| 1 |
1
고분자 기판 상, 하부에 제 1과 2 버퍼층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 버퍼층 상부에 비정질 실리콘 박막을 스퍼터링을 이용해 형성하는 단계와; 상기 제 2 버퍼층 하부에 양면 접착제를 이용하여 투명기판을 부착시키는 단계와; 상기 비정질 실리콘 박막 상부에 레이저를 조사하여 다결정 실리콘 박막으로 변화시키는 단계와; 상기 레이저 조사 후, 상기 다결정 실리콘 박막 상부에 게이트 절연막과 게이트 전극을 순차적으로 증착하는 단계와; 상기 게이트 전극과 게이트 절연막의 일부를 순차적으로 선택적 식각하여 상기 다결정 실리콘 박막 상부에 돌출되는 구조물을 형성하는 단계와; 상기 다결정 실리콘 박막 상부에서 이온 도핑을 수행하고, 상기 다결정 실리콘 박막의 일부를 식각하여, 게이트 전극의 양측의 다결정 실리콘 박막을 소스 영역 및 드레인 영역으로 정의하는 단계와; 상기 소스 영역 및 드레인 영역의 일부 상부면을 노출시키고, 상기 구조물을 감싸는 층간 절연막을 형성하는 단계와; 상기 노출된 소스 영역 및 드레인 영역에 접촉되는 각각 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 고분자 기판은, 플렉서블(Flexible) 기판이고, PC(Polycarbonate), PET(Poly Ethylene Telephthalate), PEN(Poly (Ethylene Naphthalate)), PES(Polyether Sulfone), PAR(Polyarylate)과 PI(Polyimide) 중 어느 하나로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 3 |
3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 고분자 기판은, 변형을 최소화하기 위해 고분자 기판을 유리 전이(Glass transition) 온도 부근에서 진공 열처리되어 있는 기판인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 4 |
4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1과 2 버퍼층은, 300 ~ 1000nm 두께로 SiO2, SiON, Si3N4 중의 어느 하나 또는 둘 이상이 적층된 형태로 버퍼층을 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 5 |
5
제 1 항에 있어서, 상기 비정질 실리콘 박막을 형성하는 것은, 100 ~ 250℃에서 스퍼터링 공정으로 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 노출된 소스 영역 및 드레인 영역에 접촉되는 각각 전극을 형성하는 단계후에, 상기 양면접착제를 투명기판으로부터 제거하여, 상기 제 2 버퍼층 하부로부터 상기 투명기판을 이탈시키는 단계가 더 수행되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서, 상기 투명 기판은, 유리 기판인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 8 |
8
제 1 항에 있어서, 상기 층간 절연막은, SiO2, SiON, Si3N4 중 어느 하나의 단층막 또는 둘 이상이 적층막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 9 |
9
제 1 항에 있어서, 상기 이온 도핑은, N타입 이온 또는 P타입 이온을 도핑하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 10 |
10
제 1 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 이온 도핑 후, 상기 다결정 실리콘 박막 상부에서 레이저를 조사하여, 도핑된 이온을 활성화시키는 공정이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 11 |
10
제 1 항 또는 제 9 항에 있어서, 상기 이온 도핑 후, 상기 다결정 실리콘 박막 상부에서 레이저를 조사하여, 도핑된 이온을 활성화시키는 공정이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
