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반도체 장치 및 금속박막 형성방법

  • 기술번호 : KST2015210536
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 장치 및 금속박막 형성방법에 관한 것으로서, 상기 금속박막 형성방법은 기판 상에 금속 나노입자를 흡착시키는 단계 및 상기 금속 나노입자를 촉매로 한 전해도금을 통해 상기 기판 표면에 전해도금막을 형성하는 단계를 포함한다.본 발명에 따르면 고비저항 기판에 금속 나노입자를 흡착시킴으로써 씨앗층 형성없이 전해도금을 수행할 수 있으며, 미세패턴 제조가 가능하고, 취약한 단차 도포성으로 인한 씨앗층 결함 문제를 해결할 수 있다.
Int. CL H01L 21/768 (2006.01.01) H01L 21/288 (2006.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01) H01L 21/76877(2013.01)
출원번호/일자 1020110047833 (2011.05.20)
출원인 인천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1182155-0000 (2012.09.06)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120912) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.05.20)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 인천대학교 산학협력단 대한민국 인천광역시 연수구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권오중 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 최인수 대한민국 서울특별시 양천구
3 임태호 대한민국 서울특별시 관악구
4 김광환 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주) 코엠테크 인천광역시 부평구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0377330-65
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0395152-56
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.01.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0009801-70
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0483164-72
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.14 수리 (Accepted) 4-1-2014-0091252-23
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.06.10 수리 (Accepted) 4-1-2016-5075573-17
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.14 수리 (Accepted) 4-1-2019-5212872-93
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 존재하는 확산방지막;상기 확산방지막 표면에 흡착된 금속 나노입자; 및상기 금속 나노입자를 덮는 도금막;을 포함하는 반도체 장치
2 2
제1항에 있어서,상기 확산방지막은 티타늄(Ti), 탄탄륨(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 코발트(Co) 또는 이들의 질화물인 반도체 장치
3 3
제1항에 있어서,상기 금속 나노입자는 팔라듐(Pd), 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 구리(Cu), 로듐(Rh), 니켈(Ni) 및 코발트(Co) 중 어느 하나 이상을 포함하는 반도체 장치
4 4
제1항에 있어서,상기 금속 나노입자의 입경은 1nm 내지 6nm인 반도체 장치
5 5
제1항에 있어서,상기 도금막은 구리(Cu), 은(Ag), 백금(Pt), 코발트(Co) 및 주석(Sn) 중 어느 하나 이상을 포함하는 반도체 장치
6 6
기판 상에 금속 나노입자를 흡착시키는 단계; 및상기 금속 나노입자를 촉매로 한 전해도금을 통해 상기 기판 표면에 전해도금막을 형성하는 단계;를 포함하는 금속박막 형성방법
7 7
제6항에 있어서,상기 기판은 상기 기판 상에 형성된 확산방지막을 포함하며, 상기 기판 상에 금속 나노입자를 흡착시키는 단계 이전에, 상기 확산방지막 표면에 존재하는 자연산화막을 제거하는 단계를 포함하는 금속박막 형성방법
8 8
제7항에 있어서,상기 확산방지막은 티타늄(Ti), 탄탄륨(Ta), 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo), 루테늄(Ru), 코발트(Co) 또는 이들의 질화물인 금속박막 형성방법
9 9
제7항에 있어서,상기 확산방지막은 비저항이 10μΩcm 내지 200μΩcm인 금속박막 형성방법
10 10
제7항에 있어서,상기 확산방지막 표면에 존재하는 자연산화막을 제거하는 단계에서, 상기 자연산화막은 산성 용액을 이용한 습식식각에 의해 제거되는 금속박막 형성방법
11 11
제6항에 있어서,상기 기판 상에 금속 나노입자를 흡착시키는 단계는 금속염, 계면활성제 및 환원제를 포함하는 용액으로 금속 나노입자를 형성시키는 단계;상기 금속 나노입자를 여과하여 용매에 재분산하여 표면활성화 용액을 준비하는 단계; 및상기 표면활성화 용액과 상기 기판 표면을 접촉시키는 단계;를 포함하는 금속박막 형성방법
12 12
제11항에 있어서,상기 금속염, 계면활성제 및 환원제를 포함하는 용액으로 금속 나노입자를 형성시키는 단계에서, 상기 금속염은 팔라듐(Pd), 금(Au), 백금(Pt), 은(Ag), 구리(Cu), 로듐(Rh), 니켈(Ni), 루테늄(Ru), 또는 코발트(Co) 중 어느 하나 이상을 포함하는 금속염인 금속박막 형성방법
13 13
제11항에 있어서,상기 금속염, 계면활성제 및 환원제를 포함하는 용액으로 금속 나노입자를 형성시키는 단계에서, 상기 계면활성제는 PVP, CTAB, DTAB, MTAB, OTAB, TOPO, SDS, OAm, 지방 아민, 지방산 또는 염소 중 어느 하나 이상을 포함하는 금속박막 형성방법
14 14
제11항에 있어서,상기 금속염, 계면활성제 및 환원제를 포함하는 용액으로 금속 나노입자를 형성시키는 단계에서, 상기 환원제는 에틸렌글리콜, TEG, 에탄올, 수소화붕소나트륨, 히드라진, EDOT(3,4-ethylenedioxythiophene), D-glucose, CNCH2COOK, 글리세롤, 아스코빅 산 또는 구연산나트륨 중 어느 하나 이상을 포함하는 금속박막 형성방법
15 15
제6항에 있어서,상기 금속 나노입자를 촉매로 한 전해도금을 통해 상기 기판 표면에 전해도금막을 형성하는 단계에서, 상기 전해도금막은 구리(Cu), 은(Ag), 백금(Pt), 코발트(Co) 및 주석(Sn) 중 어느 하나 이상을 포함하는 금속박막 형성방법
16 16
제6항에 있어서,상기 금속 나노입자를 촉매로 한 전해도금을 통해 상기 기판 표면에 전해도금막을 형성하는 단계에서, 상기 전해도금을 위한 도금액의 pH가 1 내지 13이며, 상기 도금액의 온도는 10℃ 내지 80℃인 금속박막 형성방법
17 17
제6항에 있어서,상기 금속 나노입자를 촉매로 한 전해도금을 통해 상기 기판 표면에 전해도금막을 형성하는 단계에서, 상기 전해도금은 정전압 또는 정전류을 인가하거나 펄스를 인가하여 수행되며, 전착 전압은 -0
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