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산질화물계 형광체 분말, 질화물계 형광체 분말, 및 이들의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014048792
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 진공 형광 디스플레이 (VFD), 전계 방출 디스플레이 (FED), LED 표시장치 등의 디스플레이, 또는 냉음극 형광램프 (CCFL) 및 LED 램프 등의 조명장치, 또는 백라이트 등의 발광기구에 사용 가능한 산질화물계 및 질화물계 형광체 분말의 제조 방법 및 그에 의한 형광체 분말에 관한 것으로서, 상기 형광체 분말의 제조 방법은 금속 산화물의 일부 또는 전부를 미세한 탄소 물질을 이용하여 질소를 함유한 분위기 중에서 소성을 통해 질화시키는 것을 포함한다.
Int. CL H01L 33/00 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100072966 (2010.07.28)
출원인 성균관대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1219738-0000 (2013.01.02)
공개번호/일자 10-2011-0011586 (2011.02.08) 문서열기
공고번호/일자 (20130118) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020090069116   |   2009.07.28
대한민국  |   1020090069115   |   2009.07.28
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.28)
심사청구항수 38

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 대한민국 경기도 수원시 장안구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤대호 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 조덕수 대한민국 경기도 수원시 장안구
3 마사키 타카키 일본 경기도 수원시 장안구
4 송영현 대한민국 경기도 화성시
5 임일지 대한민국 서울특별시 양천구
6 한상혁 대한민국 경기도 시흥시 정

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 성균관대학교산학협력단 경기도 수원시 장안구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0489336-42
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0088948-69
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0090603-80
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.04.26 수리 (Accepted) 4-1-2012-5090770-53
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.20 수리 (Accepted) 4-1-2012-5131828-19
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0355704-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.06.27 수리 (Accepted) 4-1-2012-5137236-29
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0665534-39
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0665536-20
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0772697-96
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.02.23 수리 (Accepted) 4-1-2017-5028829-43
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
산질화물 형광체를 형성하기 위한 금속 소스 및 실리콘(Si) 소스를 포함하는 수용액을 유기고분자 물질에 함침시켜 1차 전구체를 수득하고, 상기 1차 전구체를 질소-함유 분위기 하에서 800 내지 1800℃의 온도에서 소성하여 산질화물계 형광체 분말을 수득하는 것을 포함하며, 상기 유기고분자 물질이 펄프, 결정화 셀룰로오스 분말, 비결정질 셀룰로오스 분말, 레이온 분말, 구상의 셀룰로오스 분말, 또는 셀룰로오스 용액을 포함하는 것인, 산질화물계 형광체 분말의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 1차 전구체를 소성하기 전에, 상기 1차 전구체를 산소-함유 분위기 하에서 150 내지 550℃의 온도에서 예비소성하는 것을 추가 포함하는, 산질화물계 형광체 분말의 제조 방법
3 3
제 2 항에 있어서,상기 질소-함유 분위기 하에서 소성은 상기 예비소성 후에 냉각한 후 또는 연속적으로 수행되는 것인, 산질화물계 형광체 분말의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 유기고분자 물질은 상기 소성 과정에서 탄소물질로 전환되어 환원제로서 작용하는 것인, 산질화물계 형광체 분말의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 실리콘(Si) 소스는 실리카 졸 또는 수용성 실리카를 포함하는 것인, 산질화물계 형광체 분말의 제조 방법
6 6
제 5 항에 있어서,상기 실리카 졸의 입자의 크기는 5 nm 내지 50 nm인, 산질화물계 형광체 분말의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 산질화물 형광체를 형성하기 위한 금속 소스는 하기 일반식 1에 의하여 표시되는 산질화물계 형광체 분말을 형성하는 위한 금속 소스를 포함하는 것인, 산질화물계 형광체 분말의 제조 방법:[일반식 1](M12aM21-a)w(M3bM41-b)x(M4cSi1-c)yM4d(O1-eN2e/3)z : Rf,상기 일반식 1에서,상기 M1는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +1가의 알칼리 금속이고,상기 M2는 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +2가의 알칼리토 금속이고,상기 M3는 붕소(B), 알루미늄(Al), 이트륨(Y), 가돌리늄(Gd), 터븀(Tb), 세륨(Ce) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +3가의 금속이고,상기 M4는 형광체의 모체 또는 공부활제로서 역할을 하는, 인(P), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 비소(As) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +3, +4 또는 +5가의 금속이고,상기 R은 부활제로서 유로퓸(Eu), 망간(Mn), 세륨(Ce), 디스프로슘(Dy), 사마륨(Sm) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속이고,상기 a는 0 내지 1이고, 상기 w는 0 초과 내지 4이고,상기 b는 0 내지 1이고, 상기 x는 0 내지 5이고,상기 c는 0 내지 1 미만이고, 상기 y는 0 초과 내지 6이고,상기 d는 0 내지 3이고,상기 e는 0
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 산질화물계 형광체 분말을 질소-함유 분위기의 1 내지 100 atm 및 800 내지 1900℃의 압력과 온도 범위에서 소성하는 것을 추가 포함하는, 산질화물계 형광체 분말의 제조 방법
9 9
삭제
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 질소-함유 분위기는 N2, H2/N2 혼합 기체 또는 NH3 기체를 포함하는 것인, 산질화물계 형광체 분말의 제조 방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 질소-함유 분위기는 CO 기체 또는 CH4를 추가 포함하는 것인, 산질화물계 형광체 분말의 제조 방법
12 12
제 1 항에 있어서, 상기 금속 소스는 플럭스 소스(flux source)를 포함하는 것인, 산질화물계 형광체 분말의 제조 방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 플럭스 소스는 NH2(CO)NH2 (urea), NH4NO3, NH4Cl, NH2CONH2, NH4HCO3, H3BO3, BaCl2 또는 EuCl3를 포함하는 것인, 산질화물계 형광체 분말의 제조 방법
14 14
제 1 항에 있어서, 상기 수득된 산질화물계 형광체 분말을 산 처리 또는 알칼리 처리하는 것을 추가 포함하는, 산질화물계 형광체 분말의 제조 방법
15 15
하기 일반식 1에 의하여 표시되는 산질화물계 형광체 분말로서, 제 1 항 내지 제 8 항 및 제 10 항 내지 제 14 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조되는 산질화물계 형광체 분말:[일반식 1](M12aM21-a)w(M3bM41-b)x(M4cSi1-c)yM4d(O1-eN2e/3)z : Rf,상기 일반식 1에서,상기 M1는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +1가의 알칼리 금속이고,상기 M2는 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +2가의 알칼리토 금속이고,상기 M3는 붕소(B), 알루미늄(Al), 이트륨(Y), 가돌리늄(Gd), 터븀(Tb), 세륨(Ce) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +3가의 금속이고,상기 M4는 형광체의 모체 또는 공부활제로서 역할을 하는, 인(P), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 비소(As) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +3, +4 또는 +5가의 금속이고,상기 R은 부활제로서 유로퓸(Eu), 망간(Mn), 세륨(Ce), 디스프로슘(Dy), 사마륨(Sm) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속이고,상기 a는 0 내지 1이고, 상기 w는 0 초과 내지 4이고,상기 b는 0 내지 1이고, 상기 x는 0 내지 5이고,상기 c는 0 내지 1 미만이고, 상기 y는 0 초과 내지 6이고,상기 d는 0 내지 3이고,상기 e는 0
16 16
제 15 항에 있어서,상기 산질화물계 형광체 분말의 입자 직경이 15 ㎛ 이하인, 산질화물계 형광체 분말
17 17
제 15 항에 있어서,상기 산질화물계 형광체 분말은 M-α-SiAlON:MRe, β-SiAlON:MRe, MSi2O2N2: MRe, EuSi2O2N2, 또는 BCNO을 포함하는 것으로서, 상기 M은 Ca, Sr, 및 Ba로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이고, MRe은 Eu, Ce, Mn 및 Tb로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인, 산질화물계 형광체 분말
18 18
제 15 항에 따른 산질화물계 형광체 분말을 포함하는 디스플레이
19 19
제 18 항에 있어서,상기 디스플레이는 브라운관, 발광 다이오드(light emitting diode, LED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display, FED) 또는, 진공 형광 디스플레이 (VFD)인 디스플레이
20 20
제 15 항에 따른 산질화물계 형광체 분말을 포함하는 램프
21 21
질화물 형광체를 형성하기 위한 금속 소스 및 실리콘(Si) 소스를 포함하는 수용액을 유기고분자 물질에 함침시켜 1차 전구체를 수득하고, 상기 1차 전구체를 질소-함유 분위기 하에서 800 내지 1800℃의 온도에서 소성하여 질화물계 형광체 분말을 수득하는 것을 포함하며, 상기 유기고분자 물질이 펄프, 결정화 셀룰로오스 분말, 비결정질 셀룰로오스 분말, 레이온 분말, 구상의 셀룰로오스 분말, 또는 셀룰로오스 용액을 포함하는 것인, 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
22 22
제 21 항에 있어서,상기 1차 전구체를 소성하기 전에, 상기 1차 전구체를 산소-함유 분위기 하에서 150 내지 550℃의 온도에서 예비소성하는 것을 추가 포함하는, 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
23 23
제 22 항에 있어서,상기 질소-함유 분위기 하에서 소성은 상기 예비소성 후에 냉각한 후 또는 연속적으로 수행되는 것인, 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
24 24
제 21 항에 있어서,상기 유기고분자 물질은 상기 소성 과정에서 탄소물질로 전환되어 환원제로서 작용하는 것인, 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
25 25
제 21 항에 있어서,상기 실리콘(Si) 소스는 실리카 졸 또는 수용성 실리카를 포함하는 것인, 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
26 26
제 25 항에 있어서,상기 실리카 졸의 입자의 크기는 5 nm 내지 50 nm인, 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
27 27
제 21 항에 있어서, 상기 질화물 형광체를 형성하기 위한 금속 소스는 하기 일반식 2에 의하여 표시되는 질화물계 형광체 분말을 형성하는 위한 금속 소스를 포함하는 것인, 질화물계 형광체 분말의 제조 방법:[일반식 2](M12aM21-a)w(M3b)x Aly(M4cSieN4e/3)z : Rf,상기 일반식 2에서,상기 M1는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +1가의 알칼리 금속이고,상기 M2는 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +2가의 알칼리토 금속이고,상기 M3는 붕소(B), 이트륨(Y), 가돌리늄(Gd), 터븀(Tb), 세륨(Ce) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +3가의 금속이고,상기 M4는 형광체의 모체 또는 공부활제로서 역할을 하는, 인(P), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 비소(As) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +3, +4 또는 +5가의 금속이고,상기 R은 부활제로서 유로퓸(Eu), 망간(Mn), 세륨(Ce), 디스프로슘(Dy), 사마륨(Sm) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속이고,상기 a는 0 내지 1이고, 상기 w는 0 초과 내지 4이고,상기 b는 0 내지 1이고, 상기 x는 0 내지 5이고,상기 c는 0 내지 1 미만이고, 상기 y는 0 초과 내지 6이고,상기 d는 0 내지 3이고,상기 e는 0
28 28
제 21 항에 있어서, 상기 질화물계 형광체 분말을 질소-함유 분위기의 1 내지 100 atm 및 800 내지 1900℃의 압력과 온도 범위에서 소성하는 것을 추가 포함하는, 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
29 29
삭제
30 30
제 21 항에 있어서, 상기 질소-함유 분위기는 N2, H2/N2 혼합 기체 또는 NH3 기체를 포함하는 것인, 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
31 31
제 21 항에 있어서, 상기 질소-함유 분위기는 CO 기체 또는 CH4를 추가 포함하는 것인, 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
32 32
제 21 항에 있어서, 상기 금속 소스는 플럭스 소스(flux source)를 포함하는 것인, 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
33 33
제 32 항에 있어서, 상기 플럭스 소스는 NH2(CO)NH2 (urea), NH4NO3, NH4Cl, NH2CONH2, NH4HCO3, H3BO3, BaCl2 또는 EuCl3를 포함하는 것인, 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
34 34
제 21 항에 있어서, 상기 수득된 질화물계 형광체 분말을 산 처리 또는 알칼리 처리하는 것을 추가 포함하는, 질화물계 형광체 분말의 제조 방법
35 35
하기 일반식 2에 의하여 표시되는 질화물계 형광체 분말로서, 제 21 항 내지 제 28항 및 제 30 항 내지 제 34 항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의하여 제조되는 질화물계 형광체 분말:[일반식 2](M12aM21-a)w(M3b)x Aly(M4cSieN4e/3)z : Rf,상기 일반식 2에서,상기 M1는 리튬(Li), 나트륨(Na), 칼륨(K) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +1가의 알칼리 금속이고,상기 M2는 마그네슘(Mg), 칼슘(Ca), 스트론튬(Sr), 바륨(Ba), 아연(Zn) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +2가의 알칼리토 금속이고,상기 M3는 붕소(B), 이트륨(Y), 가돌리늄(Gd), 터븀(Tb), 세륨(Ce) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +3가의 금속이고,상기 M4는 형광체의 모체 또는 공부활제로서 역할을 하는, 인(P), 바나듐(V), 티타늄(Ti), 비소(As) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 +3, +4 또는 +5가의 금속이고,상기 R은 부활제로서 유로퓸(Eu), 망간(Mn), 세륨(Ce), 디스프로슘(Dy), 사마륨(Sm) 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속이고,상기 a는 0 내지 1이고, 상기 w는 0 초과 내지 4이고,상기 b는 0 내지 1이고, 상기 x는 0 내지 5이고,상기 c는 0 내지 1 미만이고, 상기 y는 0 초과 내지 6이고,상기 d는 0 내지 3이고,상기 e는 0
36 36
제 35 항에 있어서,입자 직경이 15 ㎛ 이하인 질화물계 형광체 분말
37 37
제 35 항에 있어서,상기 질화물계 형광체 분말은 MAlSN:MRe, M2Si5N8:MRe, MYSi4N7:MRe, La3Si6N11:MRe, YTbSi4N6C, 또는 Y2Si4N6C: MRe 을 포함하는 것으로서, 상기 M은 Ca, Sr, 및 Ba로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상이고, MRe은 Eu, Ce, Mn 및 Tb로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인, 질화물계 형광체 분말
38 38
제 35 항에 따른 질화물계 형광체 분말을 포함하는 디스플레이
39 39
제 38 항에 있어서,상기 디스플레이는 브라운관, 발광 다이오드(light emitting diode, LED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel, PDP), 전계 방출 디스플레이(Field Emission Display, FED) 또는, 진공 형광 디스플레이 (VFD)인 디스플레이
40 40
제 35 항에 따른 질화물계 형광체 분말을 포함하는 램프
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1 CN102625820 CN 중국 FAMILY
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3 US20120187339 US 미국 FAMILY
4 WO2011014010 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2011014010 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102625820 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 EP2471890 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 EP2471890 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2013500379 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2012187339 US 미국 DOCDBFAMILY
6 WO2011014010 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
7 WO2011014010 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 지식경제부 대주전자재료(주) 부품소재기술개발사업 고효율 / 고신뢰성 조명용 RGY 형광체 개발