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백금을 기판으로 하는 아연산화물 성장 방법 및 그것을이용한 소자 제작 방법

  • 기술번호 : KST2015200056
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 아연산화물의 성장 방법에 관한 것으로서, 기판 위에 백금층을 성장시켜 백금 기판을 형성하고, 상기 백금 기판 위에 아연산화물이 포함된 박막을 증착하여 아연산화물을 성장시킨다. 상기 기판 위에 티타늄(Ti), 산화티타늄(TiO2), 산화실리콘(SiO2) 중 하나를 버퍼층으로서 형성한 후에 백금층을 성장시킴으로써, 상기 백금 기판이 방향성을 갖도록 할 수 있으며, 상기 아연산화물은 상기 백금 기판의 Pt (111) 면 위에서 성장시키는 것이 바람직하다. 이로써, 구조적 특성이 우수한 고품질의 단결정 아연산화물을 성장시킬 수 있다.또한, 상기와 같이 성장된 상기 아연산화물 위에 티타늄 또는 금을 증착한 후, 기판으로 사용된 백금을 바닥 전극으로 사용함으로써, 복잡한 전자 또는 광전 소자를 간단한 공정만으로 제작할 수 있다.화합물 반도체, 아연산화물, 박막성장, 백금 기판
Int. CL H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01) H01L 21/02554(2013.01)
출원번호/일자 1020070057723 (2007.06.13)
출원인 순천대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2008-0109420 (2008.12.17) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.13)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 순천대학교 산학협력단 대한민국 전라남도 순천시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이지면 대한민국 전남 순천시
2 진용출 대한민국 광주시 광산구
3 김한기 대한민국 경북 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이동희 대한민국 서울특별시 송파구 송파대로 ***, *층 (송파동, 옥명빌딩)(플랜국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0427371-16
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2008-5028130-37
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.09.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.09.19 수리 (Accepted) 9-1-2008-0061298-84
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0506428-87
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.11.28 수리 (Accepted) 1-1-2008-0820642-82
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.12.30 수리 (Accepted) 1-1-2008-0906137-20
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.01.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0060706-24
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0126617-95
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.03.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0190097-87
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0190018-91
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.15 수리 (Accepted) 4-1-2009-5115813-66
13 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2009.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0319237-66
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2010.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0040899-18
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2013-5083728-15
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.18 수리 (Accepted) 4-1-2014-5021788-47
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
아연산화물을 성장시키는 방법에 있어서,기판 위에 백금층을 성장시켜 백금 기판을 형성하는 단계와,상기 백금 기판 위에 아연산화물이 포함된 박막을 증착하여 아연산화물을 성장시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아연산화물의 성장 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 백금층을 형성하는 단계는상기 기판 위에 티타늄(Ti), 산화티타늄(TiO2), 산화실리콘(SiO2) 중 하나를 버퍼층으로서 형성한 후에 백금층을 성장시킴으로써, 상기 백금 기판이 방향성을 갖도록 하는 것을 특징으로 하는 아연산화물의 성장 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 아연산화물을 성장시키는 단계는상기 백금 기판의 Pt (111)면 위에서 아연산화물을 성장시키는 것을 특징으로 하는 아연산화물의 성장 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 백금 기판 위에 아연산화물이 포함된 박막을 증착시킬 때에, 레이저 펄스 증착법(PLD), RF 스퍼터링, RF 마그네트론 스퍼터링, DC 스퍼터링, DC 마그네트론 스퍼터링, 유기금속 화학증착법(MOCVD), 및 분자선 증착법 (MBE) 중 어느 하나의 증착법 사용하는 것을 특징으로 하는 아연산화물의 성장 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 아연산화물을 성장시킬 때에, 도판트를 포함시켜 아연산화물의 박막을 증착시키는 것을 특징으로 하는 아연산화물의 성장 방법
6 6
제1항 내지 제5항 중 어느 한 항의 방법에 의해 형성된 아연산화물과 백금 기판을 이용하여 소자를 제작하는 방법에 있어서,성장된 상기 아연산화물 위에 티타늄 또는 금을 증착한 후, 기판으로 사용된 백금을 바닥 전극으로 사용하는 것을 특징으로 하는 소자의 제작 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.