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원자간력 캔틸레버 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014048237
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 전자빔 증착법을 이용하여 게이트 전극 상부에 텅스텐 소재의 탐침이 형성된 원자간력 캔틸레버를 제공함에 그 목적이 있다. 본 발명의 원자간력 캔틸레버는 SOI 기판상에 소스, 드레인 및 게이트로 형성된 MOSFET 구조물에 있어서, 상기 게이트 상부에 형성된 텅스텐 탐침; 및 상기 탐침을 제외한 MOSFET 전면에 형성된 패시배이션층을 포함한다. 본 발명의 원자간력 캔틸레버의 제조방법은 SOI 기판을 이용하여 MOSFET을 형성하는 단계; 상기 MOSFET 전면에 패시배이션층을 형성한 후 패터닝하여 게이트를 노출시키는 단계; 상기 SOI 기판의 하부 실리콘과 절연막을 식각하는 단계; 및 상기 게이트 상에 텅스텐 탐침을 형성하는 단계를 포함한다. MOSFET, 캔틸레버, SOI, 텅스텐, 탐침
Int. CL G01Q 60/38 (2010.01) H01L 21/66 (2006.01) G01N 13/00 (2006.01)
CPC G01Q 60/42(2013.01) G01Q 60/42(2013.01) G01Q 60/42(2013.01) G01Q 60/42(2013.01) G01Q 60/42(2013.01)
출원번호/일자 1020070076731 (2007.07.31)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-0951543-0000 (2010.03.31)
공개번호/일자 10-2009-0012694 (2009.02.04) 문서열기
공고번호/일자 (20100427) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.31)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성현 대한민국 경기 용인시 수지구
2 이유진 대한민국 경기 용인시 수지구
3 조진우 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서천석 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로**길 **, *층 (서초동, 서초다우빌딩)(특허법인세하)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전자부품연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2007-0558459-63
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.09.11 수리 (Accepted) 9-1-2008-0058802-25
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.01.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0030030-78
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2009-0150530-29
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0243037-80
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0306805-49
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2009-0376104-26
9 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2009.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2009-0042004-63
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0443488-93
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2009-0443471-17
12 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2009.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0489924-12
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.12.08 수리 (Accepted) 1-1-2009-0755755-63
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.12.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2009-0755763-28
15 등록결정서
Decision to grant
2010.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0120186-38
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
SOI 기판을 이용하여 MOSFET를 형성하는 단계; 상기 MOSFET 전면에 패시배이션층을 형성한 후 패터닝하여 게이트를 노출시키는 단계; 상기 SOI 기판의 하부 실리콘과 절연막을 식각하는 단계; 및 상기 게이트 상에 텅스텐 탐침을 형성하는 단계 를 포함하는 원자간력 캔틸레버의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 게이트 상에 텅스텐 탐침을 형성하는 단계는, 상기 MOSFET가 형성된 SOI 기판을 증착용 챔버내에 위치시키는 단계; 상기 증착용 챔버내부를 진공으로 형성하는 단계; 상기 증착용 챔버내부로 가스관을 통하여 W(Co)6 을 주입하는 단계; 및 상기 증착용 챔버에 부착된 건을 작동시켜 상기 MOSFET의 게이트 상부에 전자빔을 조사하는 단계 를 더 포함하는 원자간력 캔틸레버의 제조방법
3 3
제2항에 있어서, 상기 W(Co)6 을 주입하는 단계는, 가열 챔버내에 W(Co)6을 장입하는 단계; 및 히터를 가열하여 상기 W(Co)6을 기화시키는 단계 를 더 포함하는 원자간력 캔틸레버의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 텅스텐 탐침을 형성하는 단계는, 상기 MOSFET가 형성된 SOI 기판을 증착용 챔버에 재치하는 단계; 상기 증착용 챔버내부를 진공으로 형성하는 단계; 상기 증착용 챔버내부로 가스관을 통하여 WF6를 주입하는 단계; 및 상기 증착용 챔버에 부착된 건을 작동시켜 상기 MOSFET의 게이트 상부에 전자빔을 조사하는 단계 를 더 포함하는 원자간력 캔틸레버의 제조방법
5 5
제2항 또는 제4항에 있어서, 상기 가스관을 가열하는 단계를 더 포함하는 원자간력 캔틸레버의 제조방법
6 6
삭제
7 7
SOI 기판을 이용하여 MOSFET를 형성하는 단계; 상기 MOSFET 전면에 패시배이션층을 형성한 후 패터닝하여 게이트를 노출시키는 단계; 상기 SOI 기판의 하부 실리콘과 절연막을 식각하는 단계; 및 상기 게이트 상에 텅스텐 탐침을 형성하는 단계를 포함하는 원자간력 캔틸레버의 제조방법에 따라 제조된 원자간력 캔틸레버
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업자원부 (주)엠투엔 신뢰성기반기술확산사업 주사탐침현미경프로브의 성능평가 및 고장분석