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실리콘 나노점 클러스터 형성방법

  • 기술번호 : KST2014048593
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 15℃ 내지 300℃의 온도 조건에서 반응기 내의 서셉터 상에 p-GaN 기판을 안착시키는 단계(S1), 상기 반응기 내에 SiH4 가스를 주입하거나 SiH4 가스를 주입한 후 He 가스를 추가적으로 주입하는 단계(S2), 및 플라즈마-화학 기상 증착법 및 모듈레이션 방법을 이용하여 상기 기판상에 실리콘 나노점 클러스터를 형성하는 단계(S3)를 포함하는 실리콘 나노점 클러스터 형성방법을 제공한다. 실리콘 나노점, 클러스터, 플라즈마-화학 기상 증착법, 저온
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01) H01L 21/02601(2013.01)
출원번호/일자 1020090106105 (2009.11.04)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1050215-0000 (2011.07.12)
공개번호/일자 10-2011-0049199 (2011.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20110719) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.04)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재관 대한민국 전라남도 순천시
2 이지면 대한민국 광주광역시 광산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정성종 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 **, *층 (서초동, 영동빌딩)(제이앤케이국제특허사무소)
2 정철오 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 **-*(역삼동, IT빌딩 *층)(특허법인 누리)
3 김영록 대한민국 서울특별시 서초구 논현로**, B동 *층(양재동, 삼호물산빌딩)(아이피맥스특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2009-0678896-52
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0025957-13
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0160925-34
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0380108-17
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0477395-34
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-0477389-60
8 등록결정서
Decision to grant
2011.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0360635-34
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
15℃ 내지 300℃의 온도 조건에서 반응기 내의 서셉터 상에 p-GaN 기판을 안착시키는 단계(S1); 상기 반응기 내에 SiH4 가스를 주입하거나 SiH4 가스를 주입한 후 He 가스를 추가적으로 주입하는 단계(S2); 및 플라즈마-화학 기상 증착법 및 모듈레이션(modulation) 방법을 이용하여 상기 기판상에 실리콘 나노점 클러스터를 형성하는 단계(S3); 를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터 형성방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 S1 단계 이전에 p-GaN 기판은 사파이어 기판 상에 u-GaN층, p-GaN층 및 p+-GaN층이 순차적으로 적층되어 형성되는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터 형성방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 SiH4 가스의 유량은 5% SiH4 가스가 50 내지 100 sccm이고, He 가스가 30sccm인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터 형성방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 방법은 무선주파수 전력(RF Power)이 30W 내지 100W의 공정조건을 가지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터 형성방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 방법은 공정시간이 10초 내지 120초의 공정조건을 가지는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터 형성방법
7 7
삭제
8 8
제1항, 제2항, 또는 제4항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 방법은 1 내지 500nm 크기의 나노점을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터 형성방법
9 9
제1항, 제2항, 또는 제4항 내지 제6항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 방법은 적어도 2개의 1 내지 500nm 크기의 나노점을 형성하여 나노점 클러스터를 이루는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노점 클러스터 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.