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그래핀 조성물, 그래핀 소스 및 박막 제조 기술

  • 기술번호 : KST2014047505
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일실시예인 그래핀 소스 제조방법은 그래핀 시트가 분산된 용액에 전도성 고분자물질을 투입하는 단계 그리고 상기 용액에 포함된 주용매보다 표면장력이 낮고 끓는점이 높은 부용매를 투입하는 단계를 포함한다.
Int. CL C23C 16/26 (2006.01) C01B 31/00 (2006.01) H01B 1/04 (2006.01)
CPC C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01)
출원번호/일자 1020110073898 (2011.07.26)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1295345-0000 (2013.08.05)
공개번호/일자 10-2013-0012642 (2013.02.05) 문서열기
공고번호/일자 (20130812) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.07.26)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이태윤 대한민국 서울특별시 서대문구
2 구자훈 대한민국 서울특별시 마포구
3 서정목 대한민국 경기도 고양시 일산서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0575797-51
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5252006-10
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0538423-24
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0707320-97
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0055975-09
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0055974-53
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5062749-37
8 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0340712-63
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.24 수리 (Accepted) 4-1-2013-5088566-87
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.04.25 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2014-0395434-30
11 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2014.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0072763-08
12 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2014.05.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0441468-06
13 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0082340-88
14 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.05.21 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2014-0475200-18
15 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2014.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0089038-12
16 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.06.10 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2014-0539050-45
17 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2014.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2014-0539002-64
18 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2014.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0100194-20
19 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2014.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0104977-56
20 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2014.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0620903-65
21 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2014.07.01 수리 (Accepted) 1-1-2014-0620917-04
22 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2014.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0111596-28
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.09.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5114224-78
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고분자물질;제1용매;상기 제1용매보다 표면장력이 낮고 끓는점이 높은 제2용매를 포함하는 그래핀 조성물
2 2
제1항에 있어서,상기 고분자물질은 전도성 고분자물질인 것을 특징으로 하는 그래핀 조성물
3 3
제1항에 있어서,상기 제1용매는 DI water(deionized water), 메탄올(CH3OH), 다이메틸폼아마이드(dimethylformamide, DMF), 에틸렌 글리콜(Ethylene Glycol, EG),아세톤(CH3COCH3) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 그래핀 조성물
4 4
그래핀 시트가 분산된 용액에 고분자물질을 투입하는 단계; 그리고상기 용액에 포함된 주용매보다 표면장력이 낮고 끓는점이 높은 부용매를 투입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 소스 제조방법
5 5
제4항에 있어서,상기 고분자 물질은 전도성 고분자 물질인 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리티오펜, PEDOT:PSS(poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 그래핀 소스 제조방법
6 6
제4항에 있어서,상기 주용매는 DI water(deionized water), 메탄올(CH3OH), 다이메틸폼아마이드(dimethylformamide, DMF), 에틸렌 글리콜(Ethylene Glycol, EG),아세톤(CH3COCH3) 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 그래핀 소스 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 주용매는 DI water이고, 부용매는 아세트산(acetic acid)인 것을 특징으로 하는 그래핀 소스 제조방법
8 8
제4항에 있어서,상기 부용매는 상기 주용매 대비 20% ~ 50%의 부피비를 갖도록 투입되는 것을 특징으로 하는 그래핀 소스 제조방법
9 9
제4항에 있어서,상기 부용매를 투입하는 단계는 상온에서 주용매에 부용매를 투입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 소스 제조방법
10 10
제4항에 있어서,상기 고분자 물질이 포함된 상기 용액을 여과지에 걸러내는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 소스 제조방법
11 11
삭제
12 12
삭제
13 13
그래핀 소스를 준비하는 단계; 그리고상기 그래핀 소스를 사용하여 잉크젯 프린팅 방식으로 박막을 증착시키는 단계를 포함하되,상기 그래핀 소스를 준비하는 단계는 그래핀 시트가 분산된 용액에 고분자물질을 투입하는 단계;상기 용액에 포함된 주용매보다 표면장력이 낮고 끓는점이 높은 부용매를 투입하여 그래핀 소스를 생성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 박막 제조방법
14 14
제13항에 있어서,상기 고분자물질을 여과지를 통해서 걸러내는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 그래핀 박막 제조방법
15 15
제13항에 있어서,상기 박막을 증착시키는 단계는 상기 그래핀 소스를 잉크젯 프린터에 유입시키는 단계;기판에 그래핀 소스를 묘화된 배선패턴에 따라 투하하는 단계;그리고투하된 상기 그래핀 소스를 건조시키는 단계를 포함하는 그래핀 박막 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 연세대학교 산학협력단 시스템집적반도체기술개발 3D Integration을 이용한 차세대 이미지센서 개발
2 지식경제부 연세대학교 산학협력단 산업원천기술개발 초미세 고신뢰성 배선 기술 연구
3 교육과학기술부 연세대학교 산학협력단 중점연구소지원(이공분야) 나노융합 그린에너지 원천기술 개발
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