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ＲＴＡ를 통한 스핀캐스팅된 ＰＶＤＦ 박막의 β 결정화방법

  • 기술번호 : KST2015127320
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 α 또는 γ 결정 구조의 스핀캐스팅된 PVDF 박막을 강유전성 β 결정 구조로 전환하기 위한 방법에 있어서, 습도가 조절되는 분위기 하에서 Au 기판 위에 PVDF 용액을 스핀캐스팅하여 PVDF 박막을 제조하는 단계(I); 및 상기 스핀캐스팅된 PVDF 박막을 PVDF의 녹는점 이하의 설정 온도로 급속히 온도를 올려준 후, 일정 시간 온도를 유지시켜주는 RTA(Rapid Thermal Annealing, 급속열처리) 단계(II)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 RTA를 통한 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 β 결정화 방법을 제공한다. 본 발명은 스핀캐스팅을 이용하면서도 강유전성 β 결정 구조의 PVDF 박막을 제조할 수 있으므로, 대면적의 PVDF 박막의 제조가 가능하며, P(VDF-TrFE)박막과는 달리 작동 온도가 높아 고온 작동용 소자에 적용가능하며, P(VDF-TrFE)보다 제조 비용이 저렴하다는 장점이 있다. PVDF, 강유전성, β 결정, RTA, 스핀캐스팅, 스핀코팅, 커패시터, 비휘발성 메모리
Int. CL H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/324(2013.01)H01L 21/324(2013.01)H01L 21/324(2013.01)
출원번호/일자 1020080057120 (2008.06.18)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2009-0131313 (2009.12.29) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.18)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박철민 대한민국 서울특별시 마포구
2 강석주 대한민국 서울 서초구
3 박연정 대한민국 서울 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김윤보 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 ** ***호(구로동, 삼성아이티밸리)(특허법인현)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2008-0434195-75
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.06.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.07.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0041462-42
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0181325-52
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.05.04 수리 (Accepted) 1-1-2010-0287203-07
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.05.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0287202-51
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.08.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0348638-54
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.11.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0536454-60
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
α 또는 γ 결정 구조의 스핀캐스팅된 PVDF 박막을 강유전성 β 결정 구조로 전환하기 위한 방법에 있어서, 습도가 조절되는 분위기 하에서 Au 기판 위에 PVDF 용액을 스핀캐스팅하여 PVDF 박막을 제조하는 단계(I); 및 상기 스핀캐스팅된 PVDF 박막을 PVDF박막의 녹는점 이하의 설정 온도로 급속히 온도를 올려준 후, 일정 시간 온도를 유지시켜주는 RTA(Rapid Thermal Annealing) 단계(II) 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 RTA를 통한 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 β 결정화 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 단계(I)의 PVDF 용액은 극성 용매에 PVDF가 용해된 용액인 것을 특징으로 하는 RTA를 통한 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 β 결정화 방법
3 3
제 2 항에 있어서, 상기 극성용매로 DMF, DMSO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 RTA를 통한 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 β 결정화 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 단계(II)에서 급속열처리의 가온 속도가 30℃/분 이상인 것을 특징으로 하는 RTA를 통한 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 β 결정화 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 단계(II)에서 급속열처리 온도가 80~ 160℃인 것을 특징으로 하는 RTA를 통한 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 β 결정화 방법
6 6
제 1 항에서, 상기에서 제조된 PVDF 박막의 두께가 10 ~ 500 nm 이하인 것을 특징으로 하는 RTA를 통한 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 β 결정화 방법
7 7
제 1 항에서, 상기 습도가 5 ~ 20% 이하로 조절되는 것을 특징으로 하는 RTA를 통한 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 β 결정화 방법
8 8
제 1 항에서, 상기 단계(II)에서 RTA 시간이 2시간 이상인 것을 특징으로 하는 RTA를 통한 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 β 결정화 방법
9 9
α 또는 γ 결정 구조의 스핀캐스팅된 PVDF 박막을 β 결정이 일정한 패턴을 갖도록 패턴화된 β 결정 구조로 전환하기 위한 방법에 있어서, Au 기판의 표면에 자기조립박막(SAMs)이 형성된 부분과 형성되지 않은 부분으로 영역을 나누는 마이크로 패턴화 단계(I) 상기 자기조립박막에 의해 일정하게 마이크로 패턴화된 Au 기판 위에 PVDF 용액을 스핀캐스팅하여 PVDF 박막을 제조하는 단계(II); 및 상기 스핀캐스팅된 PVDF 박막을 PVDF박막의 녹는점 이하의 설정 온도로 급속히 온도를 올려주어 일정시간 동안 온도를 유지시켜주는 RTA(Rapid Thermal Annealing) 단계(III) 를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 패턴화된 β 결정화 방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 단계(II)의 PVDF 용액은 극성 용매에 PVDF가 용해된 용액인 것을 특징으로 하는 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 패턴화된 β 결정화 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 극성용매로 DMF, DMSO 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 패턴화된 β 결정화 방법
12 12
제 9 항에 있어서, 상기 단계(II)에서 급속열처리의 가온 속도가 30℃/분 이상인 것을 특징으로 하는 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 패턴화된 β 결정화 방법
13 13
제 9 항에 있어서, 상기 단계(III)에서 급속열처리 온도가 80 ~ 160℃인 것을 특징으로 하는 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 패턴화된 β 결정화 방법
14 14
제 9 항에서, 상기에서 제조된 PVDF 박막의 두께가 10 ~ 500 nm 이하인 것을 특징으로 하는 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 패턴화된 β 결정화 방법
15 15
제 9 항에서, 상기 습도가 5 ~ 20% 이하로 조절되는 것을 특징으로 하는 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 패턴화된 β 결정화 방법
16 16
제 9 항에서, 상기 자기조립박막이 말단에 극성기를 갖는 자기조립박막인 것을 특징으로 하는 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 패턴화된 β 결정화 방법
17 17
제 16 항에서, 상기 말단에 극성기를 갖는 자기조립박막의 말단기로서 카르복실기, 티올기, 히드록시기 중 어느 하나의 말단기를 갖는 자기조립박막인 것을 특징으로 하는 스핀캐스팅된 PVDF 박막의 패턴화된 β 결정화 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지원기관:산업자원부,지식경제부 한양대학교 차세대신기술개발 고신뢰성 FFM소자 개발