| 1 |
1
기판 상부에 완충층과 비정질 실리콘층을 순차적으로 형성하고, 상기 비정질 실리콘층 중앙 상부에 덮개층을 형성하는 단계와;상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘으로 결정화시키는 단계와;상기 덮개층을 제거하는 단계와;상기 덮개층이 덮혀져 있던 다결정 실리콘층 상부에 게이트 절연막과 게이트 전극을 순차적으로 형성하고, 상기 덮개층이 덮혀져 있지 않았던 다결정 실리콘층에 불순물 이온을 주입하는 단계와;상기 게이트 절연막 전부와 게이트 전극 일부를 감싸며, 상기 다결정 실리콘층 상부에 층간 절연막을 형성하는 단계와;상기 층간 절연막을 선택적으로 제거하여, 상기 덮개층이 존재하지 않은 다결정 실리콘층의 일부를 노출시키고, 상호 이격된 한 쌍의 개구를 형성하는 단계와;상기 노출된 다결정 실리콘층과 각각 접촉되도록, 상기 한 쌍의 개구에 전극을 각각 형성하는 단계를 포함하여 구성된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서,상기 덮개층은, 무반사 코팅(Anti Reflection Coating)막인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 덮개층은, 실리콘 산화막인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 4 |
4
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 덮개층의 두께는, 30 ~ 300㎚인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 5 |
5
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 불순물 이온은, N타입 불순물 이온 또는 P타입 불순물 이온인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 6 |
6
제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 완충층은, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막과 이들의 혼성 구조 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 7 |
7
제 1 항에 있어서,상기 제조 단계들을 포함하여 제조된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는, 역스태거드 구조(Inverted staggered structure), 코플라나 구조(Coplanar structure), LDD(Lightly doped drain) 구조와 GOLDD(Gate overlapped lightly doped drain) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 8 |
8
기판 상부에 완충층과 비정질 실리콘층을 순차적으로 형성하는 단계와;상기 비정질 실리콘층 중앙 상부를 제외하고, 그 중앙 상부 양측으로 덮개층을 형성하는 단계와;상기 비정질 실리콘층을 다결정 실리콘으로 결정화시키는 단계와;상기 덮개층을 제거하는 단계와;상기 덮개층이 덮혀 있지 않았던 다결정 실리콘층 상부에 게이트 절연막과 게이트 전극을 순차적으로 형성하고, 상기 덮개층이 덮혀 있던 다결정 실리콘층에 불순물 이온을 주입하는 단계와;상기 게이트 절연막 전부와 게이트 전극 일부를 감싸며, 상기 다결정 실리콘층 상부에 층간 절연막을 형성하는 단계와;상기 층간 절연막을 선택적으로 제거하여, 상기 덮개층이 덮혀 있던 다결정 실리콘층의 일부를 노출시키고, 상호 이격된 한 쌍의 개구를 형성하는 단계와; 상기 노출된 다결정 실리콘층과 각각 접촉되도록, 상기 한 쌍의 개구에 전극을 각각 형성하는 단계를 포함하여 구성된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서, 상기 덮개층은, 에너지 차단막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 10 |
10
제 8 항에 있어서, 상기 덮개층은, 실리콘 질화막 또는 금속층인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 11 |
11
제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 덮개층의 두께는, 30 ~ 300㎚인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 12 |
12
제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 불순물 이온은,N타입 불순물 이온 또는 P타입 불순물 이온인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 13 |
13
제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 완충층은, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막과 이들의 혼성 구조 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
| 14 |
14
제 8 항에 있어서,상기 제조 단계들을 포함하여 제조된 다결정 실리콘 박막 트랜지스터는,역스태거드 구조(Inverted staggered structure), 코플라나 구조(Coplanar structure), LDD(Lightly doped drain) 구조와 GOLDD(Gate overlapped lightly doped drain) 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조 방법
|
