 차세대 디스플레이를 위한 SBS (Solution Based Si) 박막 및 ASB (All Solution Based) TFT기술개발