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다결정 실리콘 박막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015146261
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다결정 실리콘 박막 형성 방법에 관한 것으로, 기판 상부에 완충층(Buffer Layer)과 비정질 실리콘층을 순차적으로 형성하는 단계와; 상기 비정질 실리콘층 상부에 상호 이격된 에너지 차단 섬(Island)들을 형성하는 단계와; 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘으로 결정화시키는 단계와; 상기 에너지 차단 섬들을 제거하는 단계를 포함하여 구성된다.따라서, 본 발명은 비정질 실리콘층 상부에 에너지 차단 섬들을 형성하여 온도 구배에 따라 결정을 확산시켜 결정립이 크고, 전하 전도도가 증가시킬 수 있는 다결정 실리콘 박막을 구현할 수 있는 효과가 있다.비정질, 결정립, 에너지, 차단, 시드
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/2026(2013.01) H01L 21/2026(2013.01)
출원번호/일자 1020050129747 (2005.12.26)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0709163-0000 (2007.04.12)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20070420) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.12.26)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김영훈 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김원근 대한민국 경기도 오산시
3 한정인 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0762774-46
2 대리인사임신고서
Notification of resignation of agent		 2006.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2006-0263180-55
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2006-0081981-49
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2007.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0053067-60
6 의견서
Written Opinion		 2007.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2007-0248069-22
7 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.		 2007.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0248070-79
8 등록결정서
Decision to grant		 2007.04.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0192580-42
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상부에 완충층(Buffer Layer)과 비정질 실리콘층을 순차적으로 형성하는 단계와;상기 비정질 실리콘층 상부에 상호 이격된 에너지 차단 섬(Island)들을 형성하는 단계와;상기 에너지 차단 섬들 상부에 레이저광을 조사하여 상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘으로 결정화시키는 단계와;상기 에너지 차단 섬들을 제거하는 단계를 포함하여 구성된 다결정 실리콘 박막 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 에너지 차단 섬(Island)들은, 스퍼터링(Sputtering) 공정으로, 무질서하게 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 에너지 차단 섬(Island)들의 폭은, 상기 에너지 차단 섬들의 사이 간격보다 작은 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 에너지 차단 섬(Island)들은, 스트라이프(Stripe) 형상인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 완충층은, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막과 이들의 혼성 구조 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 에너지 차단 섬(Island)들의 두께는, 1㎚ ~ 100㎚인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성 방법
7 7
제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 에너지 차단 섬(Island)들은, 실리콘 질화막 또는 금속층인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 에너지 차단 섬(Island)들은, 포토 리소그래피 공정을 수행하여 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성 방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 에너지 차단 섬(Island)들은,니켈, 코발트와 알루미늄 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 형성 방법
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